在芯片结构中的无源网络制造技术

芯片堆砌结构中的无源网络，其特征在于，多个电容（Ｃ１到Ｃ４）的ＣＣ矩阵内导体在芯片晶片（１０）的纵侧平面（Ｌ１）上作为端子（１到４）引出，并且多个电容（Ｃ１到Ｃ４）的共同的接地电极（０）在芯片晶片（１０）的两个端侧平面（Ｓ１，Ｓ２）上引出。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在芯片结构中的无源网络。从已经存在的结构和安装方法和设备出发提供了一个在堆砌式结构中的在芯片结构中的无源网络。按照本专利技术此用于CC(芯片-电容)矩阵的芯片结构的无源网络通过权利要求1的特征解决。按照本专利技术用于CCRL(芯片-电容-电阻-电感)的矩阵的按照本专利技术的一个芯片结构中的无源网络的有利的改进是通过权利要求1到3的特征达到的。有利的改进是其他权利要求的内容。按照本专利技术为了提供多个电容的CC矩阵的内导体，其在芯片晶片的纵向侧平面上的作为端子引出，而所有的多个电容的接地电极在芯片晶片的两个侧面上引出。一个按照本专利技术构成的CC矩阵能够例如不干扰微处理器的连接线，优选是位于在一个PLCC(塑料引导的芯片载体)外壳中，或者在一个与集成电路(IC)、组合元件的应用中。特别有利的是在此CC矩阵的结构中按照本专利技术另外含有，传导电压的端子，即所谓的单个电容的“热”端子非常靠近集成电路地设置，并且该导线能够在CC矩阵的下面继续进行传导。通过该非常靠近集成电路设置的传导电压的端子，提出了一个对EMI(电磁干扰)专业人员的要求，即每一个在集成电路端子处的靠近的电容的所要求的电容值只能是较小的。对于此应用，能够得到另外的相对于单个电容的位置空间和基于较小的成型费用的优点。按照本专利技术的有利的改进，相应于CCR矩阵的堆砌原理另外只需要在芯片晶片的表面上相继地设置多个电阻区域，其相应于电容的数量。在此，各个电容区域的端子在一侧分别与所属的电容的内导体相连接，并且另一侧在芯片晶片的第二个纵侧平面上引出。与上述的CC矩阵的实施例相似，按照本专利技术一个扩展到CCR矩阵的无源网络能够不干扰导线地进行应用。在此该RC环节的高效率的CCR矩阵的改进的实施例含有另外的优点。在上述的堆砌结构中按照本专利技术如此提供一个CCRL矩阵的无源网络，在上述电阻层区域的表面上设置一铁氧体晶片。通过此以CCRL矩阵形式的无源网络的改进给出了另外的优点，其在于基于RC环节的另外的电感L的CCRL矩阵的高效率。为了在高频范围去除干扰，通过铁氧体管插入到所有的导体中。开放的磁路的作用因此被降低，在此一个印刷电路平行于铁氧体表面设置；以此为基础在本专利技术的CCRL矩阵结构中，开放的磁路作用在较高的频率范围内，也就是说超过100MHz的频率范围内。尤其有利的是在芯片结构中的电组件，其通过所示出的无源网络构成，其中在一个电路板上设置了印刷电路，其与CC矩阵或者CCR矩阵相连接，并且一个微处理器通过端子与印刷电路相连接。在具有CC矩阵的装置中，该印刷电路从CC矩阵的下面穿过，而在具有CCR矩阵的装置中，该印刷电路没有从CCR矩阵的下面穿过。下面借助于优选的实施例结合附图分别详细解释本专利技术。附图说明图1a示意性示出了作为CC矩阵的按照本专利技术的无源网络的一部分的透视的、较多放大的描述，图1b示意性示出了在芯片结构中的按照本专利技术的CC矩阵的透视的、较多放大的描述，图1c示出了图1b的CC矩阵的剖面图，图1d示出了图1b和1c的CC矩阵的等效电路图，图2a示出了在一个电路板上设置的CC矩阵的原理性装置的视图，图2b示出了图2a的原理性装置的俯视图，图3a示意性示出了按照本专利技术作为CCR矩阵的透视的网络一部分的透视的、较多放大的描述，图3b示意性示出了按照本专利技术的在芯片结构中的CCR矩阵的透视的、较多放大的描述，图3c示出了图3b的CCR矩阵的剖面图，图3d示出了图3b和图3c的CCR矩阵的等效电路图，图3e示出了RC环节的等效电路图，图4a示出了在电路板上设置的CCR矩阵的原理性装置的剖视图，图4b示出了图4a的原理性装置的俯视图，图5a示意性示出了按照本专利技术作为CCRL矩阵的无源网络一部分的透视的、较多放大的描述，图5b示意性示出了在芯片结构中的CCRL矩阵的透视的、较多放大的描述，图5c示出了图5b的CCRL矩阵的剖视图，图5d示出了图5b和5c的CCRL矩阵的等效电路图，和图5e示出了一个RCL环节的等效电路图。图1a示意性示出了以CC矩阵形式的按照本专利技术的无源网络的一部分的透视的、较多放大的描述。一个共同的接地电极ME在图1a中作为电极0形成在端面S1上，该电极例如在图1b和图1c中被给出，并且此电极完全覆盖端面S1。另外给出了例如第一电容C1的电极E1，在此一个通过箭头表示的导线没有与接地电极ME相接触，传导到CC矩阵芯片中的纵侧平面L1的外端子1。图1b示出了一个以CC矩阵形式的芯片10的示意性的透视的较多放大的描述，而图1c是CC矩阵10的剖面图。在图1b和图1c中在两个端面S1和S2上分别含有一个接地电极0。另外在图1c中在纵侧平面L1上的含有的端子以1到4标出。图1d只是含有四个电容C1到C4、端子1到4和接地端子0的CC矩阵的等效电路图。图2a和2b示出了具有不同元件的原理性装置的剖面图或者俯视图。在电路板P上含有印刷电路7，从这里端子8例如被连接到微处理器6。如同图2a所给出的剖面图，印刷电路7在具有CC矩阵的芯片10的下面穿过。另外在图2a的剖面图中例如一个端子以3标出，并且在图2b的俯视图中该端子以1到4标出。图3a是一个相应于图1a的示意性示出了以CCR矩阵形式的按照本专利技术的无源网络的一部分的透视的、较多放大的描述，其表示了在图1a中给出的CC矩阵的改进。在图1a中给出的结构的改进中，在图3a中在芯片20的表面21上设置了一个例如相应于电阻R1的电阻层。如同在图3a中的示意性描述所表示的，电阻层R1的一端与在纵侧平面L1上的端子1相连接，而电阻层R1的另一端如同箭头所标出的与一个在另一纵侧平面L2上的端子A相连接。相应于图1b和1c的描述的在图3b和3c中的描述具有如下的不同在图3b中在芯片晶片20的上侧21另外含有四个电阻区域R1到R4，其如同图3c的剖面图所示，与在第二纵侧平面L2上的端子A到D相连接。图3d中的等效电路图是图1d中的等效电路图的改进，因为对于四个电容C1到C4相应于电阻层区域(R1到R4)的电阻R1到R4是串联连接的，其一侧与在纵侧平面L1上的端子1到4相连接，另一侧与在相对一侧的纵侧平面L2上的端子A到D相连接。图3d只示出了由电容C1和电阻R1构成的RC环节的等效电路图。图4a中的剖面图和图4b中的俯视图基本相应于图2a和2b的描述，并且具有如下的区别，代替图2a和2b的CC矩阵10的是具有一个位于电路板P上的电阻层R的CCR矩阵20。图4a和4b的描述相对于图2a和2b的描述的另一个区别在于，印刷电路7’没有在CCR矩阵的下面穿过。图5a中的以CCLR矩阵形式的无源网络的一部分的透视的较多放大的示意性描述是图3a中给出的CCR矩阵的改进，其中在电阻层R1的表面设置一个铁氧体晶片F。该铁氧体晶片F的结构与借助于图3a表示的CCR矩阵芯片20的结构是一致的。图5b中的描述与图3b的描述的区别在于在图3b中的电阻区域R1到R4上设置的铁氧体晶片F。因为在图5c中剖面图中的铁氧体晶片F没有再一次给出，图5c的剖面图相应于图3c的剖面图。图5d中的CCRL矩阵的等效电路图，如同与图3d中的CCR矩阵的等效电路图相比较，扩大为四个与电阻R1到R4串联连接的电感L1到L4。图5只示出了一个由电感L1、电阻R1和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1．芯片堆砌结构中的无源网络，其特征在于，多个电容(C1到C4)的CC矩阵内导体在芯片晶片(10)的纵侧平面(L1)上作为端子(1到4)引出，并且多个电容(C1到C4)的共同的接地电极(0)在芯片晶片(10)的两个端侧平面(S1,S2)上引出。2．如权利要求1的无源网络，其特征在于，在一个CCR矩阵中，另外在一个芯片晶片(20)的表面(21)上设置相应于电容(C1到C4)的数量的相继设置的电阻区域(R1到R4)，其端子(A到D)分别与所属的电容(C1到C4)的内导体相连接，并且另外在芯片晶片(20)的另一个纵侧平面(L2)上引出。3．如权利要求1和2的无源网络，其特征在于，在一个CCRL矩阵中，在电阻层区域(...

【专利技术属性】
技术研发人员：K·D·埃赫霍尔策，G·凯恩兹，
申请(专利权)人：埃普科斯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：