一种含有氰基萘的有机化合物及其在有机发光器件和面板中的应用制造技术

本发明专利技术提供了一种含有氰基萘的有机化合物，具有式Ⅰ所示结构。本发明专利技术提供的含氰基萘的有机化合物，以杂芳基为linker基团，结构中同时引入三嗪、亚杂芳基和氰基萘，获得了较高的电子迁移率，以其制备的有机发光器件具有更低的工作电压、更高的B.I.发光效率和更长的器件寿命。寿命。寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种含有氰基萘的有机化合物及其在有机发光器件和面板中的应用
[0001]本专利技术涉及有机电致发光
，尤其涉及一种含有氰基萘的有机化合物及其在有机发光器件和面板中的应用。

技术介绍

[0002]传统电致发光器件中使用的电子传输材料是Alq3，但Alq3的电子迁移率比较低(大约在l0
‑6cm2/Vs)，使得器件的电子传输与空穴传输不均衡。随着电发光器件产品化和实用化，人们希望得到传输效率更高、使用性能更好的ETL材料，在这一领域，研究人员做了大量的探索性工作。
[0003]基于目前电子传输材料基团片段稳定性较差，分子结构对称化和平面性太强，材料的玻璃化转变温度较低，一般小于85℃，器件运行时，产生的焦耳热会导致分子的降解和分子结构的改变，使面板效率较低和热稳定性较差。长时间使用后很容易结晶，分子间的电荷跃迁机制跟正常运作的非晶态薄膜机制就会产生差异，导致电子传输的性能降低。
[0004]因此，设计开发稳定高效的，能够同时具有高电子迁移率和高玻璃化温度，且与金属Yb或Liq有效掺杂的电子传输材料和/或电子注入材料，降低阈值电压，提高器件效率，延长器件寿命，具有很重要的实际应用价值。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本专利技术要解决的技术问题在于提供一种含有氰基萘的有机化合物及其在有机发光器件和面板中的应用，制备的含有氰基萘的有机化合物具有较高的电子迁移率。
[0006]本专利技术提供了一种含有氰基萘的有机化合物，具有式Ⅰ所示结构：
[0007][0008]其中，Ar1具有式Ⅱ或式Ⅲ所示结构：
[0009][0010]Ar2、Ar3独立的选自取代或非取代的芳基或杂芳基；
[0011]L1、L2、L3独立的选自取代或非取代的亚芳基或亚杂芳基，且L1、L2、L3中的至少一个
选自取代或非取代的亚杂芳基；
[0012]#为连接位置。
[0013]本专利技术提供了一种显示面板，包括有机发光器件，所述有机发光器件包括阳极、阴极，以及位于所述阳极和阴极之间的有机薄膜层，所述有机薄膜层包括电子传输层，所述电子传输层中含有至少一种上述含有氰基萘的有机化合物。
[0014]本专利技术提供了一种显示面板，包括有机发光器件，所述有机发光器件包括阳极、阴极，以及位于所述阳极和阴极之间的有机薄膜层，所述有机薄膜层包括电子注入层，所述电子注入层中含有至少一种上述含有氰基萘的有机化合物。
[0015]本专利技术提供了一种显示装置，包括上述显示面板。
[0016]与现有技术相比，本专利技术提供了一种含有氰基萘的有机化合物，具有式Ⅰ所示结构。本专利技术提供的含氰基萘的有机化合物，以杂芳基为linker基团，结构中同时引入三嗪、亚杂芳基和氰基萘，获得了较高的电子迁移率，以其制备的有机发光器件具有更低的工作电压、更高的B.I.发光效率和更长的器件寿命。
附图说明
[0017]图1为本专利技术提供的有机发光器件的结构示意图。
具体实施方式
[0018]本专利技术提供了一种含有氰基萘的有机化合物，具有式Ⅰ所示结构：
[0019][0020]其中，Ar1具有式Ⅱ或式Ⅲ所示结构：
[0021][0022]Ar2、Ar3独立的选自取代或非取代的芳基或杂芳基；
[0023]L1、L2、L3独立的选自取代或非取代的亚芳基或亚杂芳基，且L1、L2、L3中的至少一个选自取代或非取代的亚杂芳基；
[0024]#为连接位置。
[0025]可选的，所述取代的芳基、杂芳基、亚芳基、亚杂芳基的取代基选自芳基或杂芳基。
[0026]可选的，所述取代的芳基、杂芳基、亚芳基、亚杂芳基的取代基选自苯基、吡咯基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、1,2,3
‑
三嗪基，1,3,5
‑
均三嗪基、1,3,4
‑
三嗪基、萘基、蒽基、菲基、咔唑基和二苯并呋喃基中的一种或多种。
[0027]可选的，所述Ar1具有以下任一结构：
[0028][0029]#为连接位置。
[0030]可选的，所述Ar2、Ar3独立的选自取代或非取代的单环芳基、稠环芳基、稠环杂芳基或含1～3个N原子的单环杂芳基。
[0031]可选的，所述Ar2、Ar3独立的选自取代或非取代的苯基、萘基、吡咯基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、1,2,3
‑
三嗪基，1,3,5
‑
均三嗪基、1,3,4
‑
三嗪基、咔唑基或二苯并呋喃基。
[0032]可选的，所述Ar2、Ar3独立的选自非取代的苯基。
[0033]可选的，所述L1、L2、L3独立的选自取代或非取代的单环亚芳基或含1～3个N原子的单环亚杂芳基；且L1、L2、L3中的至少一个选自取代或非取代的含1～3个N原子的单环亚杂芳基。
[0034]可选的，所述L1、L2、L3中的至少一个选自非取代的含1～3个N原子的单环亚杂芳基。
[0035]可选的，所述L1、L2、L3独立的选自取代或非取代的亚苯基、亚吡咯基、亚吡啶基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚1,2,3
‑
三嗪基，亚1,3,5
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均三嗪基或亚1,3,4
‑
三嗪基；
[0036]且L1、L2、L3中的至少一个选自取代或非取代的亚吡咯基、亚吡啶基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚1,2,3
‑
三嗪基，亚1,3,5
‑
均三嗪基或亚1,3,4
‑
三嗪基。
[0037]可选的，所述L1为亚苯基；L2为亚吡咯基、亚吡啶基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚1,2,3
‑
三嗪基，亚1,3,5
‑
均三嗪基或亚1,3,4
‑
三嗪基；L3为亚苯基。
[0038]可选的，所述L1为亚苯基；L2为亚吡啶基；L3为亚苯基。
[0039]可选的，所述含有氰基萘的有机化合物，具有以下任一结构：
[0040][0041]本专利技术提供的上述N杂联苯类有机化合物可用于有机光电器件的电子注入层或电子传输层。
[0042]本专利技术提供了一种显示面板，包括有机发光器件，所述有机发光器件包括阳极、阴极，以及位于所述阳极和阴极之间的有机薄膜层，所述有机薄膜层包括电子传输层，所述电子传输层中含有至少一种上述有机化合物。
[0043]本专利技术提供了一种显示面板，包括有机发光器件，所述有机发光器件包括阳极、阴极，以及位于所述阳极和阴极之间的有机薄膜层，所述有机薄膜层包括电子注入层，所述电子注入层中含有至少一种上述含有氰基萘的有机化合物。
[0044]本专利技术提供的有机发光器件可以为本领域技术人员熟知的有机发光器件，本专利技术可选的，所述有机发光器件包括基板、ITO阳极、第一空穴传输层、第二空穴传输层、电子阻挡层、发光层、第一电子传输层、第二电子传输层、阴极(镁银电极，镁银质量比为1:9)和盖帽层(C本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含有氰基萘的有机化合物，具有式Ⅰ所示结构：其中，Ar1具有式Ⅱ或式Ⅲ所示结构：Ar2、Ar3独立的选自取代或非取代的芳基或杂芳基；L1、L2、L3独立的选自取代或非取代的亚芳基或亚杂芳基，且L1、L2、L3中的至少一个选自取代或非取代的亚杂芳基；#为连接位置。2.根据权利要求1所述的含有氰基萘的有机化合物，其特征在于，所述取代的芳基、杂芳基、亚芳基、亚杂芳基的取代基选自芳基或杂芳基。3.根据权利要求2所述的含有氰基萘的有机化合物，其特征在于，所述取代的芳基、杂芳基、亚芳基、亚杂芳基的取代基选自苯基、吡咯基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、1,2,3
‑
三嗪基，1,3,5
‑
均三嗪基、1,3,4
‑
三嗪基、萘基、蒽基、菲基、咔唑基和二苯并呋喃基中的一种或多种。4.根据权利要求1所述的含有氰基萘的有机化合物，其特征在于，所述Ar1具有以下任一结构：#为连接位置。5.根据权利要求1所述的含有氰基萘的有机化合物，其特征在于，所述Ar2、Ar3独立的选自取代或非取代的苯基、萘基、吡咯基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、1,2,3
‑
三嗪基，1,3,5
‑
均三嗪基、1,3,4
‑
三嗪基、咔唑基或二苯并呋喃基。6.根据权利要求1所述的含有氰基萘的有机化合物，其特征在于，所述L1、L2、L3独立的
选自取代或非取代的单环亚芳基或含1～3个N原子的单环亚杂芳基；且L1、L2、L3中的至少一个选自取代或非取代的含1...

【专利技术属性】
技术研发人员：张磊，高威，代文朋，翟露，
申请(专利权)人：武汉天马微电子有限公司上海分公司，
类型：发明
国别省市：