一种坩埚旋转下降法生长氟化物晶体的装置制造方法及图纸

一种坩埚旋转下降法生长氟化物晶体的装置，包括炉体，炉体内腔装有底部保温屏，底部保温屏上安装有下圆周保温屏和隔热环，隔热环上方装有上圆周保温屏和顶部保温屏；坩埚支柱杆穿过炉体，坩埚支柱杆的上端固定安装有坩埚，上腔体内固定安装有发热体；炉体底部通过进气口与惰性气体罐和还原性气体罐相连接，炉体上方侧表面设置有出气口。其方法包括热场安装和装料、抽真空并充入保护气氛、升温化料、晶体生长和降温退火。本实用新型专利技术通过不断充入惰性气体加还原性气体的混合气，从而既保证在氟化物生长过程中能够有效去除原料中含氧杂质，也能够有效将热场、原料中挥发出来的杂质带出炉腔，大大减少炉内的杂质污染物，以提高晶体质量。量。量。

【技术实现步骤摘要】
一种坩埚旋转下降法生长氟化物晶体的装置


[0001]本技术涉及物理领域，尤其涉及晶体的生长技术，具体是一种坩埚旋转下降法生长氟化物晶体的装置。

技术介绍

[0002]氟化钙晶体是一类重要的光电材料，具有在0.13~10μm波段范围内透过率高、折射率均匀、机械性能稳定、抗辐照损伤能力强等优点，是良好的宽光谱透过窗口材料，主要用于制作紫外和红外区域窗口、透镜和棱镜或镀膜材料等。目前主流的氟化钙晶体制备方式是坩埚下降法，生长的氟化钙是柱状（圆柱或方棒）体块晶体。
[0003]传统的坩埚下降法的问题：
[0004]1、只有坩埚升降功能，一般在热场的单一侧边热场开洞加热电偶测温，坩埚径向存在温度不均匀的问题，尤其是在采用多孔坩埚长晶时，坩埚两侧的长晶孔温度差别大，生长的晶体存在一致性差的问题。
[0005]2、长晶炉内一般采用真空环境或者采用单一种惰性气体（如：氩气、氮气等）保护气氛，且保护气为静态；使在晶体生长过程中，热场材料产生的挥发物，或者原料含有中的杂质以及由于原料分解产生的杂质无法及时排出炉腔，一方面这些杂质随炉内热对流本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种坩埚旋转下降法生长氟化物晶体的装置，其特征在于：包括炉体（1），所述炉体（1）内腔底部固定安装有底部保温屏（2），所述底部保温屏（2）上固定安装有下圆周保温屏（3），所述圆周保温屏（3）上方固定安装有隔热环（4），所述隔热环（4）上方固定安装有上圆周保温屏（5），所述上圆周保温屏（5）上方固定安装有顶部保温屏（6），所述底部保温屏（2）、下圆周保温屏（3）和隔热环（4）之间围成下腔体（7），所述顶部保温屏（6）、上圆周保温屏（5）和隔热环（4）之间围成上腔体（8），所述上腔体（8）与下腔体（7）相连通；所述炉体（1）底部活动连接有坩埚支柱杆（9），所述坩埚支柱杆（9）的下端与一个转动电机的输出轴通过传动机构连接，所述的转动电机设置在一个升降机构上，所述的升降机构由一个升降电机驱动，所述坩埚支柱杆（9）的上端穿过炉体（1）底部和底部保温屏（2）底部，所述坩埚...

【专利技术属性】
技术研发人员：王庆国，姜大朋，苏良碧，贾健，
申请(专利权)人：上海德硅凯氟光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：