超高压元件制造技术

本发明专利技术提供了一种超高压元件，包括一基板、一指叉状源极、一指叉状漏极以及一栅极。指叉状源极设置于所述基板的表面，所述指叉状源极包括多个第一指叉部与环绕第一指叉部的一外围部。指叉状漏极设置于所述基板的表面，且所述指叉状漏极为镜像对称且与指叉状源极互补的图案。栅极则设置于所述指叉状源极与所述指叉状漏极之间的基板上。所述指叉状源极与所述指叉状漏极的布局能使电场分布均匀并防止转角电流拥挤效应发生。转角电流拥挤效应发生。转角电流拥挤效应发生。

【技术实现步骤摘要】
超高压元件


[0001]本专利技术是有关于一种超高压元件技术，且特别是有关于一种改善电场分布不均的超高压元件(UHV device)。

技术介绍

[0002]近年来超高压元件如横向扩散金属氧化物半导体功率晶体管(LDMOS)已被广泛的开发整合应用于太阳能、发光二极管驱动器(LED driver)与马达驱动器等，因此开发静电放电防护(ESD protection)在超高压元件上扮演很重要的角色。
[0003]静电放电(Electrostatic Discharge，ESD)测试为模拟外部静电对IC可能造成的伤害，针对IC的引脚(PIN)与PIN之间施放静电。目前超高压横向扩散NMOS(UHV LDNMOS)架构在IC应用上接出PIN的有漏极(Drain)、源极(Source)与基极(Bulk)，其余端点如栅极(Gate)则接到内部电路，通过内部电路控制UHV LDNMOS通道(channel)开或关。
[0004]然而，经由ESD测试会发现，一般以指叉状电极设计的布局(layout)有不均匀的电场分布(non<br/>‑
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超高压元件，其特征在于，包括：一基板；一指叉状源极，设置于所述基板的一表面，所述指叉状源极包括多个第一指叉部与环绕所述多个第一指叉部的一外围部；一指叉状漏极，设置于所述基板的所述表面，且所述指叉状漏极为镜像对称且与所述指叉状源极互补的图案；以及一栅极，设置于所述指叉状源极与所述指叉状漏极之间的所述基板上。2.如权利要求1所述的超高压元件，其特征在于，所述指叉状漏极的所述图案包括一中央部与自所述中央部往两侧伸出的多个第二指叉部。3.如权利要求2所述的超高压元件，其特征在于，更包括一引脚，接合于...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈奕豪，
申请(专利权)人：新唐科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：