制备发光二极管光子晶体的装置制造方法及图纸

制备发光二极管光子晶体的装置，涉及一种发光二极管，尤其是涉及一种用全息技术在发光二极管中制备二维光子晶体的装置。提供一种成本低、速度快，用全息的方法制备光子晶体掩膜层的装置。设有激光器，扩束滤波器设于激光器输出光轴上，准直透镜设于扩束滤波器输出光轴上，衍射光学元件设有３个相同的透射光栅，衍射光学元件设于准直透镜的平行光束上，光刻胶层涂于发光二极管芯片表面，设于光栅的３束一级衍射光相遇的干涉区域。只需一次曝光和显影，即可在整个芯片上形成光子晶体图形，制作过程迅速。衍射光学元件上只有三个对称排列的光栅，容易制作。光刻胶易购买，价格低，所用设备简单、便宜，成本低，生产速度快，适合大批量制作ＬＥＤ光子晶体。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种发光二极管，尤其是涉及一种用全息技术在发光二极管(LED)中制备二维光子晶体的装置。
技术介绍
高亮度LED在平板显示、打印、照明、光互连等方面有着大量需求，但由于LED存在表面复合大和提取效率低的问题，虽然它有接近100％的内量子效率，但它的外量子效率很低，只有约1/(4n2)的发射光从LED的表面或底部射出(M Boroditsky and E Yablonovitch，Proc.SPIE，3002119，1997)，大部分光都损失掉了。为提高LED的外量子效率，最近几年专利技术了在LED表面制作二维光子晶体来提高LED的提取效率和减小表面复合的方法(T N Oder，KH Kim，J Y Lin，H X Jiang，III-nitride blue and ultraviolet photonic crystal light emitting diodes，Appl.Phys.Lett.，84(4)466468；H Ichikawa，K Inoshita，T Baba，Reduced surfacerecombination and strongly enhan本文档来自技高网...

【技术保护点】
制备发光二极管光子晶体的装置，其特征在于设有：激光器；扩束滤波器，设于激光器的输出光轴上，用于对激光器射出的光扩束与滤波；准直透镜，设于扩束滤波器的输出光轴上，用于对经扩束的激光准直，形成一束平行光；衍射光学元件，衍射光学元件设有３个相同的透射光栅，其余区域为不透明，３个相同的透射光栅分别间隔１２０°，衍射光学元件设于准直透镜的平行光束上，并相对光轴成对称排列；光刻胶层，涂于发光二极管芯片表面，设于衍射光学元件的３个透射光栅的３束一级衍射光相遇的干涉区域。

【技术特征摘要】
1.制备发光二极管光子晶体的装置，其特征在于设有激光器；扩束滤波器，设于激光器的输出光轴上，用于对激光器射出的光扩束与滤波；准直透镜，设于扩束滤波器的输出光轴上，用于对经扩束的激光准直，形成一束平行光；衍射光学元件，衍射光学元件设...

【专利技术属性】
技术研发人员：张向苏，刘守，刘影，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：实用新型
国别省市：92[中国|厦门]