一种应用于光载射频系统的激光器频移抑制系统技术方案

本实用新型专利技术提供了一种应用于光载射频系统的激光器频移抑制系统，属于激光技术领域，包括激光器模块、波长及功率监控模块、主控电路、ATC电路(TEC控制器)以及APC电路；所述激光器模块与所述波长及功率监控模块通过光耦合器耦合，所述波长及功率监控模块与所述主控电路连接，所述主控电路分别与ATC电路以及APC电路连接；所述ATC电路以及APC电路均与所述激光器模块连接，所述ATC电路位于所述激光器模块外部，激光二极管、PIN管、TEC芯片和热敏电阻封装于激光器模块内部。本实用新型专利技术解决了现有激光器模块频移抑制系统中激光器模块在高低温情况下的稳定性较差的问题。情况下的稳定性较差的问题。情况下的稳定性较差的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种应用于光载射频系统的激光器频移抑制系统


[0001]本技术属于激光
，尤其涉及一种应用于光载射频系统的激光器频移抑制系统。

技术介绍

[0002]随着激光技术与微波技术的深度融合，激光器模块为光载射频/光载无线电 (RoF)系统的大规模应用提供了必要的技术支撑，属于RoF系统中的关键器件，而激光器模块的频移现象导致输出光频变化，使整个RoF系统的相位噪声及载噪比劣化，如何抑制激光器模块的频移现象已经成为RoF大规模应用必须解决的首要问题。
[0003]传统的激光器模块频移抑制方法是采用运算放大器进行激光器模块的功率控制，这种方法在环境要求不严格时很有效，但在环境要求高的场合，受环境温度的影响较大，激光器模块的稳定性较差。

技术实现思路

[0004]针对现有技术中的上述不足，本技术提供的一种应用于光载射频系统的激光器频移抑制系统，解决了现有激光器模块频移抑制系统中激光器模块在高低温情况下的稳定性较差的问题。
[0005]为了达到以上目的，本技术采用的技术方案为：
[0006]本方案提供一种应用于光载射本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种应用于光载射频系统的激光器频移抑制系统，其特征在于，包括激光器模块、波长及功率监控模块、主控电路、ATC电路以及APC电路；所述激光器模块与所述波长及功率监控模块通过光耦合器耦合，所述波长及功率监控模块与所述主控电路连接，所述主控电路分别与ATC电路以及APC电路连接；所述ATC电路以及APC电路均与所述激光器模块连接。2.根据权利要求1所述的应用于光载射频系统的激光器频移抑制系统，其特征在于，所述ATC电路温控芯片采用型号为ADN8830的控制芯片U2、型号为FDW2520C的热电冷却器控制芯片Q3；所述芯片U2的第1引脚与电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端与三极管Q1的基极连接，所述三极管Q1的发射极连接+5V电源，所述三极管Q1的集电极分别与主控电路以及电阻R4的一端连接，所述电阻R4的另一端与发光二极管D1的正极连接，所述发光二极管D1的负极接地，所述芯片U2的第2引脚分别与激光器模块以及电阻R13的一端连接，电阻R13的另一端与电阻R19的另一端、所述芯片U2的第7引脚以用电阻R5的另一端连接，所述芯片U2的第3引脚与电阻R14的一端连接，所述电阻R14的另一端连接+3.3V电源，所述芯片U2的第4引脚分别与电阻R16的一端以及电阻R19的一端连接，所述电阻R16的另一端接地，所述芯片U2的第7引脚接地电容C6连接，所述芯片U2的第8引脚分别与+3.3V电源以及接地电容C7连接，所述芯片U2的第5引脚与电阻R21的一端连接，所述电阻R21的另一端与三极管Q4的基极连接，所述三极管Q4的发射极与+5V电源连接，所述三极管Q4的集电极与电阻R28的一端连接，所述电阻R28的另一端与发光二极管D4的正极连接，所述发光二极管D4的负极接地，所述芯片U2的第9引脚分别与接地电容C17、激光器模块、三极管Q6的集电极、电容C16的一端以及三极管Q5的发射极连接，所述三极管Q6的发射极接地，所述三极管Q6的基极与所述芯片U2的第10引脚连接，所述芯片U2的第11引脚分别与电容C16的另一端以及三极管Q5的基极连接，所述三极管Q5的集电极连接+5V电源，所述芯片U2的第12引脚分别与电容C14的一端以及电阻R22的一端连接，所述电容C14的另一端与电阻R27的一端连接，所述电阻R27的另一端分别与电阻R22的另一端、所述芯片U2的第13引脚、电阻R24的一端以及电容C13的一端连接，所述电阻R24的另一端与电容C15的一端连接，所述电容C15的另一端分别电容C13的另一端以及所述芯片U2的第14引脚连接，所述芯片U2的第15引脚与电阻R50的一端连...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈君洪，谢虹阳，
申请(专利权)人：成都川美新技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：