一种带串联型有损嵌入式网络的过中和化放大器结构制造技术

本发明专利技术属于无线通信技术领域，涉及无线通讯系统中的放大器，具体提供一种带串联型有损嵌入式网络的过中和化放大器结构，用以解决现有高频工作下(尤其是毫米波、太赫兹波段)放大器功率增益不足的问题。本发明专利技术包括带串联型有损嵌入式网络的共源放大器与Y/Z型LLREN，带串联型有损嵌入式网络的共源放大器由放大器、电阻R

【技术实现步骤摘要】
一种带串联型有损嵌入式网络的过中和化放大器结构


[0001]本专利技术属于无线通信
，涉及无线通讯系统中的放大器，具体提供一种用于提升功率增益的带串联型有损嵌入式网络的过中和化放大器结构。

技术介绍

[0002]毫米波及太赫兹通信系统，能提供大的通信容量，更快的通信速度，得到更多人的关注；但同时，逐渐增加的工作频率对无线射频前端系统的设计带来了挑战。对于射频系统中的放大器，功率增益是一个很重要的参数指标，其标志了放大器的信号放大能力；而作为放大器中的核心部分：晶体管而言，有两个指标指示了晶体管随频率变化的放大能力，一个是最高截止频率(f
t
)，一个是最高振荡频率(f
max
)；其中，最高振荡频率定义了，当晶体管工作在这个频率时，功率增益会变成1。进一步的，放大器主要功率增益指标包括最大可用增益G
ma
及单向功率增益U，其中，最大可用增益G
ma
表示当稳定性因子K
f
大于等于1时、放大器实现输入输出共轭匹配时小信号功率增益能达到的最高值；单向功率增益U本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带串联型有损嵌入式网络的过中和化放大器结构，包括：带串联型有损嵌入式网络的共源放大器、Y型LLREN与Z型LLREN；其特征在于，所述带串联型有损嵌入式网络的共源放大器由晶体管M1、电阻R
s
与90
°
传输线构成，所述电阻R
s
的一端连接晶体管M1的源极、另一端接地，90
°
传输线一端连接晶体管M1的源极、另一端接地；所述Y型LLREN连接于共源放大器的输入与输出之间，所述Z型LLREN的连接于电阻R
s
与地之间。2.按权利要求1所述过中和化放大器结构，其特征在于，所述共源放大器的z参数满足：Re[Z
11
]+Re[Z
22
]
‑
Re[Z
12
]
‑
Re[Z
21
]＜0。3.按权利要求1所述过中和化放大器结构，其特征在于，所述电阻R
s<...

【专利技术属性】
技术研发人员：何飞，王政，谢倩，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：