双向DC-DC变换器制造技术

本发明专利技术提供双向DC

【技术实现步骤摘要】
双向DC
‑
DC变换器


[0001]本专利技术涉及DC
‑
DC变换器领域，尤其涉及一种双向DC
‑
DC变换器。

技术介绍

[0002]在现代社会的生活中，电源的充放电越来越频繁重要，传统蓄电池的充放电的效率显得低下，单向变换器的消耗也显得略大，所以双向DC
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DC变换器被越来越多采用于电池储能设备上。
[0003]对双向DC
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DC变换器在储能装置上的应用做深入的研究可以降低不必要的浪费损耗，具有重大的理论和现实意义。
[0004]专利技术型内容本专利技术提供一种双向DC
‑
DC变换器，降低不必要的消费损耗，具体技术方案为：包括：单片机、驱动芯片、半桥电路、直流稳压电源电路；驱动芯片连接直流稳压电源电路，且通过开关控制直流稳压电源电路的通断，用于保护驱动芯片的输出；驱动芯片的信号输入端与单片机连接、输出端连接半桥电路，驱动芯片接收单片机输出的相反的两路PWM驱动信号并用于驱动半桥电路，用于切换电路的充、放电模式。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.双向DC
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DC变换器，其特征在于，包括：单片机、驱动芯片、半桥电路、直流稳压电源电路；驱动芯片连接直流稳压电源电路，且通过开关控制直流稳压电源电路的通断，用于保护驱动芯片的输出；驱动芯片的信号输入端与单片机连接、输出端连接半桥电路，驱动芯片接收单片机输出的相反的两路PWM驱动信号并用于驱动半桥电路，用于切换电路的充、放电模式。2.根据权利要求1所述的双向DC
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DC变换器，其特征在于：所述单片机选用STM32系列芯片,输出关断信号和两路PWM逻辑信号至所述驱动芯片。3.根据权利要求2所述的双向DC
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DC变换器，其特征在于：所述驱动芯片选用IR2110s芯片，其HIN管脚和LIN管脚输入两路相反的PWM驱动信号，VDD管脚接3.3v逻辑电源电压，HO、LO管脚接半桥电路，用于输出驱动信号控制半桥电路的通断；VCC管脚输入12v固定电源电压，且VCC管脚和VB管脚之间连接自举二极管D2；VS管脚和VB管脚之间连接自举电容C21，且VS管脚还连接半桥电路和电感L1。4.根据权利要求3所述的双向DC
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DC变换器，其特征在于：半桥电路包括MOS管T1、MOS管T2，MOS管T1的栅极经过电阻R19接IR2110s芯片的HO管脚信号、源极接MOS管T2的漏极、漏极接开关S1和开关S2，MOS管T2的栅极经过电阻R20接入IR2110s芯片的LO管脚信号、源极接地； MOS管T1的源极接MOS管T2的漏极共接点接IR2110s芯片的VS管脚。5.根据权利要求4所述的双向DC
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DC变换器，其特征在于：...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵熠丹，
申请(专利权)人：无锡市海鹰工程装备有限公司，
类型：发明
国别省市：