安装式中空芯部光纤布置制造技术

一种安装式中空芯部光纤布置包括：中空芯部光纤，具有微结构；以及包括多个安装触点的安装布置，安装触点被配置为向中空芯部光纤的外层施加力。中空芯部光纤的一部分位于安装布置的容置区域中。多个安装触点被定位在容置区域周围。安装触点被分布在容置区域周围，安装触点的分布对应于中空芯部光纤的微结构的特征的分布。安装式中空芯部光纤能够被用于辐射源设备，以提供宽带辐射。以提供宽带辐射。以提供宽带辐射。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】安装式中空芯部光纤布置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年6月21日提交的EP申请19181578.6和于2019年7月17日提交的EP申请19186702.7的优先权，其通过引用全部并入本文。


[0003]本专利技术涉及用于中空芯部光纤的安装式光纤布置。具体地，它涉及通过安装到包括内部微结构的中空芯部光纤施加的力的分布。

技术介绍

[0004]光刻设备是被构造为将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备能够被用于例如集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如掩模)处的图案(通常也称为“设计布局”或“设计”)投影到设置在衬底(例如晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
[0005]为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长确定了能够被形成在衬底上的特征的最小尺寸。当前使用的典型波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。与使用例如波长为193nm的辐射的光刻设备相比，使用波长在4至20nm(例如6.7nm或13.5nm)范围内的极紫外(EUV)辐射的光刻设备可以被用于在衬底上形成更小的特征。
[0006]低k1光刻可以被用于处理尺寸小于光刻设备的典型分辨率极限的特征。在这种过程中，分辨率公式可以被表达为CD＝k1
×
λ/NA，其中λ是所采用的辐射波长，NA是光刻设备中的投影光学器件的数值孔径，CD是“临界尺寸”(通常打印的最小特征尺寸，但在这种情况下是半节距)，并且k1是经验分辨率因子。通常，k1越小，就越难在衬底上再现与电路设计者计划的形状和尺寸类似的图案，以实现特定电气功能性和性能。为了克服这些困难，复杂的微调步骤可以被应用于光刻投影设备和/或设计布局。例如，这些包括但不限于NA的优化、定制照射方案、相移图案形成装置的使用、设计布局中的诸如光学邻近效应校正(OPC，有时也称为“光学和过程校正”)等设计布局的各种优化或者通常定义为“分辨率增强技术”(RET)的其他方法。备选地，用于控制光刻设备的稳定性的紧密控制环可以被用于改进低k1下的图案的再现。
[0007]与光刻应用有关，许多不同类型的测量可以在光刻设备内和光刻设备外部执行。通常，这种测量可以由设备使用用于照射测量目标的辐射源和检测系统执行，该检测系统可操作以测量从目标散射的入射辐射的一部分的至少一个性质。光刻设备外部的测量设备的示例包括量测设备和检查设备。量测设备可以返回与衬底的一个或多个性质相关的数据，其中数据可以是定量数据。检查设备可以检测衬底上的缺陷或不完整性。光刻设备内的测量系统的示例包括形貌测量、位置测量和对准测量，以测量衬底上的图案的性质。
[0008]测量的质量可能会影响与其相关联的光刻过程的质量。可能会影响测量质量的元素中的一个元素是测量中使用的辐射质量。
[0009]不同类型的辐射可以被用于查询衬底的不同性质。

技术实现思路

[0010]根据本公开的第一方面，提供了一种安装式中空芯部光纤布置，包括：中空芯部光纤，具有微结构；以及包括多个安装触点的安装布置，该安装触点被配置为向中空芯部光纤的外层施加力。中空芯部光纤的一部分位于安装布置的容置区域中。多个安装触点被定位在容置区域周围。安装触点被分布在容置区域周围，安装触点的分布对应于中空芯部光纤的微结构的特征的分布。
[0011]可选地，多个安装触点中的每个安装触点可以被配置为向中空芯部光纤的外层施加基本相等的力。
[0012]可选地，多个安装触点的位置在容置区域周围可以是等间隔的。
[0013]可选地，微结构的特征的分布可以包括对称性。多个安装触点的位置的对称性可以与微结构的对称性相对应。
[0014]可选地，中空芯部光纤可以是中空芯部光子晶体光纤，包括围绕中空芯部具有多个毛细管的单环结构。
[0015]可选地，单环结构中的毛细管分布可以具有多种旋转对称性。安装触点的数量是旋转对称性的数量的整数倍，或者旋转对称性的数量是安装触点的数量的整数倍。
[0016]可选地，安装触点的数量可以等于围绕中空芯部的毛细管的数量。
[0017]可选地，中空芯部光纤的安装在安装布置的容置区域内的部分可以是中空芯部光纤的端部。
[0018]可选地，由安装触点施加的力可以是可调整的。
[0019]可选地，安装布置可以包括弹簧加载螺钉，被配置为调整由安装触点施加的力。
[0020]可选地，安装布置可以包括电气布置，被配置为通过施加电场来调整由安装触点施加的力。
[0021]可选地，电气布置可以包括在安装布置的第一侧的第一板和在安装布置的第二侧的第二板，其中容置区域位于第一侧与第二侧之间。力可以被配置为通过调整在第一板与第二板之间施加的电场来调整。
[0022]可选地，安装布置可以包括磁性布置，被配置为通过施加磁场来调整由安装触点施加的力。
[0023]可选地，磁性布置可以包括在安装布置的第一侧的第一磁体和在安装布置的第二侧的第二磁体，其中容置区域位于第一侧与第二侧之间。力可以被配置为通过调整在第一磁体与第二磁体之间施加的磁场来调整。
[0024]可选地，力可以被配置为被调整以针对预定的窄波长范围优化中空芯部光纤的性能。
[0025]可选地，预定的窄波长范围可以包括用于提供输入辐射以被耦合到中空芯部光纤中的源的波长。
[0026]可选地，预定波长范围可以包括中空芯部光纤的操作波长范围的至少一部分。
[0027]可选地，中空芯部光纤可以被配置为在宽带波长范围内操作。
[0028]可选地，宽带波长范围可以包括从200nm到2000nm的波长。
[0029]可选地，宽带波长范围可以包括从400nm到1000nm的波长。
[0030]可选地，安装布置可以包括具有形成容置区域的一部分的凹槽的基部以及被配置
为覆盖基部的顶盖。
[0031]可选地，顶盖可以包括用于容置中空芯部光纤的凹槽，其中顶盖凹槽可以与基部凹槽对准以形成容置区域。
[0032]可选地，基部凹槽和顶盖可以被配置为当顶盖覆盖基部时形成多边形形式。
[0033]可选地，多边形形式的每侧可以包括安装触点。
[0034]可选地，多边形形式可以是规则的多边形形式。
[0035]可选地，安装式中空芯部光纤布置还可以包括储存器，被配置为在储存器的内部与储存器的外部之间提供可重新密封的气封。安装式中空芯部光纤可以位于储存器内。储存器可以被配置为包含控制的气体混合物。
[0036]可选地，安装式中空芯部光纤布置可以包括第二安装布置，其中中空芯部光纤的第二部分可以位于第二安装布置的容置区域内。
[0037]根据当前公开的另一方面，提供了一种安装式中空芯部光纤布置，包括：中空芯部光纤，具有微结构；以及包括多个安装触点的安装布置，该安装触点被配置为在多个接触点处向中空芯部光纤的外层施加力。中空芯部光纤可以位于安装布置的容置区域本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种安装式中空芯部光纤布置，包括：中空芯部光纤，具有微结构；以及包括多个安装触点的安装布置，所述安装触点被配置为向所述中空芯部光纤的外层施加力；其中所述中空芯部光纤的一部分位于所述安装布置的容置区域中；所述多个安装触点被定位在所述容置区域周围；并且所述安装触点被分布在所述容置区域周围，所述安装触点的所述分布对应于所述中空芯部光纤的所述微结构的特征的分布。2.根据权利要求1所述的安装式中空芯部光纤布置，其中所述多个安装触点中的每个安装触点被配置为向所述中空芯部光纤的所述外层施加基本相等的力。3.根据前述权利要求中任一项所述的安装式中空芯部光纤布置，其中所述多个安装触点的所述位置在所述容置区域周围是等间隔的。4.根据前述权利要求中任一项所述的安装式中空芯部光纤布置，其中所述微结构的特征的所述分布包括对称性，并且其中所述多个安装触点的所述位置的对称性与所述微结构的所述对称性相对应。5.根据前述权利要求中任一项所述的安装式中空芯部光纤布置，其中所述中空芯部光纤是中空芯部光子晶体光纤，包括单环结构，所述单环结构围绕所述中空芯部具有多个毛细管。6.根据权利要求5所述的安装式中空芯部光纤布置，其中所述单环结构中的所述毛细管分布具有多种旋转对称性，并且其中安装触点的数量是旋转对称性的数量的整数倍，或者旋转对称性的数量是安装触点的数量的整数倍。7.根据权利要求5至6中任一项所述的安装式中空芯部光纤布置，其中安装触点的数量等于围绕所述中空芯部的毛细管的数量。8.根据前述权利要求中任一项所述的安装式中空芯部光纤布置，其中所述中空芯部光纤的安装在所述安装布置的所述容置区域内的所述部分是所述中空芯部光纤的端部。9.根据前述权利要求中任一项所述的安装式中空芯部光纤布置，其中由所述安装触点施加的所述力是可调整的。10.根据权利要求9所述的安装式中空芯部光纤布置，其中以下至少一项：所述安装布置包括弹簧加载螺钉，所述弹簧加载螺钉被配置为调整由所述安装触点施加的所述力，并且所述安装布置包括电气布置，所述电气布置被配置为通过施...

【专利技术属性】
技术研发人员：塞巴斯蒂安，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：