一种基于偏转栅极的全向电子发射装置制造方法及图纸

本发明专利技术属于电子发射器技术领域，具体地说，涉及一种基于偏转栅极的全向电子发射装置，该装置包括：全向偏转栅极(1)、电子枪(2)、结构壳体(3)和逻辑控制器(4)；结构壳体(3)的顶部设有开口，电子枪(2)设置在结构壳体(3)内，且电子枪(2)的电子束发射开口位于结构壳体(3)的中心轴线上，结构壳体(2)顶部设有的开口和电子枪(2)的电子束发射开口在同一个方向上，且二者重叠；全向偏转栅极(1)设置在电子枪(2)的电子束发射开口之上；全向偏转栅极(1)和逻辑控制器(4)电性连接或远程通信连接；所述逻辑控制器(4)，用于将产生不同的36路高压电源加载到全向偏转栅极(1)，形成360度全向的偏转电场。转电场。转电场。

【技术实现步骤摘要】
一种基于偏转栅极的全向电子发射装置


[0001]本专利技术属于电子发射器
，具体地说，涉及一种基于偏转栅极的全向电子发射装置。

技术介绍

[0002]电子发射器(俗称“电子枪”)，是一种通用的实验用仪器。传统的电子发射器是将一定能量的电子沿着“电子枪”开口的轴线方向发射。如果实现不同方向的电子发射，可以通过机构旋转电子枪本体，或者进行静电偏转和磁场偏转，进行一定角度范围内的方向调整。但是，现有的传统技术体积较大，不适用于高精度的空间探测领域，无法实现360度全向发射的空间探测，且发射电子的能量不可调节，不具备任意能量电子向任意方向发射的能力。
[0003]当前，由于空间探测的任务需求，需要一种能够实现全向发射的电子发射器，且发射电子的能量可以调节。从而实现在空间中，任意能量电子向任意方向发射的能力。

技术实现思路

[0004]为解决现有技术存在的上述缺陷，本专利技术提出了一种基于偏转栅极的全向电子发射装置，该装置能够实现不同能量电子的全向发射，实现360度全向发射的空间探测，且发射电子的能量可任意调节，具备任意能量本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于偏转栅极的全向电子发射装置，其特征在于，该装置包括：全向偏转栅极(1)、电子枪(2)、结构壳体(3)和逻辑控制器(4)；结构壳体(3)的顶部设有开口，电子枪(2)设置在结构壳体(3)内，且电子枪(2)的电子束发射开口位于结构壳体(3)的中心轴线上，结构壳体(3)顶部设置的开口和电子枪(2)的电子束发射开口在同一个方向上，且二者在同一水平面重叠；全向偏转栅极(1)设置在电子枪(2)的电子束发射开口之上；全向偏转栅极(1)和逻辑控制器(4)电性连接或远程通信连接；所述逻辑控制器(4)，用于将产生不同的36路高压电源加载到全向偏转栅极(1)，形成360度全向的偏转电场，使电子枪(2)发射的电子束按照预定的方向偏转。2.根据权利要求1所述的基于偏转栅极的全向电子发射装置，其特征在于，所述全向偏转栅极(1)包括：圆环(11)和36支偏转栅极(12)；所述结构壳体(3)的顶部的圆周壁上沿轴向开设36个呈圆周分布的第一圆孔，且所述圆环(11)上沿轴向开设36个呈圆周分布的第二圆孔；将每支偏转栅极(12)的一端穿过对应的第一圆孔，插入并固定在对应的第二圆孔内；每支偏转栅极(12)的另一端沿径向向外延伸；36支偏转栅极(12)彼此绝缘且相互组合在一起形成伞状花序状结构。3.根据权利要求2所述的基于偏转栅极的全向电子发射装置，其特征在于，所述36支偏转栅极所形成的空间内，划分为I、II、III和IV象限，每个象限内设有9支偏转栅极；随着I象限内的与X轴平行的偏转栅极加载高压电源的幅值的增加，电子枪(2)发射的电子束将由中心轴线作为Z轴方向，向I象限的方向逐渐偏转，从沿Z轴方向为0
°
，向X轴线水平方向0
°
,形成90
°
的方向偏转；随着I象限内其余的8支偏转栅极逐一加载不同幅值的高压电源，电子束将在I象限内逐个角度逆时针方向偏转，从沿X轴线方向0
°
，向沿Y轴线方向0
°
,形成90
°
偏转，从而在I象限内形成90
°×
90
°
的四分之一球体的发射范围；随着II象限内的与Y轴平行的偏转栅极加载高压电源的幅值的增加，电子枪(2)发射的电子束将由中心轴线作为Z轴方向，向II象限的方向逐渐偏转，从沿Z轴方向为0
°
，向Y轴线水平方向0
°
,形成90
°
的方向偏转；随着II象限内其余的8支偏转栅极逐一加载不同幅值的高压电源，电子束将在II象限内逐个角度逆时针方向偏转，从沿Y轴线水平方向0
°

【专利技术属性】
技术研发人员：刘超，董永进，张爱兵，孙越强，郑香脂，田峥，
申请(专利权)人：中国科学院国家空间科学中心，
类型：发明
国别省市：