【技术实现步骤摘要】
一种三电平功率单元模块和变频器
[0001]本技术涉及变频器领域,尤其涉及一种三电平功率单元模块和变频器。
技术介绍
[0002]功率模块是中高压大电流三电平四象限变频器整机中的核心部件。一般包括散热器、半导体开关元件和叠层母排,各元件连接散热器进行散热,各元件之间通过叠层母排电连接。作为功率模块中的关键元件的半导体开关元件的载流能力是否被合理充分利用,决定了产品的竞争力,载流能力往往受限于电气连接母排的杂散电感,而杂散电感与叠层母排的电流流向、层叠关系、半导体开关元件的布置方式等密切相关。
[0003]现有的半导体开关元件由于布局原因,导致杂感大并且还存在布局空间浪费的问题,降低了整个功率单元模块的功率密度。
技术实现思路
[0004]为了解决由于布局原因造成的功率模块杂散电感大和布局空间浪费的问题,本申请提供了一种三电平功率单元模块和变频器。
[0005]根据本申请实施例的一个方面,提供了一种三电平功率单元模块,所述功率单元模块包括散热器、第一半导体开关元件组、第二半导体开关元件组、第三半导体 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种三电平功率单元模块,所述功率单元模块包括散热器、第一半导体开关元件组、第二半导体开关元件组、第三半导体开关元件组和叠层母排;所述叠层母排包括P直流铜排、N直流铜排、0电铜排、AC交流铜排、A连接铜排和B连接铜排,其特征在于,所述第一半导体开关元件组、所述第二半导体开关元件组和所述第三半导体开关元件组以单行或单列矩阵方式依次排列于所述散热器单侧表面;所述P直流铜排、所述B连接铜排和所述AC交流铜排位于第一平面;所述0电铜排和所述A连接铜排位于第二平面;所述N直流铜排位于第三平面;所述第一平面、所述第二平面和所述第三平面之间互相平行且不在同一平面。2.根据权利要求1所述的三电平功率单元模块,其特征在于,所述第一半导体开关元件组、所述第二半导体开关元件组和所述第三半导体开关元件组包含的半导体开关元件为双管绝缘栅双极型晶体管。3.根据权利要求2所述的三电平功率单元模块,其特征在于,所述P直流铜排与所述第三半导体开关元件组包含的所述双管绝缘栅双极型晶体管的第三引脚电连接;所述N直流铜排与所述第二半导体开关元件组包含的所述双管绝缘栅双极型晶体管的第二引脚电连接;所述0电铜排分别与所述第二半导体开关元件组包含的所述双管绝缘栅双极型晶体管的第三引脚和所述第三半导体开关元件组包含的所述双管绝缘栅双极型晶体管的第二引脚电连接;所述AC交流铜排与所述第一半导体开关元件组包含的所述双管绝缘栅双极型晶体管的第一引脚电连接;所述A连接铜排分别与所述第一半导体开关元件组包含的所述双管绝缘栅双极型晶体管的第二引脚和所述第二半导体开关元件组包含的所述双管绝缘栅双极型晶体管的第一引脚电连接;所述B连接铜排分别与所述第一半导体开关元件组包含的所述双管绝缘栅双极型晶体管的第三引脚和所述第三半导体开关元件组包含的所述双管绝缘栅双极型晶体管的第一引脚电连接;其中,所述双管绝缘栅双极型晶体管包括第一绝缘栅双极型晶体管和第二绝缘栅双极型晶体管;所述双管绝缘栅双极型晶体管包括第一引脚、第二引脚和第三引脚;所述第一引脚连接所述第一绝缘栅双极型晶体管的发射极和所述第二绝缘栅双极型晶体管的集电极;所述第二引脚连接所述第二绝缘栅双极型晶体管的发射极;所述第三引脚连接所述第一绝缘栅双极型晶体管的集电极。4.根据权利要求3所述的三电平功率单元模块,其特征在于,所述P直流铜排位于所述第三半...
【专利技术属性】
技术研发人员:王双锋,
申请(专利权)人:苏州伟创电气科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。