低温导电银浆及异质结电池制造技术

本发明专利技术提供了一种低温导电银浆及异质结电池。以重量份计，该低温导电银浆包括85

【技术实现步骤摘要】
低温导电银浆及异质结电池


[0001]本专利技术涉及太阳能电池制造
，尤其涉及一种低温导电银浆及异质结电池。

技术介绍

[0002]硅异质结太阳电池是以晶体硅为基础，经过清洗制绒、在晶体硅正面第一受光面依次沉积本征非晶硅层和N型非晶硅层、在背面第二受光面依次沉积本征非晶硅层和P型非晶硅层、在第一受光面和第二受光面同时沉积透明导电氧化物(Transparent Conductive Oxide：TCO)，最后在第一受光面和第二受光面，利用丝网印刷技术，采用热固型低温树脂浆料制备金属电极，得到硅异质结太阳电池。
[0003]TCO膜在可见光范围内(波长380
‑
760nm)具有80％以上的穿透率，且电阻很低，其成分主要有In，Sb，Zn，Sn，Cd及其氧化物的复合物。目前在HIT电池中使用的主要薄膜材料有ITO(97:3)，ITO(90:10)和SCOT，IWO，AZO，IOH，ICO，IMO等，在HIT电池制备过程中，需要将低温导电银浆通过丝网印刷在TCO膜上，浆料必须有较高的导电性以及和TCO基底形成良好的欧姆接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低温导电银浆，以重量份计，该低温导电银浆包括85
‑
95份导电银粉、2
‑
6份热固性树脂、1
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5份封端聚氨酯预聚体、0.5
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3份硅烷偶联剂、0.1
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1份固化剂、0.1
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2份扩链剂。2.根据权利要求1所述的低温导电银浆，其中，所述封端聚氨酯预聚体是通过聚酯多元醇和异氰酸酯合成聚氨酯预聚体、再利用封端剂对所述聚氨酯预聚体封端得到的；优选地，所述聚酯多元醇包括聚己内酯二元醇、聚碳酸酯二醇、聚己二酸乙二醇酯二醇、聚己二酸丁二乙醇酯二醇、聚己二酸己二醇酯二醇中的一种或两种以上的组合；优选地，所述聚酯多元醇的数均分子量范围为400
‑
1000；优选地，所述异氰酸酯包括2,4
‑
甲苯二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯、二环己基甲烷二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、赖氨酸二异氰酸酯中的一种或两种以上的组合；优选地，所述封端剂包括酰胺类化合物、酰亚胺类化合物、丙二酸酯类化合物、己内酰胺类化合物、环己酮胺类化合物和甲乙酮肟类化合物中的一种或两种以上的组合；更优选地，所述封端剂包括小分子挥发性封端剂，所述小分子挥发性封端剂优选包括丙酮肟、甲乙酮肟、丙二酸二乙酯、癸二酸二乙酯、癸二酸二辛脂中的一种或两种以上的组合；优选地，所述封端聚氨酯预聚体中聚氨酯预聚体的异氰酸酯根质量含量为10
‑
40wt％。3.根据权利要求1或2所述的低温导电银浆，其中，所述封端聚氨酯预聚体的制备方法包括：将异氰酸酯与聚酯多元醇混合形成第一反应体系进行预聚合反应，当第一反应体系中的异氰酸基的含量达到10
‑
40wt％，冷却，得到聚氨酯预聚体；然后向聚氨酯预聚体加入封端剂形成第二反应体系进行封端反应直至反应体系中不含有游离的异氰酸基，得到所述封端聚氨酯预聚体；优选地，异氰酸酯与聚酯多元醇按照异氰酸基与羟基的摩尔比为1.2
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2.0:1添加，所述封端剂的摩尔量与第二反应体系中异氰酸基的初始摩尔量之比为0.5
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1:1；优选地，所述预聚合反应的温度为40
‑
70℃，所述封端反应的温度为50
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80℃、更优选为50
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70℃、进一步优选为60℃。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的低温导电银浆，其中，所述热固性树脂包括不饱和聚酯树脂、酚醛树脂、三聚氰胺甲醛树脂、呋喃树脂、环氧树...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪玮，汪山，周欣山，
申请(专利权)人：苏州晶银新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：