【技术实现步骤摘要】
一种改善高纯镍靶材内部组织的工艺方法
[0001]本专利技术属于靶材制造领域,涉及一种镍靶材,尤其涉及一种改善高纯镍靶材内部组织的工艺方法。
技术介绍
[0002]磁控溅射是电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞,电离出大量的氩原子和电子,电子飞向基片,氩离子在电场的作用下加速轰击溅射基台上的靶材组件上的靶材,溅射出大量的靶材原子,呈中性的靶材原子(或分子)沉积在基板上成膜,而最终达到对基板表面镀膜的目的。
[0003]CN101307429A公开了一种制备超细晶粒高纯度金属镍靶材的方法,该方法包括对原材料进行真空熔炼、轧制加工和热处理,具体工艺过程为:将纯度低于99.9%的原材料阳极镍板在真空炉中进行熔炼和铸造,真空度达到6
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‑1MPa以下,熔炼温度1500℃~1700℃,真空条件下直接在水冷铁模中铸造成镍锭;镍锭经表面刨铣后在室温下进行冷轧,轧制变形量在50%以上;将冷轧后的镍板在600℃~800℃下退火30min~120min,水冷或者空气中风吹冷却到室温,获得 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种改善高纯镍靶材内部组织的工艺方法,其特征在于,所述工艺方法包括对坯料依次进行的锻伸处理、第一热处理、热轧处理以及第二热处理。2.根据权利要求1所述的工艺方法,其特征在于,所述锻伸处理为将所述坯料锻打成原坯料高度35~45%的圆柱体。3.根据权利要求1或2所述的工艺方法,其特征在于,所述第一热处理的温度为890~930℃;优选地,所述第一热处理的温度为55~65min。4.根据权利要求1
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3任一项所述的工艺方法,其特征在于,所述热轧处理为将所述第一热处理后的坯料压延至原高度的10~16%。5.根据权利要求1
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4任一项所述的工艺方法,其特征在于,所述第二热处理的温度为495~505℃;优选地,所述第二热处理的时间为115~125min。6.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员:姚力军,潘杰,边逸军,王学泽,章丽娜,罗明浩,
申请(专利权)人:宁波江丰电子材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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