【技术实现步骤摘要】
基于NbSe2
‑
金属多层结构的电控偏振调制器
[0001]本专利技术涉及调制元件的
，尤其涉及一种基于NbSe2
‑
金属多层结构的电控偏振调制器。
技术介绍
[0002]二维层状材料具有十分优异的光学特性，一种特殊的二维材料分子组成，基于主原子链作为主轴的结构，具有明显的各向异性特性，此外基于材料的压电效应，在沿着主原子链方向施加额外偏置电压时，可以实现对主原子链的拉伸，从而实现对材料结构的主动控制，因此，通过外加电场可以实现对入射到材料上的电磁波实现偏振选择和调制。基于这一特性的二维层状材料偏振调制器得到了研究人员的广泛关注和深入研究。由于目前大多偏振调制器调制范围有限，调制带宽很窄。对于波长较短的电磁波，常用的调制器件晶体价格较贵，且调制深度不可控。而且对于长波长的电磁波，由于现有的金属网栅调制器件，其线间距尺寸固定，因此对于宽带的电磁波，偏振器件的调制深度均较小。因此，现有技术方法中调制元件对电磁波进行调制时存在调制带宽较窄的问题。
技术实现思路
[0003]...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于NbSe2‑
金属多层结构的电控偏振调制器，其特征在于，包括衬底、设置于所述衬底上的NbSe2薄膜层、设置于所述NbSe2薄膜层上端面的第一电极对以及设置于所述衬底下端面的第二电极对；所述NbSe2薄膜层由多层NbSe2薄膜层叠组成；所述第一电极对由第一电极及第二电极组成，所述第一电极与所述第二电极相对的位置处、所述第二电极与所述第一电极相对的位置处均向内凹陷，以形成金属环形电极；所述第二电极对由第三电极及第四电极组成，所述第三电极与所述第四电极相对的位置处、所述第四电极与所述第三电极相对的位置处均向内凹陷，以形成金属环形电极；所述第一电极对及所述第二电极对上施加电压进行电控，以对电磁波进行主动调制。2.根据权利要求1所述的基于NbSe2‑
金属多层结构的电控偏振调制器，其特征在于，所述NbSe2薄膜层所包含薄膜的层数为5
‑
9。3.根据权利要求2所述的基于NbSe2‑
金属多层结构的电控偏振调制器，其特征在于，所述NbSe2薄膜层的厚度为12
‑
50nm。4.根据权利要求2所述的基于NbSe2‑
金属多层结构的电控偏振调制器，其特征在于，所述NbSe2薄膜层采用液相剥离、机械剥离或化学气相沉积法制备...
【专利技术属性】
技术研发人员：张敏，康柳，宋琦，梁华伟，谢心如，陈润，王嘉彤，刘佳睿，陈俊展，
申请(专利权)人：深圳大学，
类型：发明
国别省市：
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