用于电话机的激光雷达系统技术方案

本文公开了一种电话机，其包括激光雷达系统，所述激光雷达系统包括(A)包括雪崩光电二极管(APD)(i)，i＝1，

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于电话机的激光雷达系统


[0001]本文的公开涉及用于电话机的激光雷达(光检测和测距)系统。

技术介绍

[0002]图像传感器或成像传感器是可以检测辐射的空间强度分布的传感器。图像传感器通常通过电信号表示检测到的图像。基于半导体器件的图像传感器可以分为几种类型，其包括半导体电荷耦合器件(CCD)、互补金属氧化物半导体(CMOS)和N型金属氧化物半导体(NMOS)。
[0003]互补金属氧化物半导体图像传感器是用互补金属氧化物半导体工艺制成的一种有源像素传感器。入射在所述互补金属氧化物半导体图像传感器中的像素上的光被转换为电压。所述电压被数字化为离散值，该离散值表示入射在所述像素上的所述光的强度。有源像素传感器(APS)是包括具有光电探测器和有源放大器的像素的图像传感器。
[0004]半导体电荷耦合器件图像传感器包括像素中的电容器。当光入射在所述像素上时，所述光产生电荷并且所述电荷被存储在所述电容器上。所述被存储的电荷被转换成电压，并且所述电压被数字化为离散值，该离散值表示入射在所述像素上的所述光的强度。
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电话机，其包括激光雷达系统，所述激光雷达系统包括(a)包括雪崩光电二极管(APD)(i)，i＝1，
…
，N，N为正整数，阵列的图像传感器，对于i＝1，
…
，N，所述雪崩光电二极管(i)包括吸收区(i)和放大区(i)，其中所述吸收区(i)被配置为从被所述吸收区(i)吸收的光子产生载流子，其中所述放大区(i)包括结(i)，在所述结(i)中具有结电场(i)，其中所述结电场(i)的值足以引起进入所述放大区(i)的载流子的雪崩，但不足以使所述雪崩自我维持，并且其中所述结(i)，i＝1，
…
，N，是离散的，以及(b)辐射源，其中所述辐射源被配置为在时间点Ta发射照明光子脉冲；其中，对于i＝1，
…
，N，所述激光雷达系统被配置为测量从Ta到时间点Tb(i)的飞行时间(i)，在所述时间点Tb(i)，所述照明光子中的光子从对应于所述雪崩光电二极管(i)的所述激光雷达系统的子视场(i)中的物体的表面光点(i)反弹后，返回到所述雪崩光电二极管(i)；其中，对于i＝1，
…
，N，基于所述飞行时间(i)，所述激光雷达系统被配置为确定从所述激光雷达系统到所述物体表面光点(i)的光点距离(i)，其中所述电话机被配置为将声音转换为电信号，其中所述电话机被配置为从电信号中再现声音，其中，所述电话机被配置为通过电线、无线电信号、互联网、电磁波或其任意组合将电信号发送到另一个电话机，并且其中所述电话机被配置为通过电线、无线电信号、互联网、电磁波或其任意组合从另一个电话机接收电信号。2.如权利要求1所述的电话机，其中所述电话机被配置为浏览网络。3.如权利要求1所述的电话机，其中N大于1。4.如权利要求1所述的电话机，其中所述照明光子包括红外光子，并且其中，对于i＝1，
…
，N，所述雪崩光电二极管(i)包括硅。5.如权利要求1所述的电话机，其中，对于i＝1，
…
，N，所述吸收区(i)的厚度为10微米或以上。6.如权利要求1所述的电话机，其中，对于i＝1，
…
，N，在所述吸收区(i)中的吸收区电场(i)没有高到足以在所述吸收区(i)中引起雪崩效应。7.如权利要求1所述的电话机，其中，对于i＝1，
…
，N，所述吸收区(i)是本征半导体或掺杂水平小于10
12
掺杂剂/cm3的半导体。8.如权利要求1所述的电话机，其中N>1，并且其中所述吸收区(i)，i＝1，
…
，N，中的至少一些吸收区是连接在一起的。9.如权利要求1所述的电话机，其中，对于i＝1，
…
，N，所述雪崩光电二极管(i)进一步包括放大区(i
’
)，使得所述放大区(i)和所述放大区(i
’
)位于所述吸收区(i)的相对的两侧。10.如权利要求1所述的电话机，其中所述放大区(i)，i＝1，
…
，N，是离散的。11.如权利要求1所述的电话机，其中，对于i＝1，
…
，N，所述结(i)是p
‑
n结或异质结。12.如权利要求1所述的电话机，
其中，对于i＝1，
…
，N，所述结(i)包括第一层(i)和第二层(i)，并且其中，对于i＝1，
…
，N，所述第一层(i)是掺杂半导体，并且所述第二层(i)是重掺杂半导体。13.如权利要求12所述的电话机，其中，对于i＝1，
…
，N，所述结(i)进一步包括夹在所述第一层(i)和所述第二层(i)之间的第三层(i)，并且其中，对于i＝1，
…
，N，所述第三层(i)包括本征半导体。14.如权利要求13所述的电话机，其中N>1，并且其中所述第三层(i)，i＝1，
…
，N，中的至少一些第三层(i)是连接在一起的。15.如权利要求12所述的电话机，其中，对于i＝1，
…
，N，所述第一层(i)的掺杂水平为10
13
至10
17
掺杂剂/cm3。16.如权利要求12所述的电话机，其中N>1，并且其中所述第一层(i)，i＝1，
…
，N，中的至少一些第一层(i)是连接在一起的。17.如权利要求12所述的电话机，其中所述图像传感器进一步包括分别与所述第二层(i)，i＝1，
…
，N，电接触的电极(i)，i＝1，
…
，N。18.如权利要求1所述的电话机，其中所述图像传感器进一步包括钝化材料，所述钝化材料被配置为钝化所述吸收区(i)，i＝1，
…
，N，的表面。19.如权利要求1所述的电话机，其中所述图像传感器进一步包括电连接到所述吸收区(i)，i＝1，
…
，N，的公共电极。20.如权利要求1所述的电话机，其中，对于i＝1，
…
，N，所述结(i)通过(a)所述吸收区(i)的材料、(b)所述第一层(i)的材料或所述第二层(i)的材料、(c)绝缘材料或(d)掺杂半导体的保护环(i)与相邻连接的结分开。21.如权利要求20所述的电话机，其中，对于i＝1，
…
，N，所述保护环(i)是与所述第二层(i)具有相同掺杂类型的掺杂半导体，并且其中，对于i＝1，
…
，N，所述保护环(i)没有被重掺杂。22.一种操作电话机的方法，其包括激光雷达系统，所述激光雷达...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹培炎，刘雨润，
申请(专利权)人：深圳源光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：