一种宽范围输入低功耗开关电路制造技术

技术编号:32397079 阅读:33 留言:0更新日期:2022-02-20 09:43
本实用新型专利技术公开了一种宽范围输入低功耗开关电路,主要内容为:包括按键开关P1、MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电容C1、双二极管SD1和单片机MCU,所述按键开关P1引脚1、电阻R1上端和MOS管Q1漏极都与电源输入VCC_IN连接,MOS管Q1源极与电源输出VCC_OUT连接,电阻R1下端和MOS管Q1栅极都与MOS管Q2漏极连接。本实用新型专利技术解决了窄范围输入电压以及功耗的问题,在保证宽范围电压输入的前提下,降低了功耗,增加了同等能量供电的情况下整个系统的工作时间。同等能量供电的情况下整个系统的工作时间。同等能量供电的情况下整个系统的工作时间。

【技术实现步骤摘要】
一种宽范围输入低功耗开关电路


[0001]本技术涉及开关电路
,具体地说,特别涉及一种宽范围输入低功耗开关电路。

技术介绍

[0002]目前市场上的主流开关基本都是使用集成芯片,但是集成芯片的工作电压范围比较小,在电路设计时外接匹配电路,才能符合此种芯片的输入电压要求,这就导致整个模块的功耗增加,在使用电池供电时,整个系统的工作时间大打折扣,满足不了对时间的技术要求。

技术实现思路

[0003]本技术所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足,公开了一种宽范围输入低功耗开关电路,其解决了窄范围输入电压以及功耗的问题,在保证宽范围电压输入的前提下,降低了功耗,增加了同等能量供电的情况下整个系统的工作时间。
[0004]本技术解决其技术问题所采用的技术方案是:一种宽范围输入低功耗开关电路,包括按键开关P1、MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电容C1、双二极管SD1和单片机MCU,所述按键开关P1引脚1、电阻R1上端和MOS管Q1漏极都与电源输入VCC_本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种宽范围输入低功耗开关电路,其特征在于:包括按键开关P1、MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电容C1、双二极管SD1和单片机MCU,所述按键开关P1引脚1、电阻R1上端和MOS管Q1漏极都与电源输入VCC_IN连接,所述MOS管Q1源极与电源输出VCC_OUT连接,所述电阻R1下端和MOS管Q1栅极都与MOS管Q2漏极连接,所述电阻R2左端和电阻R5左端都与按键开关P1引脚2连接,所述电阻R2右端与双二极管SD1左上端连接,所述双二极管SD1左下端与单片机MCU的I/O2口连接,所述双二极管SD1右端、电容C1上端和电阻R3上端都与MOS管Q2...

【专利技术属性】
技术研发人员:侯庆志陈浩张博超
申请(专利权)人:青岛睿维申信息科技有限公司
类型:新型
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1