【技术实现步骤摘要】
阵列基板、显示面板及显示器
[0001]本专利技术涉及液晶显示
,尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示器。
技术介绍
[0002]目前,为提高在大尺寸的显示设备中的视角,主要采用VA((Vertical Alignment或Vertically Aligned,垂直配向)显示模式,通过多畴技术,实现液晶的广视角。然而,在目前的多畴技术中,显示面板中液晶分子的取向有限,显示面板的视角较窄。
技术实现思路
[0003]本专利技术的主要目的在于提供一种阵列基板、显示面板及显示器,旨在解决现有技术中显示面板的视角较窄的技术问题。
[0004]为实现上述目的,本专利技术提出一种阵列基板,阵列基板包括多条扫描线、多条数据线以及呈阵列分布的多个子像素,每个子像素与对应的扫描线及数据线连接,每个子像素包括主像素区和次像素区,主像素区和次像素区均包括若干个像素电容,每个像素电容均与对应子像素连接的扫描线及数据线连接,其中,每个子像素至少包括三个像素电容;
[0005]各像素电容在基于对应的数据线充电后的充
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,所述阵列基板包括多条扫描线、多条数据线以及呈阵列分布的多个子像素,每个子像素与对应的扫描线及数据线连接,每个子像素包括主像素区和次像素区,其特征在于,所述主像素区和所述次像素区均包括若干个像素电容,每个像素电容均与对应子像素连接的扫描线及数据线连接,其中,每个子像素至少包括三个像素电容;各像素电容在基于对应的数据线充电后的充电电压不同。2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,各子像素中的各像素电容的正对面积不同。3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括多个薄膜晶体管,各像素电容与一薄膜晶体管电连接,各子像素中的各像素电容对应的薄膜晶体管的沟道长宽比不同。4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管的源极金属部分与漏极金属部分之间设置有过渡金属部分,所述过渡金属部分与所述源极金属部分以及所述漏极金属部分互不接触,所述过渡金属部分与所述源极金属部分以及所述漏极金属部分同层设置。5.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述主像素区包括第一像素电容和第二像素电容,所述次像素区包括第三像素电容和第四像素电容,所述第一像素电容、所述第二像素电容、所述第三像...
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