一种含硼有机化合物及其在有机电致发光器件上的应用制造技术

本发明专利技术公开了一种含硼有机化合物及其在有机电致发光器件上的应用，属于半导体材料技术领域。本发明专利技术含硼有机化合物的结构如通式(1)所示，具有窄半峰宽、高荧光量子产率，具有高的玻璃化转变温度和分子热稳定性，以及具有合适的HOMO和LUMO能级，可用作有机电致发光器件的发光层掺杂材料，从而提升器件的发光色纯度和寿命。度和寿命。度和寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种含硼有机化合物及其在有机电致发光器件上的应用


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种含硼有机化合物及其在有机电致发光器件上的应用。

技术介绍

[0002]传统荧光掺杂材料受限于早期的技术，只能利用电激发形成的25％单线态激子发光，器件的内量子效率较低(最高为25％)，外量子效率普遍低于5％，与磷光器件的效率还有很大差距。磷光材料由于重原子中心强的自旋-轨道耦合增强了系间窜越，可以有效利用电激发形成的单线态激子和三线态激子发光，使器件的内量子效率达100％。但多数磷光材料价格昂贵，材料稳定性较差，色纯度较差，器件效率滚落严重等问题限制了其在OLED的应用。
[0003]随着5G时代的到来，对显色标准提出了更高的要求，发光材料除了高效、稳定，也需要更窄的半峰宽以提升器件发光色纯度。荧光掺杂材料可通过分子工程，实现高荧光量子、窄半峰宽，蓝色荧光掺杂材料已获得阶段性突破，硼类材料半峰宽可降低至30nm以下；如CN110790782A公开了如下结构：
[0004]M为B或Bi；该类结构通过增强材料中的原子之间的共振效应本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含硼有机化合物，其特征在于，所述含硼有机化合物的结构如通式(1)所示：其中，分别独立地表示为C
6-C
30
芳基或含有一个或多个杂原子的C
4-C
30
的杂芳基中的任意一种；a、b、c、d分别独立地表示0、1或2；R1、R2分别独立地表示为氘原子、氚原子、卤素、氰基、取代或未取代的C
1-C
10
的直链或支链烷基、取代或未取代的C
3-C
10
的环烷基，取代或未取代的C
6-C
30
芳基、取代或未取代的C
4-C
30
杂芳基；R3、R4、R5、R6分别独立地表示为氢原子、氘原子、氚原子、卤素、氰基、取代或未取代的C1～C
10
直链或支链烷基、取代或未取代的C
3-C
10
的环烷基、取代或未取代的C
6-C
30
芳基、取代或未取代的C
4-C
20
杂芳基中的任意一种；虚线表示单键存在或不存在；取代上述可取代基团的取代基任选自氘、氚、卤素、氰基、C1～C
10
直链或支链烷基、C
3-C
10
的环烷基、C1～C
10
烷氧基、C
6-C
30
芳基、环原子数为4～30杂芳基中的任意一种；所述杂芳基中的杂原子任选自氧、硫或氮中的一种或多种。2.根据权利要求1所述的含硼有机化合物，其特征在于，所述含硼有机化合物结构如通式(2)所示：其中，虚线、R
1-R6与权利要求1中所述含义相同。3.根据权利要求1所述的含硼有机化合物，其特征在于，所述含硼有机化合物结构如通式(3)所示：
其中分别独立地表示为苯基、联苯基、萘基、二苯并呋喃、二苯并噻吩、二甲基芴或咔唑基；R
1-R6与权利要求1中所述含义相同。4.根据权利要求1所述的含硼有机化合物，其特征在于，分别独立地表示为苯、联苯、萘、吡啶、嘧啶、吡嗪、哒嗪、二苯并呋喃、9,9-二甲基芴...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴秀芹，曹旭东，张兆超，李崇，
申请(专利权)人：江苏三月科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：