一种宽范围输入低功耗开关电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种宽范围输入低功耗开关电路，主要内容为：包括按键开关P1、MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电容C1、双二极管SD1和单片机MCU，所述按键开关P1引脚1、电阻R1上端和MOS管Q1漏极都与电源输入VCC_IN连接，MOS管Q1源极与电源输出VCC_OUT连接，电阻R1下端和MOS管Q1栅极都与MOS管Q2漏极连接。本实用新型专利技术解决了窄范围输入电压以及功耗的问题，在保证宽范围电压输入的前提下，降低了功耗，增加了同等能量供电的情况下整个系统的工作时间。同等能量供电的情况下整个系统的工作时间。同等能量供电的情况下整个系统的工作时间。

【技术实现步骤摘要】
一种宽范围输入低功耗开关电路


[0001]本技术涉及开关电路
，具体地说，特别涉及一种宽范围输入低功耗开关电路。

技术介绍

[0002]目前市场上的主流开关基本都是使用集成芯片，但是集成芯片的工作电压范围比较小，在电路设计时外接匹配电路，才能符合此种芯片的输入电压要求，这就导致整个模块的功耗增加，在使用电池供电时，整个系统的工作时间大打折扣，满足不了对时间的技术要求。

技术实现思路

[0003]本技术所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，公开了一种宽范围输入低功耗开关电路，其解决了窄范围输入电压以及功耗的问题，在保证宽范围电压输入的前提下，降低了功耗，增加了同等能量供电的情况下整个系统的工作时间。
[0004]本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种宽范围输入低功耗开关电路，包括按键开关P1、MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电容C1、双二极管SD1和单片机MCU，所述按键开关P1引脚1、电阻R1上端和MOS管Q1漏极都与电源输入VCC_IN连接，所述MOS管Q1源极与电源输出VCC_OUT连接，所述电阻R1下端和MOS管Q1栅极都与MOS管Q2漏极连接，所述电阻R2左端和电阻R5左端都与按键开关P1引脚2连接，所述电阻R2右端与双二极管SD1左上端连接，所述双二极管SD1左下端与单片机MCU的I/O2口连接，所述双二极管SD1右端、电容C1上端和电阻R3上端都与MOS管Q2栅极连接，所述电容C1下端、电阻R3下端和MOS管Q2源极都接地，所述电阻R4左端与电源引脚VCC_1连接，所述电阻R4右端和MOS管Q3漏极都与单片机MCU的I/O1口连接，所述电阻R5右端和电阻R6上端都与MOS管Q3栅极连接，所述电阻R6下端和MOS管Q3源极都接地。
[0005]作为本技术的一种优选实施方式，所述单片机MCU采用ST公司生产的STM32F103芯片。
[0006]作为本技术的一种优选实施方式，所述单片机MCU内设有时钟电路和复位电路。
[0007]作为本技术的一种优选实施方式，所述MOS管Q1采用IRF7805Z场效应管。
[0008]本技术通过控制MOS管Q1的开关来控制电源的输出，同时为了保证宽范围电压的输入，使用双二极管SD1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1以及另一个MOS管Q2来控制MOS管Q1的栅极，当按键开关P1按下后使用单片机MCU的I/O2口控制MOS管Q1的栅极，释放按键开关P1，保证了电源的持续输出；同时将一路信号引入单片机MCU的I/O1口作为触发信号，当再次按动按键开关P1时，系统根据此时的状态判断是否关机。
[0009]本技术工作原理如下所述：
[0010](1)输入电压为VCC_IN，输出电压为VCC_OUT，本技术通过控制MOS管Q3的通断
作为开关电源的输出开关控制；
[0011](2)在按键开关P1断开时，MOS管Q3为断开状态，此时输出电压VCC_OUT输出电压为0；
[0012](3)当开关按键开关P1闭合时，电阻R2的左端电压为输入电压VCC_IN，电流流经过电阻R2、双二极管SD1及电阻R3到地，此时电阻R3两端的电压为高电平，打开MOS管Q2，则MOS管Q1的栅极为低电平，MOS管Q1导通，输出电压VCC_OUT输出电压；
[0013](4)同时通过电阻R5和电阻R6分压，此时MOS管Q3的栅极为高电平，打开MOS管Q3，将低电平信号输出给单片机MCU的I/O2口记录此时的状态；
[0014](5)单片机MCU的I/O2口工作以后输出信号至单片机MCU的I/O1口，保证MOS管Q2一直处于打开状态，保证MOS管Q1持续输出电压，维持整个系统的状态，此时便可松开按键开关P1，电阻R2、电阻R5和电阻R6均为电压，也就没有能量损耗，降低了功耗；
[0015](6)再次按下按键开关P1，则单片机MCU的I/O2口根据记录的状态停止单片机MCU的I/O1口的输出，此时松开按键开关P1，则MOS管Q2为低电平，则MOS管Q1的栅极为高电平，MOS管Q1输出为0，整个系统断电。
[0016]本技术与现有技术相比具有以下优点：解决了窄范围输入电压以及功耗的问题，在保证宽范围电压输入的前提下，降低了功耗，增加了同等能量供电的情况下整个系统的工作时间。
附图说明
[0017]图1为本技术的电路原理图。
[0018]附图标记说明：
[0019]P1：按键开关，VCC_IN：输入电压，VCC_OUT：输出电压，VCC_1：电源电压，R1、R2、R3、R4、R5、R6：电阻，C1：电容，Q1、Q2、Q3：MOS管，SD1：双二极管，MCU：单片机。
具体实施方式
[0020]下面结合附图及实施例描述本技术具体实施方式：
[0021]需要说明的是，本说明书所附图中示意的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本技术可实施的限定条件，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。
[0022]同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本技术可实施的范畴。
[0023]如图1所示，其示出了本技术的具体实施方式，如图所示，本技术公开的一种宽范围输入低功耗开关电路，包括按键开关P1、MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电容C1、双二极管SD1和单片机MCU，所述按键开关P1引脚1、电阻R1上端和MOS管Q1漏极都与电源输入VCC_IN连接，所述MOS管Q1源极与电源输出VCC_OUT连接，所述电阻R1下端和MOS管Q1栅极都与MOS管Q2漏极连接，所述电阻R2左端和电
阻R5左端都与按键开关P1引脚2连接，所述电阻R2右端与双二极管SD1左上端连接，所述双二极管SD1左下端与单片机MCU的I/O2口连接，所述双二极管SD1右端、电容C1上端和电阻R3上端都与MOS管Q2栅极连接，所述电容C1下端、电阻R3下端和MOS管Q2源极都接地，所述电阻R4左端与电源引脚VCC_1连接，所述电阻R4右端和MOS管Q3漏极都与单片机MCU的I/O1口连接，所述电阻R5右端和电阻R6上端都与MOS管Q3栅极连接，所述电阻R6下端和MOS管Q3源极都接地。
[0024]优选的，所述单片机MCU采用ST公司生产的STM32F103芯片。
[0025]优选的，所述单片机MCU内设有时钟电路和复位电路。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种宽范围输入低功耗开关电路，其特征在于：包括按键开关P1、MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电容C1、双二极管SD1和单片机MCU，所述按键开关P1引脚1、电阻R1上端和MOS管Q1漏极都与电源输入VCC_IN连接，所述MOS管Q1源极与电源输出VCC_OUT连接，所述电阻R1下端和MOS管Q1栅极都与MOS管Q2漏极连接，所述电阻R2左端和电阻R5左端都与按键开关P1引脚2连接，所述电阻R2右端与双二极管SD1左上端连接，所述双二极管SD1左下端与单片机MCU的I/O2口连接，所述双二极管SD1右端、电容C1上端和电阻R3上端都与MOS管Q2...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯庆志，陈浩，张博超，
申请(专利权)人：青岛睿维申信息科技有限公司，
类型：新型
国别省市：