接触孔制作方法和接触孔连接结构技术

本发明专利技术公开了一种接触孔制作方法，包括：按设计工艺形成多晶硅、有源区和高阻连接层；多晶硅、有源区和高阻连接层上形成接触孔，所述接触孔竖直方向剖面底部宽度小于接触孔顶底部宽度；接触孔底部宽度为设计宽度。本发明专利技术还提供了一种接触孔连接结构。本发明专利技术通过改变接触孔和高阻连接层的结构，在不改变工艺的前提下，能在多晶硅和有源区接触孔对准的同时能避免高阻连接层的接触孔发生偏移，使接触孔对准高阻连接层，满足设计要求，提高器件的性能。提高器件的性能。提高器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
接触孔制作方法和接触孔连接结构


[0001]本专利技术涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种接触孔制作方法。本专利技术还涉及一种接触孔连接结构。

技术介绍

[0002]随着集成电路的制作向超大规模集成电路(ULSI)发展，集成电路设计与制造的最低线宽持续缩小，内部的电路密度越来越大，所含元件数量不断增加，使得晶片的表面无法提供足够的面积来制作所需的互连线。因此，为了配合元件缩小后所增加的互连线需求，两层以上的多层金属互连线的设计便成为超大规模集成电路技术所必须采用的方法。
[0003]目前，不同金属层之间的导通是通过在两层金属层之间的绝缘层挖一开口并填入导电材料，形成导通两金属层的接触孔(Contact Hole，简称CT)结构而实现的。接触孔工艺将位于硅片上的各种器件的各个电极引出至介质层上，利用多层金属互联将集成电路的电极引出，以便于后续进行封装。上述接触孔结构的形成质量对于电路的性能影响很大，如果接触孔的形成质量较差，会导致电路整体电阻值上升，严重时器件将不能正常工作。在22nm工艺下，制作接触孔时难于同时准确对准多晶硅、有源区和高阻连接层(Hi
‑
R)，在多晶硅、有源区保证对准的情况下，连接高阻连接层(Hi
‑
R)的接触孔会发生偏移参考图1所示。

技术实现思路

[0004]在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念,该简化形式的概念均为本领域现有技术简化，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
[0005]本专利技术要解决的技术问题是提供一种用于22纳米及以下技术节点，在不改变工艺的前提下通过改变结构，能同时准确对准多晶硅、有源区和高阻连接层的接触孔制作方法。
[0006]以及，一种利用所述接触孔制作方法制作的接触孔连接结构。
[0007]为解决上述技术问题，本专利技术提供的接触孔制作方法，包括以下步骤：
[0008]S1，按设计工艺形成多晶硅、有源区和高阻连接层；
[0009]S2，多晶硅、有源区和高阻连接层上形成接触孔，所述接触孔竖直方向剖面底部宽度小于接触孔顶底部宽度；
[0010]其中，接触孔底部宽度为设计宽度。
[0011]可选择的，进一步改进所述的接触孔制作方法，所述接触孔在器件竖直方向剖面形成为倒梯形。
[0012]可选择的，进一步改进所述的接触孔制作方法，在器件竖直方向相邻接触孔之间的高阻连接层的宽度小于接触孔下方高阻连接层的宽度。
[0013]可选择的，进一步改进所述的接触孔制作方法，在器件竖直方向相邻接触孔之间的高阻连接层在俯视角度形成为哑铃型。
[0014]可选择的，进一步改进所述的接触孔制作方法，所述接触孔能通过聚焦离子束制作。
[0015]可选择的，进一步改进所述的接触孔制作方法，所述高阻连接层是氮化钛层。
[0016]为解决上述技术问题，本专利技术提供一种接触孔连接结构，包括：
[0017]高阻连接层，其用于连接各接触孔；
[0018]接触孔，其用于连接不同金属层，其在在器件竖直方向剖面形成为倒梯形。
[0019]可选择的，进一步改进所述的接触孔连接结构，在器件竖直方向相邻接触孔之间的高阻连接层的宽度小于接触孔下方高阻连接层的宽度。
[0020]可选择的，进一步改进所述的接触孔连接结构，在器件竖直方向相邻接触孔之间的高阻连接层在俯视角度形成为哑铃型。
[0021]可选择的，进一步改进所述的接触孔连接结构，所述高阻连接层是氮化钛层。
[0022]本专利技术通过改变接触孔和高阻连接层的结构(参考图1、图2、图4和图5)，在不改变工艺的前提下，能在多晶硅和有源区接触孔对准的同时能避免高阻连接层的接触孔发生偏移，使接触孔对准高阻连接层，满足设计要求，提高器件的性能。
附图说明
[0023]本专利技术附图旨在示出根据本专利技术的特定示例性实施例中所使用的方法、结构和/或材料的一般特性，对说明书中的描述进行补充。然而，本专利技术附图是未按比例绘制的示意图，因而可能未能够准确反映任何所给出的实施例的精确结构或性能特点，本专利技术附图不应当被解释为限定或限制由根据本专利技术的示例性实施例所涵盖的数值或属性的范围。下面结合附图与具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明：
[0024]图1是现有技术接触孔与高阻连接层发生偏情况示意图。
[0025]图2是现有技术接触孔与高阻连接层俯视结构示意图。
[0026]图3是本专利技术流程示意图。
[0027]图4是本专利技术结构示意图一。
[0028]图5是本专利技术结构示意图二。
[0029]附图标记说明
[0030]1是接触孔
[0031]2是高阻连接层。
具体实施方式
[0032]以下通过特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容充分地了解本专利技术的其他优点与技术效果。本专利技术还可以通过不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点加以应用，在没有背离专利技术总的设计思路下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。本专利技术下述示例性实施例可以多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的具体实施例。应当理解的是，提供这些实施例是为了使得本专利技术的公开彻底且完整，并且将这些示例性具体实施例的技术方案充分传达给本领域技术人员。应当理解的是，当元件被称作“连接”或“结合”到另一元件时，该元件可
以直接连接或结合到另一元件，或者可以存在中间元件。不同的是，当元件被称作“直接连接”或“直接结合”到另一元件时，不存在中间元件。在全部附图中，相同的附图标记始终表示相同的元件。
[0033]第一实施例；
[0034]如图3所示，本专利技术提供一种接触孔制作方法，包括以下步骤：
[0035]S1，按设计工艺形成多晶硅、有源区和高阻连接层；
[0036]S2，多晶硅、有源区和高阻连接层上形成接触孔，所述接触孔竖直方向剖面底部宽度小于接触孔顶底部宽度；
[0037]其中，接触孔底部宽度为设计宽度。
[0038]第二实施例；
[0039]继续参考图3所示，本专利技术提供一种接触孔制作方法，包括以下步骤：
[0040]S1，按设计工艺形成多晶硅、有源区和高阻连接层；
[0041]S2，多晶硅、有源区和高阻连接层上形成接触孔，所述接触孔竖直方向剖面底部宽度小于接触孔顶底部宽度形成为倒梯形；
[0042]其中，接触孔底部宽度为设计宽度。
[0043]第三实施例；
[0044]本专利技术提供一种接触孔制作方法，包括以下步骤：
[0045]S1，按设计工艺形成多晶硅、有源区和高阻连接层，在器件竖直方向相邻接触孔之间的高阻连接层的宽度小于接触孔本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种接触孔制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，按设计工艺形成多晶硅、有源区和高阻连接层；S2，多晶硅、有源区和高阻连接层上形成接触孔，所述接触孔竖直方向剖面底部宽度小于接触孔顶底部宽度；其中，接触孔底部宽度为设计宽度。2.如权利要求1所述的接触孔制作方法，其特征在于：所述接触孔在器件竖直方向剖面形成为倒梯形。3.如权利要求1所述的接触孔制作方法，其特征在于：在器件竖直方向相邻接触孔之间的高阻连接层的宽度小于接触孔下方高阻连接层的宽度。4.如权利要求1所述的接触孔制作方法，其特征在于：在器件竖直方向相邻接触孔之间的高阻连接层在俯视角度形成为哑铃型。5.如权利要求1所述的接触孔制作方...

【专利技术属性】
技术研发人员：林筱竹，刘大伟，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：