一种过渡金属氧化物ｐ－ｎ异质结及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种过渡金属氧化物ｐ－ｎ异质结，由ｐ型导电材料铋锶钴氧Ｂｉ↓［２］Ｓｒ↓［２］Ｃｏ↓［２］Ｏ↓［８］和ｎ型导电材料掺铌钛酸锶Ｓｒ↓［１－ｘ］Ｎｂ↓［ｘ］ＴｉＯ↓［３］构成。本发明专利技术利用脉冲激光沉积方法在ｎ型导电掺铌钛酸锶Ｓｒ↓［１－ｘ］Ｎｂ↓［ｘ］ＴｉＯ↓［３］基底上外延生长一层高质量的ｐ型导电铋锶钴氧Ｂｉ↓［２］Ｓｒ↓［２］Ｃｏ↓［２］Ｏ↓［８］热电薄膜，从而构成了一种全新的过渡金属氧化物ｐ－ｎ异质结。该异质结在室温及室温以下很宽的温区内均表现出优异的二极管整流特性并能观测到结电阻受电流调制等特性，这些特性表明这种新型氧化物ｐ－ｎ异质结在电子学与电子技术工程方面具有应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及到一种过渡金属氧化物P-n异质结及制备方法，属于氧化物异 质结制备

技术介绍
传统的p-n异质结是由两种导电类型相反的半导体材料如S1、 Ge、 GaAs等叠 加耦合而成。近年来，随着新材料的不断涌现与材料制备工艺的提高，出现了由 两种导电类型相反的过渡金属氧化物材料组合而成的全氧化物p-n异质结。与传 统半导体p-n异质结相比，过渡金属全氧化物P-n异质结具有很好的热稳定性和化 学稳定性。此外，过渡金属氧化物涵盖了诸如介电、铁电、压电、热电、光电、 超导、巨磁电阻等特性和效应，由这些材料叠加耦合在一起组成的P-n异质结具 有特殊的多功能特性L文献l-3 :杨国桢、吕惠宾、陈正豪等低温物理学报25, 338 (2003 ; J. P. Shl, 丫. G. Zhao， H. d. Zhang, andX. P. Zhang Appl. Phys. Lett. 92,132501(2008); J. R. Sun, C. X. Ming, Y. Z. Zhang, and B. G. Shen Appl. Phys. Lett. 87， 222501(200本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种过渡金属氧化物ｐ－ｎ异质结，其特征在于：所述的ｐ－ｎ异质结由ｐ型导电材料铋锶钴氧Ｂｉ↓［２］Ｓｒ↓［２］Ｃｏ↓［２］Ｏ↓［８］和ｎ型导电材料掺铌钛酸锶Ｓｒ↓［１－ｘ］Ｎｂ↓［ｘ］ＴｉＯ↓［３］构成，其中０．０１≥Ｘ≥０．００４。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王淑芳，何立平，陈明敬，于威，李晓苇，傅广生，
申请(专利权)人：河北大学，
类型：发明
国别省市：13[中国|河北]