有机电子器件制造技术

一种有机电子器件，其包括（ａ）导线，（ｂ）有机层，（ｃ）覆盖在有机层上的第一导电元件，其中，第一导电元件最接近导线的一面和有机层最接近导线的一面基本上互相连接，从平面图看，导线和第一导电元件相互隔开，（ｄ）第二导电元件，其使第一导电元件电连接于导线。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般涉及有机电子器件，具体涉及改进有机电子器件性能的器件结构。
技术介绍
对于有机电子器件，例如有机光发射二极管(OLED)，激光烧蚀方法已经被用来从器件的不希望有的性能敏感区中除去有机材料。为了说明的目的，对于一种技术，制造OLED器件的第一步是导电元件(例如，电极，诸如阳极)和导线的沉积和形成图案，阳极通常是铟锡氧化物(ITO)，导线可包括一个三层的三明治结构，包括粘合层、低电阻率导电层和保护性覆盖层。典型的OLED导线结构是Cr/Cu/Cr。在形成阳极和导线后，该方法涉及形成阴极隔离层，然后在整个基片表面上形成有机层，诸如缓冲层(也称为电荷传输层)(BL)和电致发光层(EL)。在现有技术中，基片随后进入到激光烧蚀系统中，在此激光束聚焦到需要清除有机层的区域上。这些区域包括电极与导线的电接触衬垫、粘合衬垫和活性区域周围的框架(有时也称为板条(rail))，胶水分配在这些区域上用作封装盖，这些区域是OLED性能敏感区的实例。激光烧蚀法有严重的缺陷，是大量制造体积OLED器件的一个薄弱环节。激光烧蚀器是较贵的，它的模件难以维持，并且此机器作为一个整体难以与其它的工艺工具相连。而且，从材料的角度来看，激光烧蚀法并不很适合除去有机层，因为该方法经常留下一些顽固的难以除去的碳质残渣，除非加入如氧气之类的气体来促进形成挥发性的氧化物。但是，使用氧气是非常冒险的，因为敏感的EL有机层在烧蚀的过程中是暴露在气氛中的，通常是纯氮气氛。使用高的激光通量(以毫焦/脉冲衡量)或多或少可以缓解残渣方面的问题，但是这样做的不利的副作用在于下面的导线结构会开裂。因而器件的可靠性受到影响。使方法更加成问题的是，能够得到的准分子激光束的波长被限制在一些特定的范围内，因而使目标有机材料(例如BL和EL)必须在相同的波长范围内具有吸收带。这使该方法失去了非常重要的自由度，而且烧蚀效率不可避免的下降。在烧蚀过程结束后，用于接触的导线可以经受激光能量的全面轰击，从而得到部分烧蚀。在某些情况下，导线对激光光子的吸收比有机层高，在这种情况下该方法就不再适用。用溶剂和材料对表面进行湿法清洗给电子器件的制造方法带来各种问题。因而，需要改进的方法来清除有机电子器件的性能敏感区上各种类型的有机材料。
技术实现思路
一种有机电子器件，其包括(a)导线、(b)有机层、(c)覆盖在有机层上的第一导电元件，其中，第一导电元件最接近导线的一面与有机层最接近导线的一面互相连接，从一个平面图看，导线和第一导电元件互相隔开，(d)将第一导电元件和导线电连接的第二导电元件。附图说明本专利技术将通过举例的方式进行阐述，但不受限附图。图1是在形成导电元件和连接到外围电路或远程电路的导线后，基片一部分的平面图。图2是图1中的基片在形成阴极隔离区后的平面图。图3是在形成空穴传输层和有机活性层后，图2中的基片一部分沿切开线3-3的截面图。图4是用来依据本专利技术的一个实施方式形成图案导电层的阴影掩模的视图。图5是图2中的基片依据本专利技术的一个实施方式使用图4中阴影掩模形成图案导电层后的平面图。图6是图5中的基片一部分依据本专利技术的一个实施方式沿切开线6-6的截面图。图7是在依据本专利技术的一个实施方式对空穴传输层和有机活性层的一部分进行干法蚀刻后，图5中的基片的平面图。图8是依据专利技术的一个实施方式，用来形成作为导电元件的第二导电层的阴影掩模的视图。图9是依据本专利技术的一个实施方式，在用图8中的阴影掩模形成图案导电层后，图7中的基片的平面图。图10是在形成图案导电层后，图9中的基片沿切开线10-10的截面图。图11是在形成有机层和对这些层的一部分进行激光烧蚀以暴露导线的一部分后，图2中的基片沿切开线11-11的截面图。图12是在形成覆盖在下电极上并接触阴极元件的导电元件后，图11中的基片的截面图。本领域技术人员会认识到图中的元件是为了简单清楚而显示的，不一定需要按比例作图。例如，图中一些元件的尺寸可相对于其它元件进行放大，以便有助于更好地理解本专利技术实施方式。具体实施例方式开发了一种方法，用来在形成有机电子器件的过程中干法蚀刻有机层。可进行干法蚀刻，以暴露基片或其它部件的区域，特别是那些随后会进行电连接或进行周边密封的部件(例如，导线、粘合衬垫和板条)。使用新方法来制造有机电子器件的优点在于干法蚀刻方法提供相对更干净和更节约的技术来除去有机材料，该方法易于维护工艺设备，能进行大容量的制造，并且(任选地)不需要激光烧蚀导线或湿法蚀刻粘合衬垫。而且，干法蚀刻可以控制以避免除去了的材料的再一次沉积，并且该方法提供可提供比包封器件更为均一的接触电阻，以及其它一些取决于所制造的有机电子器件及其应用的优点。通过此新方法制造的器件表现出性能上的改进。例如，对于OLED显示器，其寿命延长，器件的效率得到提高，泄漏电流减少。本专利技术的干法蚀刻可以一步或多步操作来完成，并且可通过改变所使用的气体或各种其它的操作参数如压力、功率密度、温度、气体流速、气体的相对组成和电压在恒定或各种不同的条件下进行。。若采用两步，则第一步可用来除去有机层的暴露部分，第二步可用来除去不希望有的一种或多种材料，诸如非挥发性蚀刻产物和污染物。本专利技术的干法蚀刻可完全取代激光蚀刻和湿法蚀刻湿法蚀刻，或者也可以任选的与目前用在有机电子器件制造中的激光蚀刻和湿法蚀刻技术结合使用。本专利技术的其它特点和优点会从下面的具体说明和权利要求中明显的表现出来。具体说明首先涉及一些定义，然后说明干法蚀刻前处理、干法蚀刻和干法蚀刻后处理。其它部分则包括其它的实施方式、优点和最后的实施例。1.定义在具体涉及下面一些实施方式前，先对一些术语进行定义或阐述。文中所用的术语“阵列”、“外围电路”和“远程电路”指有机电子器件的不同区域或部件。例如，阵列可包括在有序排列(通常为列和排)中的许多像素、单元或其它结构。阵列中的像素、单元或其它结构可被外围电路局部控制，外围电路可像阵列一样存在于相同的有机电子器件内而其本身在阵列之外。远程电路通常远离外围电路，并发送信号到阵列或从阵列中接收信号(通常经外围电路)。远程电路可以执行与陈列无关的功能。远程电路可以位于或不位于具有阵列的基片上。术语“有机电子器件”指包括一种或多种有机半导体层或有机半导体材料的器件。有机电子器件包括(1)将电能转化为辐射的器件(例如，光发射二极管、光发射二极管显示器或二极管激光器)，(2)通过电子过程检测信号的器件(例如，光检测器(例如，光导电池、光敏电阻器、光控开关、光电晶体管、光电管、IR检测器)，(3)将辐射转化为电能的器件(例如，光电器件或太阳能电池)和(4)包括一种或多种电子部件的器件，这些电子部件包括一种或多种有机半导体层(例如，晶体管或二极管)。文中所使用的术语“干法蚀刻”指使用一种或多种气体进行的蚀刻。干法蚀刻可通过使用一种或多种离子化的气体或不使用一种或多种离子化的气体来进行。干法蚀刻与“湿法蚀刻”相对，湿法蚀刻使用液体来蚀刻。更多关于干法蚀刻的详细阐述见本说明书的后面部分。术语“电子吸取”与“空穴注入”同义。字面上，空穴表示缺少电子，通常由除去电子来形成，因而产生一种错觉，即产生或注入被称为空穴的正电荷载体。空穴通过电子的移位而迁移，使缺少电子的区域被来自邻近层的电子所填充，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机电子器件，它包括：导线；有机层；覆盖在所述有机层上的第一导电元件，其中，所述第一导电元件最接近所述导线的一面与所述有机层最接近所述导线的一面基本上互相连接；并且从平面图看，所述导线和所述第一导电元件相互隔开； 将所述第一导电元件电连接到所述导线上的第二导电元件。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：S普拉卡什，
申请(专利权)人：EI内穆尔杜邦公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]