互补半导体器件制造技术

一具有Ｎ型和Ｐ型陷井区的单片互补半导体器件，其Ｎ型和Ｐ型陷井区是由介电隔离区从表面延伸到衬底分离开的．陷井区包括在其底部的高掺杂的埋层区，并将陷井中的有源区与衬底区分离开．隔离区比埋层区深．陷井到陷井的隔离是由埋层区和深解电隔离区的结合增强的，封装密度和工作速度也可得到改善．（*该技术在2005年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一单片互补半导体器件，其特征为包括一第一导电型，半导体衬底区；在上述的衬底区上备有高杂质浓度的半导体埋层区，而且具有至少一个上述第一导电型的第一埋层区，第二个埋层区紧靠上述第一埋层区，并具有与上述第一导电型相反的第二导电型；与上述埋 层区相比，低杂质浓度的半导体陷井区安置在上述埋层区上，形成主要表面，并具有安置在上述第一埋层区上的至少第一导电型的第一陷井区和在上述第二个埋层区的第二个导电型的第二个陷井区；和一个绝缘成分从上述主要表面延伸到上述衬底区并将上述第一个陷井 和埋层区与上述第二个陷井和埋层区分离开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡边笃雄，长野隆洋，池田隆英，门马直弘，斋藤隆一，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]