一种含双萘单体液晶及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及一种含双萘单体液晶，所述的含双萘单体液晶的结构式如下：式I中所述的X为烯基、炔基或烷基中的任一种，所述的R1、R2、R3、R4、R5单独选自H、C1～C6脂肪化合物或芳香化合物中的一种。所述单体液晶含有双萘刚性基团，增强了分子的极性，使产品具有较宽的向列相温度范围，同时具有较大的各项异性，可能具有较高的电阻率，可用作液晶组分，使液晶材料的性质得到改善，也可用于制备微波液晶天线。同时本发明专利技术提供一种含双萘单体制备方法，相对于传统硫代光气等方法，所用原料毒性低，反应过程无危险性，后处理简便，适用于大规模生产。适用于大规模生产。适用于大规模生产。

【技术实现步骤摘要】
一种含双萘单体液晶及其制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及一种含双萘单体液晶及其制备方法和应用，属于液晶材料


技术介绍

[0002]液晶显示器(LCDS)作为计数器及计数时钟表的显示器件，最早出现在20世纪70年代，经过40多年的发展，LCDS已遍及我们日常生活的方方面面。同时在满足薄膜晶体管液晶显示器(TFT
‑
LCD)日益增长的技术方面的需求上，对其提出了越来越高的要求，比如它的动画的高清晰度、高亮度、高响应速度、宽的工作温度范围、低功耗、低驱动电压等等，在此其中液晶材料的性能至关重要。
[0003]随着液晶材料不断的发展，加之液晶化合物具有适宜的光学各项异性(
△
n)、介电各项异性(
△
ε)、粘度(γ)等特性，近年来有很多文献指出液晶化合物可满足微波技术组件所需的一些特性。例如：N.Martin，N.Tentillier，P.Laurent，B.Splingart.Electrically Microwave Tunable Components Using L本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含双萘单体液晶，其特征在于，所述的含双萘单体液晶的结构式如下：式I中所述的X为烯基、炔基或烷基中的任一种，所述的R1、R2、R3、R4、R5单独选自H、C1～C6脂肪化合物或芳香化合物中的一种。2.根据权利要求1所述的一种含双萘单体液晶，其特征在于，所述的X为中的一种。3.根据权利要求1所述的一种含双萘单体液晶，其特征在于，所述的R1、R2、R3、R4、R5单独选自H、选自H、中的一种。4.根据权利要求1所述的一种含双萘单体液晶，其特征在于，所述的含双萘单体液晶为如下结构式中的任意一种：如下结构式中的任意一种：5.一种根据权利要求1
‑
4任意一项所述的一种含双萘单体液晶的制备方法，其特征在于，所述的制备方法包括以下反应步骤
n＝1,2,3,4,5，
……
,20(1)中间体Cn
‑
B的制备：将镁屑、有机溶剂加入反应体系中，氮气保护下，缓慢滴入R1‑
Br与THF的混合液制备格氏试剂，反应温度40～50℃，保温反应2小时，另准备一反应瓶，加入Cn
‑
A、有机溶剂及催化剂，升温至30～50℃，滴加所述格氏试剂，反应完毕后加入盐酸淬灭、水洗、过柱得中间体Cn
‑
B；中间体Cn
‑
B如下式所示：(2)中间体Cn
‑
C的制备：将Cn
‑
B、有机溶剂加入反应体系中，降温至
‑
10～0℃，滴入三溴化硼，保温反应3小时，反应结束后，加水淬灭反应，水洗并脱干溶剂，经甲苯与石油醚重结晶，得中间体Cn
‑
C，中间体Cn
‑
C如下式所示：(3)中间体Cn
‑
D的制备：将Cn
‑
C、三乙胺和有机溶剂加入反应体系中，降温至
‑
10～0℃，缓慢滴加三氟甲磺酸酐，滴毕后保温反应1小时，反应结束后，加水淬灭反应，水洗并脱干溶剂，石油醚溶解后过硅胶柱，得中间体Cn
‑
D，中间体Cn
‑
D如下式所示：(4)中间体Cn
‑
E的制备：将Cn
‑
D、2
‑
甲基
‑2‑
羟基
‑3‑
丁炔、DMAP、催化剂、CuI和三乙胺加入反应体系，加热升温至回流，保温反应6小时，反应结束后，有机相再水洗至中性，并脱干溶剂，石油醚溶解后过硅胶柱，并脱干溶剂，再经甲苯和无水乙醇重结晶，得中间体Cn
‑
E；中间体Cn
‑
E如下式所示：(5)中间体Cn
‑
F制备：将Cn
‑
E、KOH、有机溶剂加入反应体系，加热升温至回流，保温反应
30分钟，反应结束后，体系降至室温，加水淬灭反应，有机相水洗至中性，并脱干溶剂，石油醚溶剂后过硅胶柱，再脱干溶剂得中间体Cn
‑
F；中间体Cn
‑
F如下式所示：(6)中间体Cn
‑
H的制备：将Cn
‑
F、Cn
‑
G、DMAP、催化剂、PPh3、CuI和三乙胺加入反应体系，加热升温至回流，保温反应3小时，反应结束后，蒸出大部分三乙胺，体系降至室温后，加入甲苯和稀盐酸，有机相再水洗至中性，并脱干溶剂，经甲苯和石油醚柱层析，得中间体Cn
‑
H；中间体Cn
‑
H如下式所示：(7)中间体Cn
‑
I的制备：将Cn
‑
H和有机溶剂加入反应体系，降温至
‑
10～0℃，滴入三溴化硼，反应结束后，加水淬灭反应，有机相水洗至中性，并脱干溶剂，得中间体Cn
‑
I；中间体Cn
‑
I如下式所示：(8)中间体Cn
‑
J的制备：将Cn
‑
I、三乙胺和二氯乙烷加入反应体系，降温至
‑
10～0℃，缓慢滴加三氟甲磺酸酐，滴毕后保温反应1小时，反应结束后，加水淬灭反应，有机相水洗至中性，并脱干溶剂，经甲苯和无水乙醇重结晶后，得中间体Cn
‑
J；中间体Cn
‑
J如下式...

【专利技术属性】
技术研发人员：邢宗仁，胡臻玉，李冀伟，李雁鸿，曹凤德，
申请(专利权)人：中节能万润股份有限公司，
类型：发明
国别省市：