一种二维WX2材料及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种二维WX2材料及其制备方法，制备方法包括：（a）将金属W片进行高温氧化，形成氧化钨片；（b）将生长基底、氧化钨片和硫族单质粉末分别装入样品台；（c）将样品台放入管式炉中并抽真空，所述管式炉配置有红外加热灯；（d）向管式炉中通入Ar+H2混合气体，用红外加热灯对样品台区域加热至900

【技术实现步骤摘要】
一种二维WX2材料及其制备方法


[0001]本专利技术涉及大面积二维材料制备
，具体地说是涉及一种二维WX2材料及其制备方法。

技术介绍

[0002]二维材料因其优异的性能而被广泛研究，而高质量、大尺寸二维材料的制备是阻挡其通往实际应用的一大难题。目前二维材料的制备有机械剥离、液相剥离和化学气相沉积等方法。其中化学气相沉积法在大面积、均匀性等方面表现出独特的优势，被认为是比较有潜力推动二维材料工业化制备的方法之一。然而，目前采用多温区管式炉CVD法进行二维材料的制备，其可控性、稳定性与工业上的实际标准还相差较大，制得的二维材料厚度可控性以及重复性还有待提高。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是提供一种二维WX2材料及其制备方法，以解决现有管式炉CVD法制备二维材料时存在的可控性、稳定性差的问题。
[0004]本专利技术技术方案为：一种二维WX2材料的制备方法，所述二维WX2材料中X为硫族元素，所述制备方法包括以下步骤：（a）将金属W片进行高温氧化，形成氧化钨片；（b）将生长基底、氧化钨片和硫族单质粉末分别本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种二维WX2材料的制备方法，其特征在于，所述二维WX2材料中X为硫族元素，所述制备方法包括以下步骤：（a）将金属W片进行高温氧化，形成氧化钨片；（b）将生长基底、氧化钨片和硫族单质粉末分别装入样品台；（c）将样品台放入管式炉中并抽真空，所述管式炉配置有红外加热灯；（d）向管式炉中通入Ar+H2混合气体，用红外加热灯对样品台区域加热至900
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1050℃并保温生长1
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10min；（e）材料生长完成后，使样品台自然冷却，即得到所述的二维WX2材料。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述二维WX2材料中X为S或Se。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（a）中，所述金属W片尺寸为1x1 cm2ꢀ‑ꢀ
5x5 cm2，厚度为0.05
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2mm。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（a）中，将所述金属W片置于管式炉中，在空气气氛、750
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850℃下氧化2
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【专利技术属性】
技术研发人员：李玉宝，张威，张琳静，曹鑫齐，
申请(专利权)人：河北大学，
类型：发明
国别省市：