用于在工艺站中的衬底的化学及/或电解表面处理的方法技术

本发明专利技术涉及一种用于在工艺站中的衬底的化学及/或电解表面处理的方法及一种用于衬底的化学及/或电解表面处理的工艺站。用于化学及/或电解表面处理的所述方法包括以下步骤，不一定按此顺序：将待处理衬底安装到转子单元，将具有所述衬底的所述转子单元移动到所述工艺站的预润湿腔室中，在所述预润湿腔室中将预润湿流体施加到所述衬底，将具有所述衬底的所述转子单元至少部分移出所述预润湿腔室，使具有所述衬底的所述转子单元在自旋平面中自旋以离心地减少所述衬底的表面处的所述预润湿流体，使具有所述衬底的所述转子单元法向于所述自旋平面旋转使得所述衬底背对所述预润湿腔室，将具有所述衬底的所述转子单元移动到所述工艺站的电镀腔室中，将电解液及电流施加到所述衬底以用于在所述电镀腔室中对所述衬底进行电镀工艺，及将具有所述衬底的所述转子单元至少部分移出所述电镀腔室。单元至少部分移出所述电镀腔室。单元至少部分移出所述电镀腔室。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于在工艺站中的衬底的化学及/或电解表面处理的方法


[0001]本专利技术涉及一种用于在工艺站中的衬底的化学及/或电解表面处理的方法及一种用于衬底的化学及/或电解表面处理的工艺站。

技术介绍

[0002]在微电子工业中，存在数种工艺，其中必须用导电金属(例如，Cu)填充衬底上的小凹部，此通常通过所谓的电镀、电化学沉积、电化学镀覆或电流沉积(galvanic deposition)来执行。在特殊情况中，尤其是在必须用导电材料填充很小且深的凹部时，此类工艺有时也被称为高纵横比镀覆。
[0003]在电化学沉积的过程期间经常出现困难，因为凹部填充有周围环境空气(在实际镀覆工艺前在所述周围环境空气中存储、处置或处理衬底)。当将含有小凹部的衬底浸入到液体电解质中时，小凹部内部的环境空气可形成气态势垒。接着，气态势垒防止电解质润湿并渗透到凹部中，且通过如此做而阻碍或至少显著地劣化用于用不间断导电材料层填充凹部的沉积工艺。凹部的不连续或甚至中断的涂布或填充导致例如材料层内的空隙、接触不良或甚至中断的电路。另外，具有此类未充分镀覆或填充的凹部的装置的可靠本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于工艺站(10)中的衬底(20)的化学及/或电解表面处理的方法，所述方法包括：将待处理衬底(20)安装到转子单元(11)，将具有所述衬底(20)的所述转子单元(11)移动到所述工艺站(10)的预润湿腔室(12)中，在所述预润湿腔室(12)内部将预润湿流体施加到所述衬底(20)，将具有所述衬底(20)的所述转子单元(11)至少部分移出所述预润湿腔室(12)，使具有所述衬底(20)的所述转子单元(11)在自旋平面中自旋以离心地减少所述衬底(20)的表面处的所述预润湿流体，使具有所述衬底(20)的所述转子单元(11)法向于所述自旋平面旋转使得所述衬底(20)背对所述预润湿腔室(12)，将具有所述衬底(20)的所述转子单元(11)移动到所述工艺站(10)的电镀腔室(13)中，将电解液及电流施加到所述衬底(20)以用于在所述电镀腔室(13)内部对所述衬底(20)进行电镀工艺，及将具有所述衬底(20)的所述转子单元(11)至少部分移出所述电镀腔室(13)。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述预润湿腔室(12)及所述电镀腔室(13)布置在所述相同工艺站(10)中。3.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法，其进一步包括修改所述预润湿腔室(12)中的气体系统的步骤，其中所述气体系统的所述修改是在预润湿步骤前相对于大气压降低压力、在所述预润湿步骤后将压力增加到大气压及/或在所述预润湿步骤前及/或后相对于环境空气的气体交换。4.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法，其中所述电镀是在环境空气中及/或在大气压下进行。5.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法，其进一步包括在将具有所述衬底(20)的所述转子单元(11)移出所述电镀腔室(13)后的以下步骤：使具有所述衬底(20)的所述转子单元(11)旋转使得所述衬底(20)面朝所述预润湿腔室(12)，将具有所述衬底(20)的所述转子单元(11)移动到所述预润湿腔室(12)中，及在所述预润湿腔室(12)中将冲洗液体施加到所述衬底(20)以从所述衬底(20)移除所述电解液。6.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法，其进一步包括以下步骤：在所述预润湿腔室(12)中将干燥流施加到所述衬底(20)以干燥所述衬底(20)。7.一种用于衬底(20)的化学及/或电解表面处理的工艺站(10)，所述工艺站(10)包括转子单元(11)，...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：胜思科技有限公司，
类型：发明
国别省市：