一种用于提高MicroOLED亮度及色域的结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于提高Micro OLED亮度及色域的结构，包括硅片基底、CMOS电路、金属反射层、阳极和PDL像素层所述CMOS电路设置在硅片基底上，金属反射层、阳极和PDL像素层设置在CMOS电路上，金属反射层的一端贯穿阳极与CMOS电路贴合，金属反射层的另一端高出阳极，PDL像素层包覆在金属反射层的外部。金属反射层的设置，可以起到反射聚光且减少串光的作用，在提升出光率的同时提高了亮度和色域。在提升出光率的同时提高了亮度和色域。在提升出光率的同时提高了亮度和色域。

【技术实现步骤摘要】
一种用于提高Micro OLED亮度及色域的结构


[0001]本技术属于微显示器
，具体涉及一种用于提高Micro OLED亮度及色域的结构。

技术介绍

[0002]硅基OLED显示作为半导体和OLED结合的一种新型显示技术，将是VR/AR等下一代智能穿戴显示的主要方案。随着5G和AI技术的不断进步，越来越多的穿戴显示产品将会变得更具吸引力。而硅基OLED微型显示器件，具有高分辨率、低功耗、体积小、重量轻等优势，广泛应用于AR、VR、可穿戴设备、工业安防、医疗等高分辨率的近眼显示行业，逐渐成为新型显示产业的重要角力点，市场潜力巨大。有机电致发光显示器(Organic Light Emitting Display，OLED)是新一代的显示器，相对于液晶显示器具有自发光、响应快、视角广、色彩饱和等许多优点。其中，Micro OLED的基本上是采用白光加彩胶(CF)的方式实现彩色显示，而使用这种结构时，OLED出光时，部分光被折射到旁边像素区，导致OLED出光不能最大化。

技术实现思路

[0003]本技术旨在至少解决现有技术中存在的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于提高Micro OLED亮度及色域的结构，其特征在于：包括硅片基底(1)、CMOS电路(01)、金属反射层(02)、阳极(03)和PDL像素层(04) ，所述CMOS电路(01)设置在硅片基底(1)上，金属反射层(02)、阳极(03)和PDL像素层(04)设置在CMOS电路(01)上，金属反射层(02)的一端贯穿阳极(03)与CMOS电路(01)贴合，金属反射层(02)的另一端高出阳极(03)，PDL像素层(04)包覆在金属反射层(02)的外部。2.如权利要求1所述的一种用于提高Micro OLED亮度及色域的结构，其特征在于：所述PDL像素层(04)间隔设置在阳极(03)中，阳极(03)上设有用于放置PDL像素层(04)的空间，金属反射层(02)放置在空间中，PDL像素层(04)包覆在金属反射层(02)上，PDL像素层(04)的底部贯穿阳极(03)与CMOS电路(01)贴合，PDL像素层(04)的两侧部与阳极(03)贴合。3.如权利要求2所述的一种用于提高Micro OLED亮度及色域的结构，其特征在于：所述PDL像素层(04)的顶部高出阳极(03)，PDL像素层(04)高于金属反射层(02)，金属反射层(02)的底部与CMOS电路(01)贴合，金属反射层(02)的侧部和顶部均与PDL像素层(04)贴合。4.如权利要求1至3任意一项所述的一种用于提高Micro OLED亮度及色域的结构，其特征在于：所述金属反射层(02)为Al，Al的厚度为100～700nm，金属反射层宽度为0.4～2um。5.如权利要求4所述的一种用于提高Micro OLED亮度及色域的结构，其特征在于：所述金属反...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵卓，程家有，赵韬奋，曹君，杭鑫，杨飞，
申请(专利权)人：安徽熙泰智能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：