半导体集成电路器件制造技术

本发明专利技术公布了一种半导体集成电路器件．该电路器件用改进的（ｍ＋ｎ）个输入单元，每个单元都装配有高负载驱动功能元件，将元件布置在单元的周围，并且在该单元内有ｎ个信号输入端，另外还有ｍ个常规信号输入端，一并置入该单元内．（*该技术在2005年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种半导体集成电路器件，包括：（１）基本单元，每一个基本单元包括一个具有高负载驱动容量的第一种元件，和一个其驱动容量低于上述第一种元件的第二种元件；（２）基本单元阵列，每一个都是在予定方向上布置许多上述基本单元形成的；以及（３） 一个基本单元矩阵，是在一个方向基本垂直于上述予定方向上布置许多上述基本单元阵列形成的，并在它们之间有予定空隙；其中上述第一种元件是沿一个方向基本垂直于上述予定方向的上述基本单元中的外围部位上布置的，而上述第二种元件布置在上述基本单元的中 央部位上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木康永，松原俊明，间明田治佳，浦上宪，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]