用于量测应用中的光源和方法技术

公开了一种用于提供光源的系统和方法。在一种布置中，所述光源包括：中空且具有轴向方向的光纤；填充所述光纤的中空部的气体；和设置在沿所述光纤的所述轴向方向的相应位置处的多个温度设定装置，其中所述温度设定装置被配置成控制所述气体的温度，以局部地控制所述气体的密度。气体的密度。气体的密度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于量测应用中的光源和方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年7月19日递交的欧洲申请19187242.3的优先权，所述欧洲申请的全部内容通过引用并入本文中。


[0003]本专利技术涉及一种光源和一种用于操作所述光源的方法，尤其是用于光刻设备或量测工具的光源。

技术介绍

[0004]光刻设备是被构造成将期望的图案施加至衬底上的机器。例如，光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如，掩模)处的图案(也常被称为“设计布局”或“设计”)投影到设置于衬底(例如晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
[0005]为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定了可以形成于所述衬底上的特征的最小大小。当前使用的典型波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。使用具有在4至20nm(例如6.7nm或13.5nm)范围内的波长的极紫外(EUV)辐射的光刻设备可以被用来在衬底上形成比使用例如具有约193nm波长的辐射的光刻设备更小本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光源，包括：中空且具有轴向方向的光纤；填充所述光纤的中空部的气体；和多个温度设定装置，所述多个温度设定装置设置在沿所述光纤的所述轴向方向的相应位置处，其中：所述温度设定装置被配置成控制所述气体的温度，以局部地控制所述气体的密度。2.根据权利要求1所述的光源，还包括控制器，所述控制器被配置成在每个位置处控制所述气体的局部温度达到目标温度，或控制供应至所述气体的热通量达到目标热通量。3.根据权利要求2所述的光源，还包括传感器，所述传感器被配置成获取所述光源的输出的性质测量结果，其中所述目标温度或目标热通量基于所述性质测量结果。4.根据权利要求2所述的光源，还包括至少一个温度传感器，所述至少一个温度传感器被配置成获取所述气体的温度测量结果，其中目标温度或目标热通量基于所述温度测量结果。5.根据前述权利要求中任一项所述的光源，还包括支撑件，所述支撑件被设置于所述光纤与所述温度设定装置中的至少一个温度设定装置之间，并且被配置成在所述光纤与所述至少一个温度设定装置之间提供热接触。6.根据权利要求4所述的光源，其中所述支撑件包括沿所述轴向方向布置且彼此热隔离的多个支撑节段。7.根据权利要求4所述的光源，其中所述支撑节段由热间隙间隔开。8.根据前...

【专利技术属性】
技术研发人员：H，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：