一种ITO阳极及其制备方法、QLED器件及显示装置制造方法及图纸

一种ITO阳极及其制备方法、QLED器件及显示装置，属于QLED器件领域。ITO阳极的制备方法包括：将ITO基板在惰性气氛下，在300

【技术实现步骤摘要】
一种ITO阳极及其制备方法、QLED器件及显示装置


[0001]本申请涉及QLED器件领域，具体而言，涉及一种ITO阳极及其制备方法、QLED器件及显示装置。

技术介绍

[0002]量子点已广泛应用于发光二极管、太阳能电池、生物成像以及探测器等诸多方面。其中量子点发光二极管(QLED)由于具有高色纯度，发光颜色可调，稳定性好等优点而成为下一代显示技术的有利竞争者。但是目前QLED的研究工作大部分还停留在实验阶段，一直限制其产业化脚步的主要原因是QLED器件的效率和寿命问题。
[0003]主要原因在于QLED器件常采用的有机半导体材料的空穴迁移率小于电子传输层电子迁移率，在器件中电子的注入和传输效率远大于空穴的注入和传输效率，造成电子空穴注入不平衡从而限制器件外量子效率的提升，同时QLED器件的发光过程中，载流子的注入是从电极界面开始，阳极进行的是空穴注入，阴极进行的是电子注入。而在QLED中，常被用来做阳极的材料是氧化铟锡(ITO)，而常用的空穴注入层与其之间的势垒差相对较大，抑制了空穴的输入，ITO表面的粗糙度也会影响ITO和空穴注入本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种ITO阳极的制备方法，其特征在于，包括：将ITO基板在惰性气氛下，在300
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500℃退火50
‑
70min；其中，所述ITO基板包括衬底和沉积在所述衬底上的ITO薄膜。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述退火在常压或微负压的条件下进行，所述微负压的压强为
‑
0.05～
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0.15MPa。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，还包括：将退火后的ITO基板依次放在清洗剂、水、丙酮、异丙醇中各超声清洗10
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20min，干燥。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述干燥为采用惰性气体吹干。5.根据权利要求1～4任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述衬底为玻璃。6.一种ITO阳极，其特征在于，其由权利要求1～5任意一项所述的制备方法制得，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪鹏生，程陆玲，
申请(专利权)人：合肥福纳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：