一种用于紫外探测的传感器制造技术

一种用于紫外探测的传感器，其特征在于，由紫外光检测器（１０）、偏置电压电路（１１）、电流转换电路（１２）和信号处理电路（１３）依次连接构成，紫外光检测器（１０）中的光敏电极（５）和参比电极（６）连接到偏置电压电路（１１），光敏电极（５）和对电极（７）连接到电流转换电路（１２），电流转换电路（１２）输出的电压信号连接到信号处理电路（１３）。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于光电子
涉及一种探测紫外光的光电器件，尤其是以宽带隙半导体薄膜为紫外光吸光层的紫外光传感器。
技术介绍
目前使用的紫外光传感器，如已投入商业和军事应用的紫外光电倍增管和硅基紫外光电管，存在以下不足。光电倍增管需要在高压下工作，而且体积笨重、效率低；而作为窄带隙半导体，Si材料对可见光同样存在吸收，因此硅基紫外光电管不得不使用昂贵的滤光器而使得成本居高不下，这就使得二者的广泛应用受到了限制。为了克服光电倍增管体积笨重和效率低，硅基紫外光电管成本高的缺点，人们开始关注SiC[王丽玉，谢家纯，刘文齐.SiC肖特基紫外光电探测器的研制，半导体光电，25(1)，2004，25-28]、金刚石薄膜[Giovanni Mazzeo，Stefano Salvatori，Maria Cristina Rossi，Gennaro Conte，Marie-Claude Castex，DeepUV pulsed laser monitoring by CVD diamond sensors，Sensors and Actuators A，113(3)，2004，277-281]和GaN[本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于紫外探测的传感器，其特征在于，由紫外光检测器(10)、偏置电压电路(11)、电流转换电路(12)和信号处理电路(13)依次连接构成，紫外光检测器(10)中的光敏电极(5)和参比电极(6)连接到偏置电压电路(11)，光敏电极(5)和对电极(7)连接到电流转换电路(12)，电流转换电路(12)输出的电压信号连接到信号处理电路(13)。2.根据权利要求1所述的一种用于紫外探测的传感器，其特征在于，其紫外光检测器(10)的构成为宽禁带半导体薄膜光敏电极(5)、参比电极(...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹望和，付姚，
申请(专利权)人：大连海事大学，
类型：实用新型
国别省市：