一种氧化镓单晶片的制备方法技术

本发明专利技术提供一种氧化镓单晶片的制备方法，包括：提供氧化镓单晶块；对氧化镓单晶块进行解理，以得到块状的解理结构，解理结构包括解理面和与解理面相对的初始减薄面；以解理面为基准对初始减薄面进行减薄，使初始减薄面形成减薄面，减薄面与解理面平行；形成减薄面之后，以解理面为基准对解理结构进行切割，以得到具有切割面的氧化镓单晶片，切割面平行于解理面。上述制备方法利用氧化镓单晶体易沿着(100)晶面解理的特点，在不需要通过X射线定向的前提下，获得了具有较小偏角的(100)氧化镓单晶片，且上述制备方法可重复性高，有利于进行工业化生产。行工业化生产。行工业化生产。

【技术实现步骤摘要】
一种氧化镓单晶片的制备方法


[0001]本专利技术涉及晶片制备
，具体涉及一种氧化镓单晶片的制备方法。

技术介绍

[0002]β
‑
Ga2O3单晶体是目前研究最热的宽禁带半导体材料之一。β
‑
Ga2O3单晶体的紫外截止边可达260nm，紫外波段透过率高，可满足新一代光电材料对短波长工作范围的要求。同时，β
‑
Ga2O3单晶体的禁带宽度大、击穿场强度高、抗辐射能力强，且具有良好的物理和化学稳定性，非常适合用来研制高耐压、大功率半导体器件。目前β
‑
Ga2O3单晶体制备的主流工艺是导模法，在将导模法制备的晶体加工成具有确定晶面的氧化镓单晶片的过程中，需要先进行X射线定向再进行切割。
[0003]然而，采用导模法制备的β
‑
Ga2O3单晶体的厚度一般小于6mm且具有较大的晶面偏角，一般晶面偏角大于3
°
；同时，β
‑
Ga2O3单晶体为单斜结构，导致晶体定向的难度增大。上述原因导致不易得到具有较小晶面偏角的氧化镓单本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氧化镓单晶片的制备方法，其特征在于，包括：提供氧化镓单晶块；对所述氧化镓单晶块进行解理，以得到块状的解理结构，所述解理结构包括解理面和与所述解理面相对的初始减薄面；以所述解理面为基准对所述初始减薄面进行减薄，使所述初始减薄面形成减薄面，所述减薄面与所述解理面平行；形成所述减薄面之后，以所述解理面为基准对所述解理结构进行切割，以得到具有切割面的氧化镓单晶片，所述切割面平行于所述解理面。2.根据权利要求1所述的氧化镓单晶片的制备方法，其特征在于，在对所述氧化镓单晶块进行解理后得到两个解理结构；或者，在对所述氧化镓单晶块进行解理后得到一个解理结构和一个解理片。3.根据权利要求1或2所述的氧化镓单晶片的制备方法，其特征在于，以所述解理面为基准对所述初始减薄面进行减薄的步骤包括：将所述解理结构固定在减薄平台上，且所述解理面朝向所述减薄平台；采用减薄机对所述初始减薄面进行减薄；优选的，若干所述解理结构一同进行减薄。4.根据权利要求1或2所述的氧化镓单晶片的制备方法，其特征在于，采用线切割工艺对所述解理结构进行切割；优选的，采用线切割工艺对所述解理结构进行切割的步骤包括：将所述解理结构固定在切割平台上，且所述解理面垂直于所述切割平台；切割线对所述解理结构进行切割；优选的，若干所述解理结构一同进行切割；优选的，采用线切割工艺对所述解理结构进行切割的参数包括：所述切割线的直径为0.05mm
‑
0.25mm，所述切割线的切割速率为0.05mm/min
‑
0.6mm/min。5.根据权利要求1或2所述的氧化镓单晶片的制备方法，其特征在于，所述氧化镓单晶片的晶面偏角小于0.5
°
；所述氧化镓单晶片的厚度为0.8mm
‑
1mm。6.根据权利要求1或2所述的氧化镓单晶片的制备方法，其特征在于，还包括：对所述氧化镓单晶片的正面依次进行粗磨、细磨和抛光；和/或，对所述氧化镓单晶片的背面依次进行粗磨、细磨和抛光；优选...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：苏州燎塬半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：