一种高分子材料镀膜工艺制造技术

一种高分子材料镀膜工艺，包括镀氮氧化硅膜层步骤，在待加工件表面镀氮氧化硅膜层作为后续镀膜层的打底层，镀氮氧化硅膜层步骤包括如下子步骤：A1、向镀膜腔室中通入氩气和氮气的混合气体，氩气：氮气为1:8

【技术实现步骤摘要】
一种高分子材料镀膜工艺


[0001]本专利技术涉及表面处理
，尤其是一种高分子材料镀膜工艺。

技术介绍

[0002]高分子材料作为与钢铁和玻璃陶瓷并列的重要基础材料，与人们的日常生活密切相关，高分子材料独特的结构和易改性、易加工特点，使其具有其他材料不可比拟、不可取代的优异性能，从而广泛用于科学技术、国防建设和国民经济各个领域，并已成为现代社会生活中衣食住行用各个方面不可缺少的材料，目前，国内外产线实施的高分子材料镀膜工艺多为NCVM工艺和其他常规镀光学膜工艺；
[0003]NCVM工艺：目前市面上常见的镀膜工艺，其做法通常是在高分子材料(如UV油漆、UV油墨、塑胶片材)表面蒸镀一层铟、锡或铟锡合金(膜厚通常在20
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2000nm之间)，然后在蒸镀的金属层表面涂覆一层UV油漆或者一层PU+一层UV对金属层进行保护，利用金属层的高反射率得到具有金属外观效果的涂层体系。该工艺方法只能做有限的金属效果，不能得到光学增亮效果或者光学幻彩效果，且该方法必须在蒸镀金属后加高分子层对蒸镀金属进行保护。/>[0004]高分本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高分子材料镀膜工艺，其特征在于：包括镀氮氧化硅膜层步骤，在待加工件表面镀氮氧化硅膜层作为后续镀膜层的打底层。2.根据权利要求1所述的一种高分子材料镀膜工艺，其特征在于：所述镀氮氧化硅膜层步骤包括如下子步骤：A1、向镀膜腔室中通入氩气和氮气的混合气体，氩气：氮气为1:8
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3:1；A2、调整真空度为0.1
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1.33Pa；A3、打开硅靶电源对待加工件进行镀膜，镀膜的膜层厚度为2nm
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200nm，此膜层作为氮氧化硅膜层与待加工件高分子材料层的界面结合层。3.根据权利要求1所述的一种高分子材料镀膜工艺，其特征在于：所述氮氧化硅膜层中，所述镀氮氧化硅膜层步骤包括如下子步骤：A1
’
、向镀膜腔室中通入氩气、氧气和氮气，氧和氮的原子数比例范围为1:20
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1:1；A2
’
、调整真空度为0.1
‑
1.33Pa；A3
’
、打开硅靶电源对待加工件进行镀膜，镀膜的膜层厚度为2nm
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200nm，此膜层作为氮氧化硅膜层与待加工件高分子材料层的界面结合层。4.根据权利要求2或3所述的一种高分子材料镀膜工艺，其特征在于：包括镀氮氧化硅膜层步骤后的镀光学膜层步骤，镀光学膜层步骤包括镀低折射率膜层子步骤和镀高折射率膜层子步骤，所述第折射率子步骤包括如下步骤：B1、向镀膜腔室中通入氩气和氮气的混合气体，氩气：氮气为1:8
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3:1；B2、打开硅靶电源对待加工件进行镀膜，镀膜的膜层厚度为10nm
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200nm氧化硅膜层，此氧化硅膜层膜层作为光学膜层中的低折射率膜层。5.根据权利要求4所述的一种高分子材料镀膜工艺，其特征在于：所述镀高折射率膜层包括如下步骤：C1、向镀膜腔室中通入氩气和氮气的混合气体，氩气：氮气为1:8
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3:1；C2、打开高折射率靶材料靶电源对待加工件进行镀膜，镀膜的膜层为厚度10nm
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200nm的金属氧化物膜层，此金属氧化物膜层作为光学膜层中的高折射率膜层。6.根据权利要求4所述的一种高分子材料镀膜工艺，其特征在于：所述镀高折射率膜层包括如下步骤：D1、向镀膜腔室中通入氩气和氮气的混合气体，氩气：氮气为1:8
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3:1；D2、调整真空度为0.1
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【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：深圳市恒鼎新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：