一种支持ddr自动调节最优信号参数的方法和存储设备技术

本发明专利技术涉及随机存储器技术领域，特别涉及一种支持ddr自动调节最优信号参数的方法和存储设备。所述一种支持ddr自动调节最优信号参数的方法，包括步骤：在预设通用配置下，通过依次遍历调整配置，根据每一组的配置进行Write/Readtraining，得dq相位的有效范围，取dq相位的有效范围最大时的配置为最佳配置。通过以上方法可自动适配不同模板不同走线的pcb到最佳配置，同样也可以自动适配不同频率到最佳配置，减少了不同模板不同走线不同颗粒时都要重新适配phy及dram的odt/drv配置的麻烦，大大提高适配效率。高适配效率。高适配效率。

【技术实现步骤摘要】
一种支持ddr自动调节最优信号参数的方法和存储设备


[0001]本专利技术涉及随机存储器
，特别涉及一种支持ddr自动调节最优信号参数的方法和存储设备。

技术介绍

[0002]现有的便携式设备，通常包括片上系统(System
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chip，SoC)。所谓片上系统，即在单个芯片上集成的一个完整的系统。
[0003]片上系统上通常包括：嵌入在单个芯片衬底上的多个存储器客户端。所述存储器客户端可以为：中央处理单元(CPU)、图形处理单元(Graphics Processing Unit，GPU)、数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)等。存储器客户端可以经由诸如双倍数据速率(Double Data Rate，DDR)总线的高速总线，来从电力耦合到片上系统的外部动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)中读、写数据。
[0004]通过双倍数据速率总线进行数据读写的动态随机存取存储器，称为双倍速率同步动态随机存取存储器(Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，DDRSDRAM)，简称DDR。
[0005]为了避免对DDR的读操作或者写操作出现错误，在对DDR进行正式的读操作或者写操作之前，需要对DDR进行调试，在申请号为：CN202011349030.5的申请文件中其公开了如何调整参考电压及dq相位，具体对于如何生成最佳的dram/phy的odt drive的最佳配置目前没有任何装置有提及。
[0006]通常针对phy odt/drv及dram odt/drv都是固定配置的，针对不同的模板，不同的走线，不同的颗粒，都需要重新适配phy及dram的odt/drv配置，而且互相的组合配置多到几十种，然后根据既定的配置更新到目标机器，启动机器生成write read training的眼图文本，保存后进行对比，找出最优的眼图。过程非常耗时。
[0007]ddr不一样的封装，不同的模板需要重新适配最佳配置。同样封装不同颗粒，颗粒质量差异，需要重新适配最佳配置。不同颗粒最高可以运行的最高频率也有差异，目前只能根据比较差的颗粒的频点固定配置。不同频率最佳配置也有差异，目前只有最低频率和其他频率两种配置。
[0008]故此如何针对这些不同情况设计一种可以自动生成最佳的dram/phy的odt drive的最佳配置则成了亟需解决的技术问题。

技术实现思路

[0009]为此，需要提供一种持ddr自动调节最优信号参数的方法，用以解决现有技术无法自动生成最佳的dram/phy的odt drive的最佳配置的技术问题，具体技术方案如下：
[0010]一种支持ddr自动调节最优信号参数的方法，包括步骤：
[0011]在预设通用配置下，通过依次遍历调整配置，根据每一组的配置进行Write/Read training，得dq相位的有效范围，取dq相位的有效范围最大时的配置为最佳配置。
[0012]进一步的，所述“通过依次遍历调整配置，根据每一组的配置进行Write/Read training，得dq相位的有效范围，取dq相位的有效范围最大时的配置为最佳配置”，具体还包括步骤：
[0013]遍历dram odt list，依次得到Write/Read training结果，根据结果得最佳dram odt；
[0014]在dram odt调整至最佳的基础上，遍历phy drv list直至得到最佳phy drv；
[0015]在dram odt和phy drv调整至最佳的基础上，遍历phy odt list直至得到最佳的phy odt；
[0016]在dram odt、phy drv和phy odt均调整至最佳的基础上，遍历dram drv list直至得到最佳的一组配置。
[0017]进一步的，所述“根据结果得最佳dram odt”，具体还包括步骤：
[0018]取遍历过程中dq total值最大时的dram odt为最佳dram odt；
[0019]所述“遍历phy drv list直至得到最佳phy drv”，具体还包括步骤：
[0020]取遍历过程中dq total值最大时phy drv为最佳phy drv；
[0021]所述“遍历phy odt list直至得到最佳的phy odt”，具体还包括步骤：
[0022]取遍历过程中dq total值最大时phy odt为最佳phy odt；
[0023]所述“遍历dram drv list直至得到最佳的一组配置”，具体还包括步骤：
[0024]取遍历过程中dq total值最大时dram drv为最佳dram drv。
[0025]进一步的，所述dq total为所有的dq range值总和。
[0026]为解决上述技术问题，还提供了一种存储设备，具体技术方案如下：
[0027]一种存储设备，其中存储有指令集，所述指令集用于执行：
[0028]在预设通用配置下，通过依次遍历调整配置，根据每一组的配置进行Write/Read training，得dq相位的有效范围，取dq相位的有效范围最大时的配置为最佳配置。
[0029]进一步的，所述指令集还用于执行：所述“通过依次遍历调整配置，根据每一组的配置进行Write/Read training，得dq相位的有效范围，取dq相位的有效范围最大时的配置为最佳配置”，具体还包括步骤：
[0030]遍历dram odt list，依次得到Write/Read training结果，根据结果得最佳dram odt；
[0031]在dram odt调整至最佳的基础上，遍历phy drv list直至得到最佳phy drv；
[0032]在dram odt和phy drv调整至最佳的基础上，遍历phy odt list直至得到最佳的phy odt；
[0033]在dram odt、phy drv和phy odt均调整至最佳的基础上，遍历dram drv list直至得到最佳的一组配置。
[0034]进一步的，所述指令集还用于执行：
[0035]所述“根据结果得最佳dram odt”，具体还包括步骤：
[0036]取遍历过程中dq total值最大时的dram odt为最佳dram odt；
[0037]所述“遍历phy drv list直至得到最佳phy drv”，具体还包括步骤：
[0038]取遍历过程中dq total值最大时phy drv为最佳phy drv；
[0039]所述“遍历phy odt list直至得到最佳的phy odt”，具体还包括步骤：
[0040]取遍本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种支持ddr自动调节最优信号参数的方法，其特征在于，包括步骤：在预设通用配置下，通过依次遍历调整配置，根据每一组的配置进行Write/Read training，得dq相位的有效范围，取dq相位的有效范围最大时的配置为最佳配置。2.根据权利要求1所述的一种支持ddr自动调节最优信号参数的方法，其特征在于，所述“通过依次遍历调整配置，根据每一组的配置进行Write/Read training，得dq相位的有效范围，取dq相位的有效范围最大时的配置为最佳配置”，具体还包括步骤：遍历dram odt list，依次得到Write/Read training结果，根据结果得最佳dram odt；在dram odt调整至最佳的基础上，遍历phy drv list直至得到最佳phy drv；在dram odt和phy drv调整至最佳的基础上，遍历phy odt list直至得到最佳的phy odt；在dram odt、phy drv和phy odt均调整至最佳的基础上，遍历dram drv list直至得到最佳的一组配置。3.根据权利要去2所述的一种支持ddr自动调节最优信号参数的方法，其特征在于，所述“根据结果得最佳dram odt”，具体还包括步骤：取遍历过程中dq total值最大时的dram odt为最佳dram odt；所述“遍历phy drv list直至得到最佳phy drv”，具体还包括步骤：取遍历过程中dq total值最大时phy drv为最佳phy drv；所述“遍历phy odt list直至得到最佳的phy odt”，具体还包括步骤：取遍历过程中dq total值最大时phy odt为最佳phy odt；所述“遍历dram drv list直至得到最佳的一组配置”，具体还包括步骤：取遍历过程中dq total值最大时dram drv为最佳dram drv。4.根据权利要求3所述的一种支持ddr自动调节最优信号参数的方法，其特征在于，所述dq total为所有的dq range值总和。5.一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：周为新，
申请(专利权)人：瑞芯微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：