双5G信号合成器制造技术

本实用新型专利技术提供双5G信号合成器，涉及5G通信技术领域，包括信号合成器本体，所述信号合成器本体靠近前表面的一个拐角处开设有侧口，所述信号合成器本体的前表面靠近侧口的一侧和信号合成器本体的两侧外表面均开设有多个环形卡槽，多个所述环形卡槽的内部底面中心处均开设有通孔，多个所述通孔均贯穿至信号合成器本体的内部，本实用新型专利技术，通过双5G信号合成器将5G信号从侧面引出，再通过电缆和绕线负载桥接，使得双5G信号之间高互调与双信号间产生隔离，解决了传统的合成器对双5G信号的隔离不充分，导致高互调和双信号间发生相互干扰现象，使得输出的双5G信号波动性很大，极其不稳定，严重影响了人们正常使用的问题。严重影响了人们正常使用的问题。严重影响了人们正常使用的问题。

【技术实现步骤摘要】
双5G信号合成器


[0001]本技术涉及5G通信
，尤其涉及双5G信号合成器。

技术介绍

[0002]5G通信技术，简称5G是一种具有高速率、低时延和大连接特点的新一代宽带移动通信技术，是实现人机物互联的网络基础设施，5G作为一种新型移动通信网络，不仅要解决人与人通信，为用户提供增强现实、虚拟现实、超高清(3D)视频等更加身临其境的极致业务体验，更要解决人与物、物与物通信问题，满足移动医疗、车联网、智能家居、工业控制、环境监测等物联网应用需求。
[0003]但目前的5G通信在实际使用过程中，涉及到双5G信号合成时，由于合成器对双5G信号的隔离不充分，导致高互调和双信号间发生相互干扰现象，使得输出的双5G信号波动性很大，极其不稳定，严重影响了人们的正常使用。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是，通过双5G信号合成器将5G信号从侧面引出，再通过电缆和绕线负载桥接，使得双5G信号之间高互调与双信号间产生隔离，解决了传统的合成器对双5G信号的隔离不充分，导致高互调和双信号间发生相互干扰现象，使得输出的双5G信号波动性很大本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.双5G信号合成器，包括信号合成器本体(1)，其特征在于：所述信号合成器本体(1)靠近前表面的一个拐角处开设有侧口(5)，所述信号合成器本体(1)的前表面靠近侧口(5)的一侧和信号合成器本体(1)的两侧外表面均开设有多个环形卡槽(2)，多个所述环形卡槽(2)的内部底面中心处均开设有通孔(3)，多个所述通孔(3)均贯穿至信号合成器本体(1)的内部，所述信号合成器本体(1)的前表面和两侧外表面靠近通孔(3)的内壁处沿圆周方向均等距开设有多个连接孔(4)，所述信号合成器本体(1)的底部位于两个拐角处均开设有底孔(11)，两个所述底孔(11)均贯穿至信号合成器本体(1)的内部。2.根据权利要求1所述的双5G信号合成器，其特征在于：所述信号合成器本体(1)的顶部靠近四侧外表面边缘处均等距开设有多个对接孔(7)，所述信号合成器本体(1)的四侧内壁均等距固定有多个加强块(10)。3.根据权利要求1所述的双5G信号合成器，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶长顶，龚燕飞，龚月霞，
申请(专利权)人：南通菲亚特通讯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：