【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施例涉及化学机械抛光垫以及相关的化学机械装置。
技术介绍
化学机械平整(CMP)用于在集成电路和显示器的制造中平整衬底的表面。典型的CMP装置包括抛光头，该抛光头振荡衬底以及抛光垫并压迫衬底和抛光垫使其相互抵靠，同时在其间施加研磨颗粒浆液。CMP可以用于平整电介质层、填充有多晶硅或氧化硅的深或浅沟槽、金属膜和其他这样的层的表面。人们认为，CMP抛光通常是作为化学和机械作用的结果而发生，例如在要抛光的材料表面处反复形成化学改性层并随后被抛光掉。例如，在金属特征或层的抛光中，从要抛光的金属表面反复形成和去除金属氧化层。为了控制浆液分布，抛光垫表面通常具有穿孔或凹槽图案，以控制沿衬底的抛光浆液分布。CMP抛光结果取决于压靠衬底的抛光垫的抛光表面、抛光浆液的研磨颗粒以及衬底的反应性材料之间的化学和机械接触。沿衬底表面的抛光浆液的不均匀分布可能导致衬底表面的不均匀抛光。因此，希望具有能够提供沿衬底表面的浆液均匀分布的抛光垫的抛光表面。已经发展出几个垫设计，以提供沿衬底表面的更均匀的抛光浆液分布。关于例子，共同转让的美国专利号5,984,769中公开的一种垫设...
【技术保护点】
一种化学机械抛光垫，其特征在于，该化学机械抛光垫包括： （ａ）主体，包括具有半径以及中心区域和周边区域的抛光表面，所述抛光表面包括： （ｉ）多个主径向线槽道，其从所述中心区域径向地向外延伸到所述周边区域，每个主径向线槽道都在所述周边区域具有倾斜外部分；以及 （ｉｉ）多个初级分支径向线槽道，其每个都通过倾斜过渡部分而连接到主径向线槽道，所述初级分支径向线槽道与所述主径向线槽道间隔开。
【技术特征摘要】
US 2005-1-14 11/036,9031.一种化学机械抛光垫，其特征在于，该化学机械抛光垫包括(a)主体，包括具有半径以及中心区域和周边区域的抛光表面，所述抛光表面包括(i)多个主径向线槽道，其从所述中心区域径向地向外延伸到所述周边区域，每个主径向线槽道都在所述周边区域具有倾斜外部分；以及(ii)多个初级分支径向线槽道，其每个都通过倾斜过渡部分而连接到主径向线槽道，所述初级分支径向线槽道与所述主径向线槽道间隔开。2.如权利要求1所述的化学机械抛光垫，其特征在于，其中所述初级分支径向槽道基本平行于所述主径向线槽道。3.如权利要求1所述的化学机械抛光垫，其特征在于，还包括多个次级分支径向线槽道，其每个都通过第二倾斜过渡部分而连接到初级径向线槽道。4.如权利要求3所述的化学机械抛光垫，其特征在于，其中选择所述初级和次级分支径向线槽道的长度和分叉点以使得沿所述抛光垫表面提供抛光浆液的均匀分布。5.如权利要求1所述的化学机械抛光垫，其特征在于，其中所述倾斜外部分形成包括从约5°到约60°的平均切向角的切向弧。6.如权利要求1所述的化学机械抛光垫，其特征在于，其中所述主径向线槽道包括多个倾斜内部分，其包括彼此相对的从约2°到约45°的角。7.如权利要求1所述的化学机械抛光垫，其特征在于，包括沿所述抛光表面的每10度弧的从1个至10个的主径向线槽道。8.如权利要求7所述的化学机械抛光垫，其特征在于，包括沿所述抛光表面的每10度弧的从1个至10个初级分支径向线槽道。9.如权利要求8所述的化学机械抛光垫，其特征在于，包括沿所述抛光表面的每10度弧的从1个至10个次级分支径向线槽道。10.一种化学机械装置，其特征在于，包括如权利要求1所述的抛光垫，并且还包括(i)抛光站，其包括保持所述抛光垫的压板以及保持衬底抵靠所述抛光垫的支撑；(ii)浆液分配器，其在所述抛光垫上分配浆液；以及(iii)抛光马达，其驱动所述压板和所述支撑中的至少一个，以相互抵靠地振荡所述抛光垫和所述衬底。11.一种化学机械抛光垫，其特征在于，包括(a)主体，包括(i)抛光表面，其具有半径、中心区域以及周边区域，所述抛光表面包括从所述中心区域向外径向地延伸到所述周边区域的多个主径向线槽道以及多个初级分支径向线槽道，每个主径向线槽道在所述周边区域具有倾斜外部分，所述倾斜外部分以相对于所述抛光表面的半径的一角度导向，每个所述初级分支径向线槽道通过倾斜过渡部分而连接到主径向线槽道；以及(ii)底部表面，与所述抛光表面相反，所述底部表面包括压力负载调节特征的形式，所述特征包括多个突出和凹陷，其中所述凹陷的大小和形状被设计成容纳所述突出在施加压力到所述抛光表面时的侧向膨胀。12.如权利要求11所述的化学机械抛光垫，其特征在于，其中所述特征的形式包括由多个垂直和水平线...
【专利技术属性】
技术研发人员：蒂莫西詹姆斯多诺休，文卡塔R巴拉伽纳，罗麦恩比优德洛莫尼，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：实用新型
国别省市：US[美国]
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