磁阻式随机存取存储器的布局图案制造技术

本发明专利技术公开一种磁阻式随机存取存储器的布局图案，其主要包含第一单元区、第二单元区、第三单元区以及第四单元区设于基底上以及一扩散区设于基底上并延伸至该第一单元区、该第二单元区、该第三单元区以及该第四单元区，其中该扩散区依据上视角度包含一H形。中该扩散区依据上视角度包含一H形。中该扩散区依据上视角度包含一H形。

【技术实现步骤摘要】
磁阻式随机存取存储器的布局图案


[0001]本专利技术涉及一种磁阻式随机存取存储器的布局图案。

技术介绍

[0002]已知，磁阻(magnetoresistance,MR)效应是材料的电阻随着外加磁场的变化而改变的效应，其物理量的定义，是在有无磁场下的电阻差除上原先电阻，用以代表电阻变化率。目前，磁阻效应已被成功地运用在硬盘生产上，具有重要的商业应用价值。此外，利用巨磁电阻物质在不同的磁化状态下具有不同电阻值的特点，还可以制成磁性随机存储器(MRAM)，其优点是在不通电的情况下可以继续保留存储的数据。
[0003]上述磁阻效应还被应用在磁场感测(magnetic field sensor)领域，例如，移动电话中搭配全球定位系统(global positioning system,GPS)的电子罗盘(electronic compass)零组件，用来提供使用者移动方位等信息。目前，市场上已有各式的磁场感测技术，例如，各向异性磁阻(anisotropic magnetoresistance,AMR)感测元件、巨磁阻(GMR)感测元件、磁性隧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁阻式随机存取存储器的布局图案，其特征在于，包含：基底，包含第一单元区、第二单元区、第三单元区以及第四单元区；以及扩散区，设于该基底上并延伸至该第一单元区、该第二单元区、该第三单元区以及该第四单元区，其中该扩散区包含一H形。2.如权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器的布局图案，其中该扩散区包含：第一部分，沿着第一方向由该第一单元区延伸至该第三单元区；第二部分，沿着该第一方向由该第二单元区延伸至该第四单元区；第三部分，沿着第二方向由该第一单元区延伸至该第二单元区并连接该第一部分以及该第二部分；第四部分，沿着该第二方向由该第三单元区延伸至该第四单元区并连接该第一部分以及该第二部分；以及第五部分，沿着该第二方向延伸于该第三部分以及该第四部分之间并连接该第一部分以及该第二部分。3.如权利要求2所述的磁阻式随机存取存储器的布局图案，其中该第五部分重叠该第一单元区、该第二单元区、该第三单元区以及该第四单元区。4.如权利要求2所述的磁阻式随机存取存储器的布局图案，另包含：第一栅极图案，沿着该第二方向由该第一单元区延伸至该第二单元区；第二栅极图案，沿着该第二方向由该第一单元区延伸至该第二单元区；第三栅极图案，沿着该第二方向由该第三单元区延伸至该第四单元区；以及第四栅极图案，沿着该第二方向由该第三单元区延伸至该第四单元区。5.如权利要求4所述的磁阻式随机存取存储器的布局图案，另包含：第一源极区域，设于该第三部分上；第二源极区域，设于该第四部分上；以及第三源极区域，设于该第五部分上。6.如权利要求5所述的磁阻式随机存取存储器的布局图案，另包含：第一金属图案，沿着该第一方向延伸重叠并连接该第一源极区域、该第二源极区域以及该第三源极区域。7.如权利要求6所述的磁阻式随机存取存储器的布局图案，其中该第一金属图案连接源极线。8.如权利要求5所述的磁阻式随机存取存储器的布局图案，另包含：第一漏极区域，设于该第一栅极图案以及该第二栅极图案间的该第一单元区上；第二漏极区域，设于该第一栅极图案以及该第二栅极图案间的该第二单元区上；第三漏极区域，设于该第三栅极图案以及该第四栅极图案间的该第三单元区上；以及第四漏极区域，设于该第三栅极图案以及该第四栅极图案间的该第四单元区上。9.如权利要求8所述的磁阻式随机存取存储器的布局图案，另包含：第二金属图案，沿着该第一方向延伸重叠并连接该第一漏极区域；第三金属图案，沿着该第一方向延伸重叠并连接该第二漏极区域；第四金属图案，沿着该第一方向延伸重叠并连接该第三漏极区域；以及第五金属图案，沿着该第一方向延伸重叠并连接该第四漏极区域。

【专利技术属性】
技术研发人员：曾俊砚，王淑如，郭有策，陈昌宏，吴奕廷，叶书玮，邱雅兰，黄俊宪，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：