【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种用于硅片单面大面积均匀腐蚀的装置。
技术介绍
硅片单面腐蚀是研制各种微型传感器、微执行器和微机械结构，特别涉及SOI硅片背体硅腐蚀的关键工艺之一。目前的硅片单面腐蚀一般是通过在需要保护的硅片背面生长上一层如氧化硅膜、氮化硅膜和金属膜等作为保护膜，腐蚀完后使用化学试剂把保护膜去掉；或者 是直接在硅片上涂覆一层光刻胶或黑胶作为保护，腐蚀完后使用溶剂把保护胶溶解去掉等。 这些方法都存在以下几个问题(1)涂敷或生长保护膜，即增加了工艺流程，也增加了工艺 成本。(2)涂敷或生长保护膜，需要用到昂贵的微机电加工设备。(3)涂敷或生长的保护膜 的抗腐蚀性能有限，特别是对400多微米厚以上的硅腐蚀时，由于长达10多个小时的腐蚀， 因此需要生长很厚或者多层保护膜来做保护，即增加了工艺流程，也增加了工艺成本。(4) 去掉保护膜时，化学试剂或溶剂对背面结构层有时会造成损伤，影响到芯片质量。(5)去掉 保护膜时，由于需要使用到化学试剂或溶剂，即增加了工艺成本，也会造成环境污染。
技术实现思路
本技术的目的旨在提供一种结构简单、使用方便，不用涂敷或生长保护膜就可实现 硅片单...
【技术保护点】
硅片单面漂浮腐蚀装置，其特征在于设有漂浮体、真空吸附件和密封垫圈，漂浮体为中空桶形体，漂浮体底部设有开口，漂浮体顶部设有槽口；真空吸附件设有真空吸盘和带有弹力的拉杆，拉杆顶部设一挂钩，真空吸盘的底部面积小于漂浮体底部开口面积，真空吸附件嵌设与漂浮体内，挂钩固定在漂浮体顶部的槽口上，密封垫圈位于漂浮体底部。
【技术特征摘要】
1. 硅片单面漂浮腐蚀装置，其特征在于设有漂浮体、真空吸附件和密封垫圈，漂浮体为 中空桶形体，漂浮体底部设有开口，漂浮体顶部设有槽口；真空吸附件设有真空吸盘和带有 弹力的拉杆，拉杆顶部设一挂钩，真空吸盘的...
【专利技术属性】
技术研发人员：张玉龙，李燕飞，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：实用新型
国别省市：92[中国|厦门]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。