【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及泵浦效率的改进,更特别地,本专利技术涉及具有多个泵的真空泵浦系统的功耗的降低。
技术介绍
真空处理通常用于半导体设备的制造中以将薄膜沉积到衬底上。通常会使用真空泵将加工室排空到非常低的压力,该压力取决于操作的类型,可以低至10-6mbar,并且原料气导入排空的腔室以使希望的材料沉积在位于腔室中的一或多个衬底上。一旦完成沉积,衬底就从腔室中移出并且插入另一个衬底以重复沉积过程。需要很长的真空泵浦时间来将加工室排空到所需的压力。因此,为了在更换衬底时将腔室中的压力维持在所需水平或所需水平附近,通常需要使用转接室和负载锁定室。负载锁定室由第一窗或通道连接到转接室,第一窗或通道能够可选地打开以允许衬底插入转接室或从转接室中移出。负载锁定室的容量从仅仅几升到用于某些大型平板显示工具的几千升不等。负载锁定室还具有第二窗,第二窗可选地朝大气打开以允许衬底插入负载锁定室并从负载锁定室中移出。在使用中,加工室由加工室真空泵维持在所需真空中。第一窗关闭时,第二窗朝大气打开以允许衬底插入负载锁定室。然后第二窗关闭,并且使用负载锁定真空泵将负载锁定室排空直到负载锁定室中的 ...
【技术保护点】
一种真空泵浦系统,该系统包括多个用于从各自的腔室中泵浦流体的真空泵,用于将从泵排出的流体向用于泵浦所述排出流体的附加泵输送的装置,其特征在于,与所述输送装置流体连通的并且用于可选择地远离附加泵而分流排出流体的装置。
【技术特征摘要】
GB 2003-10-14 0324067.81.一个真空泵浦系统,该系统包括多个用于从各自的腔室中泵浦流体的真空泵,用于将从泵排出的流体向用于泵浦所述排出流体的附加泵输送的装置,其特征在于,与所述输送装置流体连通的并且用于可选择地远离附加泵而分流排出流体的装置。2.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,该输送装置包括多个第一管道,每个第一管道用于从各自的真空泵向第二管道输送排出的流体,其中第二管道用于接收从每个第一管道中排出的流体并将排出的流体向附加泵输送。3.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,分流装置包括阀。4.根据权利要求3所述的系统,其特征在于,该阀包括用于接收排出流体的阀入口、阀出口和在该阀入口和阀出口之间的压差超过预定值时允许排出流体从阀入口向阀出口流动的装置。5.根据权利要求4所述的系统,其特征在于,阀包括设置在阀座上的球体,从而阻挡从阀出口到阀入口的流体通道,并且在使用时在阀入口端增压排出流体可使球体从阀座移动开从而允许从阀入口向阀出口形成流体通道。6.根据权利要求4所述的系统,其特征在于,该附加泵具有与阀出口流体连通的出口。7.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员:DGM萨维德格,P诺尔斯,AL普维斯,NP肖菲尔德,D王,
申请(专利权)人:英国氧气集团有限公司,
类型:实用新型
国别省市:GB[英国]
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