一种硅酸镓镧系列晶体多晶料及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种硅酸镓镧系列晶体多晶料的制备方法，首先将可溶性镧镓原料溶解在有机酸中，再加入难溶氧化物纳米颗粒，通过搅拌、超声、研磨、浓缩得到多晶料前驱体；将多晶料前驱体进一步干燥后压块、高温烧结得到硅酸镓镧系列多晶料。本发明专利技术制备的多晶料具有均匀性好，结晶度高的特点，适合多组分原料烧结与多晶料制备，解决了多组分原料烧结过程中由于原料混合不均导致的固相反应不充分、多晶料结晶性差的问题，制备过程绿色环保，适合大规模生产。同时本发明专利技术在较低的温度下实现了固相反应充分完全，大大降低了晶体内部缺陷，可有效提高晶体的高温电阻率。体的高温电阻率。体的高温电阻率。

【技术实现步骤摘要】
一种硅酸镓镧系列晶体多晶料及其制备方法


[0001]本专利技术涉及无机非金属材料制备与合成领域，特别涉及一种硅酸镓镧系列晶体多晶料及其制备方法。

技术介绍

[0002]硅酸镓镧系列晶体是一种性能优异的新型高温压电晶体材料，压电系数为4～8pC/N，具有零频率温度系数切型，机电耦合系数约为石英2～3倍，且至熔点(1300～1500℃)无相变，可广泛应用于航空航天、武器装备、汽车电子及石油化工等领域。对于晶体生长工艺而言，多晶原料的制备至关重要。传统硅酸镓镧系列晶体多晶原料的制备方法是固相反应法，通过将原料在坩埚内经1100℃固相反应12h得到硅酸镓镧多晶料，再将烧结好的多晶料放入铱金坩埚内熔化长晶，此方法能够批量制备多晶原料，但由于原料种类较多、粉体尺寸相差较大导致难以混合均匀，从而使得多组分原料在烧结时时常出现固相反应不充分、多晶料结晶性差的问题。
[0003]中国专利技术专利CN101190798A专利技术了一种将高纯原料溶解在柠檬酸中，加热得到粘稠凝胶，再进行烘干、煅烧得到铌酸镓镧系列纳米粉末，此法解决了多晶料组分均一性差的问题，但本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅酸镓镧系列晶体多晶料的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：S1：将可溶性镧镓原料溶解于有机酸溶液中，加热至充分溶解形成无色透明溶液，其中，所述可溶性镧镓原料和所述有机酸溶液的摩尔比为1:5～20；S2:向上述溶液中加入难溶氧化物纳米颗粒，并搅拌、超声得到白色悬浊液，再通过球磨进一步混合；S3:稀释所述白色悬浊液，并用碱性溶液调节pH至8～12，过滤得到白色滤饼；S4:将所述白色滤饼洗涤、干燥得到多晶料前驱体；S5:将所述多晶料前驱体进一步干燥，冷却至室温后进行压块，得到多晶料块；S6:将所述多晶料块高温烧结得到硅酸镓镧系列晶体多晶料。2.根据权利要求1所述的硅酸镓镧系列晶体多晶料的制备方法，其特征在于：所述硅酸镓镧系列晶体多晶料包括硅酸镓镧多晶料、铌酸镓镧多晶料、钽酸镓镧多晶料。3.根据权利要求2所述的硅酸镓镧系列晶体多晶料的制备方法，其特征在于：所述可溶性镧镓原料包括镧的碳酸盐或氢氧化物以及镓的碳酸盐或氢氧化物，制备所述硅酸镓镧多晶料时，所述可溶性镧镓原料中镧和镓的摩尔比为3:5.025～5.1；制备所述铌酸镓镧多晶料或钽酸镓镧多晶料时，所述可溶性镧镓原料中镧和镓的摩尔比为3:5.528～5.61。4.根据权利要求3所述的硅酸镓镧系列晶体多晶料的制备方法，其特征在于：所述难溶氧化物纳米颗粒为二氧化硅、五氧化二钽、五氧化二铌中的一种，所述难溶氧化物纳米颗粒与所述可溶性镧镓原料的摩尔比为La:Ga:Si＝3:5.025～5.1:1，或者La:Ga:M＝3:5.528～5.61:0.5，M为Nb或Ta。5.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉成，沈丽明，
申请(专利权)人：苏州晶采电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：