太阳能电池及其制备方法、光伏组件技术

本申请提供了太阳能电池及其制备方法、光伏组件，其中，方法包括以下步骤：对制绒后的N型半导体衬底的前表面进行掺杂处理以形成P型发射极；在所述半导体衬底的后表面形成隧穿层；在所述隧穿层的表面沉积形成第一多晶硅层、N型掺杂非晶硅层及第二多晶硅层；退火处理，使得所述N型掺杂非晶硅层中的掺杂元素扩散至所述第一多晶硅层及所述第二多晶硅层，形成复合N型掺杂多晶硅层；在所述P型发射极的表面形成第一钝化层；及在所述复合N型掺杂多晶硅层表面形成第二钝化层。本申请提供的太阳能电池，能降低太阳能电池后表面寄生光学吸收和自由载流子吸收的损耗，提高钝化性能。提高钝化性能。提高钝化性能。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池及其制备方法、光伏组件


[0001]本申请涉及光伏
，具体地讲，涉及太阳能电池及其制备方法、光伏组件。

技术介绍

[0002]TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact隧穿氧化钝化接触)电池依靠“隧穿效应”实现后表面钝化，现有的TOPCon电池后表面结构从内向外依次为半导体衬底，隧穿层，掺杂导电层，后表面钝化层。N型TOPCon电池目前的背面多晶硅掺杂层吸光严重，使得钝化效果差，导致短路电流降低。

技术实现思路

[0003]鉴于此，本申请提出太阳能电池及其制备方法、光伏组件，通过隧穿层表面形成掺杂浓度不同的复合N型掺杂多晶硅层，可以抑制电池背面的吸光现象，提升钝化效果，提高太阳能电池的短路电流。
[0004]第一方面，本申请提供一种太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
[0005]对制绒后的N型半导体衬底的前表面进行掺杂处理以形成P型发射极；
[0006]在所述N型半导体衬底的后表面形成隧穿层；
[0007]在所述隧穿层的表面沉积形成第一多晶硅层、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：对制绒后的N型半导体衬底的前表面进行掺杂处理以形成P型发射极；在所述N型半导体衬底的后表面形成隧穿层；在所述隧穿层的表面沉积形成第一多晶硅层、N型掺杂非晶硅层及第二多晶硅层，其中，所述第二多晶硅层位于远离所述隧穿层的最外层；退火处理，使得所述N型掺杂非晶硅层中的掺杂元素扩散至所述第一多晶硅层及所述第二多晶硅层，形成复合N型掺杂多晶硅层，所述复合N型掺杂多晶硅层中各个掺杂多晶硅层的掺杂浓度不同；在所述P型发射极的表面形成第一钝化层；及在所述复合N型掺杂多晶硅层表面形成第二钝化层。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，其满足以下特征中的至少一种：(1)所述第一多晶硅层为本征多晶硅层；(2)所述第一多晶硅层的厚度为10nm～30nm；(3)所述第一多晶硅层的折射率为3.8～4.0。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，其满足以下特征中的至少一种：(1)所述N型掺杂非晶硅层的厚度为70nm～90nm；(2)所述N型掺杂非晶硅层的折射率为4.1～4.4。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，其满足以下特征中的至少一种：(1)所述第二多晶硅层为本征多晶硅层或P型掺杂多晶硅层；(2)所述第二多晶硅层的厚度为20nm～40nm；(3)所述第二多晶硅层的折射率为3.7～3.8。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述复合N型掺杂多晶硅层包括层叠设置的第一掺杂多晶硅层、第二掺杂多晶硅层及第三掺杂多晶硅层，其满足以下特征中的至少一种：(1)所述第一掺杂多晶硅层由所述第一多晶硅层掺杂形成，所述第一掺杂多晶硅层的折射率为3.8～3.9；和/或，所述第一掺杂多晶硅层中的掺杂元素的掺杂浓度小于等于1
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atoms/cm3；(2)所述第二掺杂多晶硅层由所述N型掺杂非晶硅层形成，所述第二掺杂多晶硅层的折射率为3.6～3.7；和/或，所述第二掺杂多晶硅层中的掺杂元素的掺杂浓度为2
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atoms/cm3；(3)所述第三掺杂多晶硅层由所述第二多晶硅层掺杂形成，所述第三掺杂多晶硅层的折射率为3.7～3.8；和/或，所述第三掺杂多晶硅层中的掺杂元素的掺杂浓度为3
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atoms/cm3。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述复合N型掺杂多晶硅层的折射率为3.5～3.7。7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述隧穿层的表面沉积形成第一多晶硅层、N型掺杂非晶硅层及第二多晶硅层，包括：在所述隧穿层的表面沉积形成第一多晶硅层，控制沉积温度为580℃～620℃，沉积时间...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨楠楠，金井升，张昕宇，
申请(专利权)人：晶科能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：