一种用于半导体器件生产的自动全加热装置制造方法及图纸

一种用于半导体器件生产的自动全加热装置，属于半导体器件生产设备技术领域。本实用新型专利技术要解决的技术问题是在芯片与支架共晶粘合工序中，对于每排芯片单元数量大的支架，其变形量要小，以满足后工序生产要求。为此，加热炉体上部左右两侧做成悬空形状，其中上部纵向全嵌入至少二根加热块，在加热炉体上部从左至右形成预热区、加热区、散热区。（*该技术在2013年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体器件生产设备
，特别是一种用于半导体器件生产的自动全加热装置。
技术介绍
在半导体器件生产过程中，经常采用共晶工艺。此工艺需要较高的温度，才能将芯片与支架牢固地粘合在一起，确保产品质量。目前生产所采用的支架是每排25个芯片单元，加热炉体内只装有一根加热块，并横向嵌入炉体上中部前侧，只对支架的前部进行加热，其加热过程是由室温突然变为最高加热温度，芯片与支架共晶粘合后，再由最高加热温度陡降为室温，其温度曲线参见图2所示。支架经过加热后虽有变形，但因只有25个芯片单元的长度，累积误差没有超出要求范围，对后工序影响不大。为了降低生产成本，提高效率，需要采用每排50个芯片单元的支架。这种较长的支架经过上述加热炉体加热后，变形明显增大，使后工序无法正常生产。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是在芯片与支架共晶粘合工序中，对于每排芯片单元数量大的支架，要求其变形量要小，以满足后工序生产要求。本技术所提出的技术解决方案是这样的一种用于半导体器件生产的自动全加热装置，包括第1推进器、第1导向轨、加热炉体、第2导向轨、第2推进器、装载器以及温控装置，加热炉体上部左右两侧分别与第1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于半导体器件生产的自动全加热装置，包括第１推进器、第１导向轨、加热炉体、第２导向轨、第２推进器、装载器以及温控装置，加热炉体上部左右两侧分别与第１导向轨和第２导向轨相连接，其特征在于：所述加热炉体上部左右两侧悬空，在该加热炉体中上部嵌装有至少二根加热块，在加热炉体上部从左至右形成预热区、加热区、散热区。

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体器件生产的自动全加热装置，包括第1推进器、第1导向轨、加热炉体、第2导向轨、第2推进器、装载器以及温控装置，加热炉体上部左右两侧分别与第1导向轨和第2导向轨相连接，其特征在于所述加热炉体上部左右两侧悬空，在该加热炉体中上部嵌装有至少二根加热块，在加热炉体上部从左至右形成预热区、加热区、散热区。2.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：雒继军，
申请(专利权)人：佛山市蓝箭电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：44[中国|广东]