一种IGBT模块的键合线断裂状态监测方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种IGBT模块的键合线断裂状态监测方法及装置。该方法包括：采集IGBT模块中下桥IGBT器件的集电极电压；当判断所述集电极电压到零时，对当前集电极电压负向过冲进行采样；建立所述IGBT模块健康状态时集电极电压负向过冲的基准值；将所述当前集电极电压负向过冲和所述基准值进行比较；根据比较结果确定所述IGBT模块的运行状态。利用半桥结构动作器件关断过程的集电极电压负向过冲监测IGBT芯片失效，该方法受电容电压变化影响小，且在不同的负载电流下依然可以保持较高的变化率，能够对IGBT模块发射极键合线部分断裂进行有效监测。效监测。效监测。

【技术实现步骤摘要】
一种IGBT模块的键合线断裂状态监测方法及装置


[0001]本专利技术涉及半导体器件测量
，特别是涉及一种IGBT模块的键合线断裂状态监测方法及装置。

技术介绍

[0002]电力电子变换器在电动汽车、风力发电、直流输电等工业界得到了广泛的应用。电力电子变换器长期运行过程中，在故障发生之前识别性能退化的元件，是状态监测的主要目的，对电力电子器件进行状态监测是提升变换器可靠性的有效手段。绝缘栅双极晶体管(IGBT)由于结合了金属
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氧化物场效应管的高开关速度以及双极结型晶体管的低导通损耗等特点得到了广泛地应用。在高压大功率的电力电子变换器的场合，例如风电变流器、牵引变流器、高压直流输电等，为提高通流能力，通常使用由多个IGBT、二极管芯片并联而成的多芯片并联IGBT模块。键合线断裂是IGBT模块的主要失效模式，对于多芯片并联的IGBT模块，由于芯片数量冗余并不会造成模块的失效。因此，键合线断裂引发的芯片失效成为多芯片并联IGBT模块状态监测的前兆失效特征。
[0003]在IGBT模块的键合线断裂状态监测方面已开展了较本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种IGBT模块的键合线断裂状态监测方法，其特征在于，包括：采集IGBT模块中下桥IGBT器件的集电极电压；当判断所述集电极电压到零时，对当前集电极电压负向过冲进行采样；建立所述IGBT模块健康状态时集电极电压负向过冲的基准值；将所述当前集电极电压负向过冲和所述基准值进行比较；根据比较结果确定所述IGBT模块的运行状态。2.根据权利要求1所述的IGBT模块的键合线断裂状态监测方法，其特征在于，建立IGBT模块健康状态时集电极电压负向过冲的基准值，具体包括：确定健康状态时关断过程中下桥IGBT器件的集电极负向电压幅值；根据所述集电极负向电压幅值确定集电极电压负向过冲的基准值。3.根据权利要求1所述的IGBT模块的键合线断裂状态监测方法，其特征在于，所述集电极电压负向过冲的基准值的计算公式如下：Δv
CEB_baseline
＝0.3v
CEBm
其中，Δv
CEB_baseline
为集电极电压负向过冲的基准值，v
CEBm
为健康状态时关断过程中集电极负向电压幅值。4.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐磊，张午宇，朱媛，张翔宇，杜璐春，崔翔，马慧远，
申请(专利权)人：国网北京市电力公司，
类型：发明
国别省市：