一种中子探测器及探测系统技术方案

本申请实施例提供了一种中子探测器及探测系统，其中，中子探测器包括氮化硼半导体以及电极，氮化硼半导体具有相对设置的第一表面和第二表面，其中一个电极与第一表面接触，另一个电极与第二表面接触，由于氮化硼半导体对中子灵敏，电极配置为获取氮化硼半导体捕获中子时产生的电信号，由此，可以实现对中子进行探测的功能，该中子探测器的探测效率高。该中子探测器的探测效率高。该中子探测器的探测效率高。

【技术实现步骤摘要】
一种中子探测器及探测系统


[0001]本申请涉及中子探测
，尤其涉及一种中子探测器及探测系统。

技术介绍

[0002]在核辐射探测器技术中，中子探测器技术广泛应用于国防、武器、科研等领域和多种大型科学装置和核设施上，现有技术中主要的中子探测器有气体探测器、闪烁体探测器、半导体探测器、热释光探测器、径迹探测器和自给能探测器，然而，相关技术中的中子探测器的探测效率低。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本申请实施例期望提供一种探测效率高的中子探测器及探测系统。
[0004]为达到上述目的，本申请实施例的第一方面提供了一种中子探测器，包括：
[0005]氮化硼半导体，所述氮化硼半导体具有相对设置的第一表面和第二表面；
[0006]电极，所述电极为两个，其中一个所述电极与所述第一表面接触，另一个所述电极与所述第二表面接触。
[0007]一种实施方式中，所述氮化硼半导体通过低压化学气相沉积成型。
[0008]一种实施方式中，所述第一表面和所述第二表面平行设置，且所述第一表面和所述第二表面分别本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种中子探测器，其特征在于，包括：氮化硼半导体(10)，所述氮化硼半导体(10)具有相对设置的第一表面和第二表面(10a)；电极(20)，所述电极(20)为两个，其中一个所述电极(20)与所述第一表面接触，另一个所述电极(20)与所述第二表面(10a)接触。2.根据权利要求1所述的中子探测器，其特征在于，所述氮化硼半导体(10)通过低压化学气相沉积成型。3.根据权利要求1所述的中子探测器，其特征在于，所述第一表面和所述第二表面(10a)平行设置，且所述第一表面和所述第二表面(10a)分别为所述氮化硼半导体(10)上相对间距最小的两个表面。4.根据权利要求1所述的中子探测器，其特征在于，所述电极(20)为金属膜，所述金属膜通过蒸镀形成在所述第一表面和所述第二表面(10a)上。5.根据权利要求4所述的中子探测器，其特征在于，所述金属膜的材质为金、镍或铝。6.根据权利要求1
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5任意一项所述的中子探测器，其特征在于，所述中子探测器(100)包括电绝缘基座(30)，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵江滨，何高魁，田华阳，刘洋，郝晓勇，
申请(专利权)人：中国原子能科学研究院，
类型：发明
国别省市：