一种导电膜的制备方法以及导电膜技术

本公开实施例提供一种导电膜的制备方法以及导电膜，所述制备方法包括：清洗所述衬底层；将所述衬底层传输至镀膜腔室中进行镀膜，通过镀膜依次形成平坦层、梯度种子层、金属层、蛛网层、种子层以及调色层，在形成所述梯度种子层的过程中采用梯度沉积方式。本公开实施例通过设置梯度过度的膜层，从而改善复合膜层的应力，生长缺陷，尤其是膜层的粗糙度，还能为进一步核心功能层的沉积打好基础，有助于作为核心层的金属层趋近于层状生长，同时实现同等膜厚的情况下电阻率最低，粗糙度最小。粗糙度最小。粗糙度最小。

【技术实现步骤摘要】
一种导电膜的制备方法以及导电膜


[0001]本公开涉及一种导电装置领域，具体涉及一种导电膜的制备方法以及导电膜。

技术介绍

[0002]为满足人民日益增长的物质文化需求，在超市中的冷藏展示区正逐步实现美观和可视化，在冷藏展示区往往设置透明导电膜。但是现有的透明导电膜不能兼顾高透过和低能耗的特点，这与碳达峰的目标相背离；同时，现有的透明导电膜的色彩还原度比较低，通过其观察物品会造成偏色，影响顾客对于物品的选购。具体地，由于冷藏柜内部温度低，外部水汽含量高，造成开关门取商品时容易结露，这样会影响后续顾客的对于展示柜内商品的选购。现有技术是通过电加热迅速除去结露，这样造成能源的极大浪费。
[0003]此外，采暖和空调能耗占社会总能耗的20％，随着碳达峰的提出，被动式节能建筑再次上升到新的高度。根据热力学定律可知，能量损耗的三种方式分别为辐射，对流和传导。全球温带气候区域由于夏天和冬天的太阳入射角度的不同，夏季对于遮阳的要求可通过遮阳蓬实现，夏季以外的时间尤其是冬季，人们希望太阳的热量可以尽可能多的进入到室内，同时不想暖气或者空调带来的宝贵热量损失。中空或者真空的应用可以极大地减少对流和传导的能量损失，然而透明导电膜可以实现减少通过辐射方式的能量损失。但是，高的太阳能的透过率和低的辐射能量损失是矛盾的存在，仅仅增加导电层会造成太阳能透过的减少，同时可以减少辐射能力损失。现有的导电膜的结构均不能导电膜中实现例如金属银(Ag)层的层状生长，造成生产材料浪费的同时，并未达到材料性能的最大化。
[0004]此外，当今是互联网的时代，集成电路和各种元器件是基础，薄膜技术是制作芯片，传感器、集成电路等的基础。随着器件的微型化，轻量化等趋势，对膜层材料纯度，应力，以及生长过程中的各种缺陷都提出了越来越严格的要求。溅射方式生长的膜层生长方式一般为层岛状生长，当膜层在十几纳米的厚度时候，膜层的粗糙度可能达到十几纳米。当这样的膜层作为基础层时，时远远不能满足要求的。
[0005]在制作导电膜的工艺技术中，由于应力的存在，随着膜层的加厚，膜层会存在开裂或者脱落的风险，这极大的影响了厚膜的应用，尤其是在半导体封装等领域，如果膜层有微裂纹的存在，将严重影响器件的使用寿命。在工具镀和装饰镀等领域，当膜层应力得不到释放会影响工具的性能和寿命。

技术实现思路

[0006]为了解决现有技术中出现的问题，本公开实施例提供一种导电膜的制备方法，其包括：清洗所述衬底层；将所述衬底层传输至镀膜腔室中进行镀膜，通过镀膜依次形成平坦层、梯度种子层、金属层、蛛网层、种子层以及调色层，在形成所述梯度种子层的过程中采用梯度沉积方式，在沉积过程中通入氧气或者氩气。
[0007]在一些实施例中，所述平坦层的镀膜装置的设备总功率为20.0
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40.0kW，将所述平坦层的沉积厚度设置为10.0
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40.0nm。
[0008]在一些实施例中，包括镀膜形成所述第一平坦层，镀膜装置的设备总功率控制在20.0
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40.0kW的范围，将所述第一平坦层的沉积厚度设置为 10.0
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40.0nm；镀膜形成所述第二平坦层，镀膜装置的设备总功率控制在 30.0
‑
40.0kW的范围，将所述第二平坦层的沉积厚度设置为10.0
‑
40.0nm。
[0009]在一些实施例中，所述梯度种子层的镀膜装置的设备总功率控制在 20.0
‑
40.0kW的范围，将所述梯度种子层的沉积厚度设置为10.0
‑
40.0nm。
[0010]在一些实施例中，所述金属层的镀膜装置的设备总功率控制在6
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8.0kW 的范围，将所述金属层的沉积厚度设置为10.0
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20.0nm。
[0011]在一些实施例中，所述蛛网层的镀膜装置的设备总功率控制在 1.0
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5.0kW的范围，将所述蛛网层的沉积厚度设置为0.3
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1.0nm。
[0012]在一些实施例中，所述种子层的镀膜装置的设备总功率控制在 10.0
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25.0kW的范围，将所述种子层的沉积厚度设置为10
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40nm。
[0013]在一些实施例中，包括镀膜形成所述第一调色层，镀膜装置的设备总功率控制在10.0
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35.0kW的范围，将所述第一调色层的沉积厚度设置为10
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40nm；镀膜形成所述第二调色层，镀膜装置的设备总功率控制在10.0
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35.0kW的范围，将所述第二调色层1062的沉积厚度设置为10
‑
20nm。
[0014]在一些实施例中，所述金属层采用银沉积。
[0015]本公开实施例还提供一种导电膜，其通过上述任一项所述制备方法制备。
[0016]本公开实施例通过设置梯度过度的膜层，从而改善复合膜层的应力，生长缺陷，尤其是膜层的粗糙度，为进一步核心功能层的沉积打好基础，有助于作为核心层的金属层趋近于层状生长，同时实现同等膜厚的情况下电阻率最低，粗糙度最小。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1为本公开实施例的导电膜的结构示意图；
[0019]图2为本公开实施例的导电膜的制备方法的示意图；
[0020]图3为本公开实施例的导电膜的制备方法的示意图。
具体实施方式
[0021]为了使得本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
[0022]除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并
不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
[0023]为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，本公开省略本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种导电膜的制备方法，其特征在于，包括：清洗所述衬底层；将所述衬底层传输至镀膜腔室中进行镀膜，通过镀膜依次形成平坦层、梯度种子层、金属层、蛛网层、种子层以及调色层，在形成所述梯度种子层的过程中采用梯度沉积方式，在沉积过程中通入氧气或者氩气。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述平坦层的镀膜装置的设备总功率为20.0
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40.0kW，将所述平坦层的沉积厚度设置为10.0
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40.0nm。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，包括镀膜形成所述第一平坦层，镀膜装置的设备总功率控制在20.0
‑
40.0kW的范围，将所述第一平坦层的沉积厚度设置为10.0
‑
40.0nm；镀膜形成所述第二平坦层，镀膜装置的设备总功率控制在30.0
‑
40.0kW的范围，将所述第二平坦层的沉积厚度设置为10.0
‑
40.0nm。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述梯度种子层的镀膜装置的设备总功率控制在20.0
‑
40.0kW的范围，将所述梯度种子层的沉积厚度设置为10.0
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40.0nm。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金属层的镀膜装...

【专利技术属性】
技术研发人员：穆希，李西军，
申请(专利权)人：西湖大学，
类型：发明
国别省市：