【技术实现步骤摘要】
嵌入式存储芯片的集群测试方法、测试终端及存储介质
[0001]本申请涉及嵌入式存储
,尤其涉及一种嵌入式存储芯片的集群测试方法、测试终端及存储介质。
技术介绍
[0002]嵌入式存储芯片(也可称为嵌入式存储器)指的是将控制器芯片、NAND Flash(也可称为NAND闪存)和DDR(Double Data Rate,双倍速率同步动态随机存储器)集成为一体的芯片。随着技术的发展,嵌入式存储芯片已广泛应用于各种电子设备中,例如民用级电子设备、工业级电子设备和军用级电子设备。
[0003]在实际应用中,在嵌入式存储芯片出厂之前,需要对嵌入式存储芯片进行测试,以为用户提供合格的嵌入式存储芯片。但在现有技术中,嵌入式存储芯片的测试仅仅只是针对NAND Flash,也即仅仅测试NAND Flash,因此,现有的测试方法不具备可靠性。
技术实现思路
[0004]为此,本申请提供了一种嵌入式存储芯片的集群测试方法、测试终端及存储介质,该方法能够对嵌入式存储芯片进行性能测试,确保出厂的嵌入式存储芯片具备较好的品质 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种嵌入式存储芯片的集群测试方法,其特征在于,用于测试终端,所述方法包括:连接集群测试装置的电源接口和通信接口,以通过所述电源接口为所述集群测试装置中的多个嵌入式存储芯片提供电源、且通过所述通信接口分别与各所述嵌入式存储芯片通信连接;当所述集群测试装置被置于目标温度时,为各所述嵌入式存储芯片一一分配盘符;所述目标温度大于或等于
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55度且小于或等于125度;并行对各所述嵌入式存储芯片进行老化测试、重启测试、断电测试以及读写性能测试,得到各所述嵌入式存储芯片在所述目标温度下的测试结果。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述集群测试装置还设置有与所述多个嵌入式存储芯片一一对应的多个第一指示灯和/或多个第二指示灯;所述第一指示灯一端与预设电压连接,另一端与嵌入式存储芯片的读写引脚连接;所述第二指示灯一端与嵌入式存储芯片的电源输出引脚连接,另一端与嵌入式存储芯片的接地引脚连接。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述多个嵌入式存储芯片各自通过一电源IC芯片与所述电源接口连接;和/或,所述嵌入式存储芯片的数目为20个。4.根据权利要求1
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3任一项所述的方法,其特征在于,为各所述嵌入式存储芯片一一分配盘符,包括:对各所述嵌入式存储芯片进行分区格式化处理;为已进行分区格式化处理的嵌入式存储芯片分配盘符;和/或,在为各所述嵌入式存储芯片一一分配盘符之后,还包括:若所述多个嵌入式存储芯片中的一部分存在分配失败的情况,则为分配失败的嵌入式存储芯片重新分配盘符,直至成功分配。5.根据权利要求1
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3任一项所述的方法,其特征在于,对嵌入式存储芯片进行老化测试、重启测试、断电测试以及读写性能测试,得到嵌入式存储芯片在所述目标温度下的测试结果,包括:对嵌入式存储芯片进行老化测试、重启测试以及断电测试;若所述测试终端仍能够识别到嵌入式存储芯片对应的盘符,则对嵌入式存储芯片进行读写性能测试,得到嵌入式存储芯片的读写速率;若所述读写速率达标,则得到嵌入式存储芯片在所述目标温度下合格的测试结果,否则得到嵌入式存储芯片在所述目标温度下不合格的测试结果;以及,所述方法还包...
【专利技术属性】
技术研发人员:李修录,吴健全,朱小聪,尹善腾,
申请(专利权)人:深圳市安信达存储技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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