在一个公共基片上装配集成电路的方法技术

本发明专利技术提供一种通过流体输送把微结构装配到基片上的方法和装置。自对准入凹槽区内的定形块微结构位于基片上，俾使微结构与基片变成为一个整体。改进的方法包括把定形块转移到流体中心制成浆体的步骤。然后把该浆体在其上具有凹槽区的上表面上均匀地分配或者循环。微结构通过形状和流体在基片的表面上滚动、自对准并齿合于凹槽区内。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术在政府支持下进行，国防部给予了资助金(合同)No.AFOSR-91-0327和F49620-J-054-1。政府对本专利技术具有一定的权利。本专利技术涉及电子集成电路领域。将会看到，本专利技术虽以硅基片上制造砷化镓微结构的例子来加以说明，但它具有更为广泛的适用范围。仅仅作为例子，可把本专利技术应用于制造含有硅基电子器件的器件，其上集成有砷化镓基微结构(或器件)，例如发光二极管(LED)、激光器、隧道晶体管、Gunn氏振荡器、集成电路、太阳能收集器、液晶显示器(LCD)以及其它器件。目前，工业上需要一种低成本、高效率和实用的方法把高价的微结构装配到能大批供应的低价基片上。尤其是，对于一些特定的电子和光电应用，由诸如砷化镓类材料作比硅等材料作具有更好的特性。然而，在制造砷化镓器件时，砷化镓大圆晶片的大部分区域通常不被利用而浪费掉。一般讲这些未利用的区域造成宝贵的芯片区域不能有使用。另外，对砷化镓进行加工处理一般需要专门的技术、化学试剂和设备，因此很昂贵。在诸如超大规模集成电路(VLSI)一类其它应用上用硅而非砷化镓制造可能更好。在另一些应用中，可能希望获得同时具有这两种类本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种把微结构装配到基片上的方法，所述基片包含一个至少在其上带有一个凹槽区的上表面，其特征在于，所述方法包含下列步骤： 在流体内提供多个定形块，以形成浆体； 使所述浆体在所述基片上以至少有一个所述定形块以选定的取向定位置入于所述凹槽区内的速度在所述基片上循环，每个所述的定形块包含一倾斜的边棱，以所述选定的取向匹配于所述凹槽区内。

【技术特征摘要】
US 1995-6-7 4854781.一种把微结构装配到基片上的方法，所述基片包含一个至少在其上带有一个凹槽区的上表面，其特征在于，所述方法包含下列步骤在流体内提供多个定形块，以形成浆体；使所述浆体在所述基片上以至少有一个所述定形块以选定的取向定位置入于所述凹槽区内的速度在所述基片上循环，每个所述的定形块包含一倾斜的边棱，以所述选定的取向匹配于所述凹槽区内。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，每个所述的定形块包括至少一个电子器件。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，每个所述定形块包括电子器件的一部分。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基片从硅大圆晶片、塑料片、砷化镓大圆晶片、玻璃基片以及陶瓷基片中选择。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述流体为惰性流体，从水、丙酮和乙醇中选择。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的每个定形块具有梯形剖面的外形。7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述基片上的每个所述凹槽区基本上形成与每个所述定形块互补的梯形。8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，气体使所述浆体在所述基片上循环。9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述气体包括氮气。10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，每个所述的块包含半导体材料。11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，每个所述的块为截头金字塔形，所述截头金字塔形包括一基面和从所述基面伸向顶部的诸侧面。12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述基面为矩形和所述侧面共有四个。13.如权利要求11所述的方法，其特征在于所述基面为正方形和所述侧面共有四个。14.如权利要求12或...

【专利技术属性】
技术研发人员：约翰斯蒂芬史密斯，HJJ叶，
申请(专利权)人：加利福尼亚大学董事会，
类型：发明
国别省市：US[美国]