一种直拉法单晶硅生产中的保温装置制造方法及图纸

技术编号:32385902 阅读:43 留言:0更新日期:2022-02-20 09:18
本实用新型专利技术公开了一种直拉法单晶硅生产中的保温装置,包括保温筒主体(1),保温筒主体(1)包括相互配合的外筒体(1a)和内筒体(1b),外筒体(1a)套设在内筒体(1b)的外部,且二者之间形成一个环形空腔(2),环形空腔(2)的底部连有一面相配合的环形底板(3),环形底板(3)上设有一组挡板排孔(4),每个挡板排孔(4)包括一组挡板孔(4a),每组挡板孔(4a)上对应连接一个竖直的挡板(5),挡板(5)的宽度与环形空腔(2)的厚度相配合。本实用新型专利技术的优点是能够有效的对炉内的温度进行保温,并且能够减小硅液中的温度梯度,对单晶生长营造良好的生长环境。对单晶生长营造良好的生长环境。对单晶生长营造良好的生长环境。

【技术实现步骤摘要】
一种直拉法单晶硅生产中的保温装置


[0001]本技术涉及直拉法生产单晶硅设备
,尤其涉及一种直拉法单晶硅生产中的保温装置。

技术介绍

[0002]在直拉法生产单晶硅工艺中,简要过程是先将原料装入单晶炉炉内的石英坩埚中,将炉体密闭后通入氩气,通过干泵将单晶炉炉内气体抽至单晶炉外,通过加热器将料块加热至1400℃左右熔化,经过引晶、放肩、转肩、等径、收尾等操作,完成晶体的生长过程,最后关闭加热器停炉冷却。
[0003]在拉晶的整个过程中,会有大量的热能通过热传导和热辐射的形式被炉体中的冷凝水带走,现有保温毡与保温筒一般通过捆卷形式固定成整体,因此热量通过热传递的形式进行散失,降低了热场保温性,浪费大量的热能,无法对炉内的温度进行保温,并且增加了硅液中的温度梯度,影响到单晶硅的正常生长。

技术实现思路

[0004]本技术目的就是为了解决现有单晶硅生产中热能浪费、无法保温、单晶硅生长易产生异常的问题,提供了一种直拉法单晶硅生产中的保温装置,能够有效的对炉内的温度进行保温,并且能够减小硅液中的温度梯度,对单晶生长营造良好的生长环本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种直拉法单晶硅生产中的保温装置,包括保温筒主体(1),其特征在于:保温筒主体(1)包括相互配合的外筒体(1a)和内筒体(1b),外筒体(1a)套设在内筒体(1b)的外部,且二者之间形成一个环形空腔(2),环形空腔(2)的底部连有一面相配合的环形底板(3),环形底板(3)上设有一组挡板排孔(4),每个挡板排孔(4)包括一组挡板孔(4a),每组挡板孔(4a)上对应连接一个竖直的挡板(5),挡板(5)的宽度与环形空腔(2)的厚度相配合。2.根据权利要求1所述的直拉法单晶硅生...

【专利技术属性】
技术研发人员:李国明王艺澄王军磊
申请(专利权)人:包头美科硅能源有限公司
类型:新型
国别省市:

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