【技术实现步骤摘要】
一种双向cll谐振变换器及其控制方法
[0001]本专利技术涉及电力电子软开关
,特别是一种高频隔离谐振软开关技术,具体提供一种双向cll谐振变换器及其控制方法。
技术介绍
[0002]随着科技的进步,电子产品的高频化、小型化、高效率、低噪音成为重要的指标。虽然目前的开关管,例如功率MOSFET或IGBT的发展迅速,其性能、损耗在逐渐降低,但是硬开关损耗仍然是系统提高频率、提升效率的一个瓶颈。
[0003]硬开关技术会造成开关器件产生较大的开关损耗,限制了开关器件的开关频率,也降低了变换器的效率。
[0004]目前双向隔离DC
‑
DC变换器在微电网、电池充放电测试、储能等涉及能量双向流动的测试环境中广泛使用。双向高频隔离DC
‑
DC目前多使用谐振变换技术,但存在的主要问题是谐振功率器件偏多,限制了变换器的功率密度;或者是控制方法复杂增加了设计难度、降低了可靠性。
技术实现思路
[0005]针对以上问题,研发一种谐振功率器件少,控制方法简单的双向高频隔离谐振软开关DC
‑
DC变换器及其控制方法具有较高的研究和应用价值。
[0006]本专利技术的技术任务是针对上述存在的问题,提供一种双向cll谐振变换器及其控制方法。
[0007]为实现上述目的,本专利技术一方面提供了如下技术方案:
[0008]一种双向cll谐振变换器,所述双向cll谐振变换器的结构包括第一母线电容C9、第一H桥、谐振电容Cr、高频变压器T ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种双向cll谐振变换器,其特征在于,所述双向cll谐振变换器的结构包括第一母线电容C9、第一H桥、谐振电容Cr、高频变压器T0、谐振电感Lr、第二H桥、第二母线电容C10,其中,所述谐振电容Cr、高频变压器T0和谐振电感Lr构成谐振腔。2.根据权利要求1所述的一种双向cll谐振变换器,其特征在于,所述第一母线电容C9与所述第一H桥的直流侧V1+和V1
‑
相连,所述第一H桥的左桥臂中点A与所述谐振电容Cr相连,所述谐振电容Cr和所述第一H桥右桥臂中点B与所述高频变压器T0原边相连,所述高频变压器T0的副边与所述第二H桥的右桥臂中点C和所述谐振电感Lr相连,所述谐振电感Lr与所述第二H桥的左桥臂中点D相连,所述第二H桥的直流侧V2+和V2
‑
与所述第二母线电容C10相连。3.基于上述任一权利要求的一种双向cll谐振变换器控制方法,其特征在于,所述双向CLL谐振变换器正向工作时,第一H桥工作在逆变状态,第二H桥工作在整流状态,能量从V1流向V2;所述双向CLL谐振变换器反向工作时,第一H桥工作在整流状态,第二H桥工作在逆变状态,能量从V2流向V1。4.根据权利要求3所述的一种双向cll谐振变换器控制方法,其特征在于,所述双向cll谐振变换器的驱动方式为两组频率固定,占空比为50%的PWM波,第一H桥的结构包括左桥臂开关管T1、T2,右桥臂开关管T3、T4,第二H桥的结构包括左桥臂开关管T5、T6,右桥臂开关管T7、T8,其中T1、T4、T6、T7驱动信号相同,T2、T3、T5、T8驱动信号相同,两组驱动互补导通。5.根据权利要求4所述的一种双向cll谐振变换器控制方法,其特征在于,所述双向CLL谐振变换器正向工作时等效模型为Type
‑
11模型,其构成包括:谐振电容Cr,高频变压器T0原边励磁电感Lm_P,等效谐振电感Lr_eq_P,等效交流阻抗Rac_eq_P,其中,Lr_eq_P为正向工作时谐振电感Lr等效到变压器原边的等效谐振电感,Rac_eq_P为正向运行时副边电路等效到逆变侧的等效交流阻抗。6.根据权利要求5所述的一种双向cll谐振变换器控制方法,其特征在于,所述根据双向CLL谐振变换器正向工作时等效模型等效变换后的结构包括:L2=Lr_eq_P,正向工作时谐振电感Lr等效到变压器T0原边的等效谐振电感;L1=Lm_P,高频变压器T0原边励磁电感;Cr,谐振电容;流过谐振电容Cr的电流为ic,流过高频变压器T0原边励磁电感L1的电流为i1,流过L2的电流为i2,流过二极管D5的电流为i5,流过二极管D7的电流为i7。7.根据权利要求6所述的一种双向cll谐振变换器控制方法,其特征在于,所述双向CLL谐振变换器正向工作时模态如下:分析i1为正时的工作状态,双向CLL谐振变换器正向工作模态:t3
‑
t4阶段:T1、T4、T6、T7开通,ic过峰值后正向减小,t4时刻ic=i1;i1过零后正向增大,ic=i1+i2,t4时刻i1=ic,i2=0;t4时刻:i1=ic,i2=0,D6,D7零电流关断,T6T7一直导通,V2,C10开始放电,变压器副
边线圈开始励磁,产生电流is;t4
‑
t5阶段:变压器反向励磁导致i2过零后负向增加,副边对逆变侧短暂能量回馈,反向电流大小为is,ic继续减小,i1=ic+i2;t5时刻ic=0,i1=i2;t5
‑
t6阶段:i1继续增大,ic过零后负向增加的原因使is在增加,i2,i7负向增大;t6时刻,T1、T4、T6、T7关断,ic和i2,i7到达负向暂态峰值,T6T7硬关断;t6
‑
t8阶段:进入死区T1T4,T6T7关断之后is换流至D5D8,并开始减小;i2也随之负向减小;同时ic负向减小,t7时刻减小至零,随后正向增...
【专利技术属性】
技术研发人员:禹金标,白洪超,赵迎辉,
申请(专利权)人:山东艾诺仪器有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。