一种低功耗继电器驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低功耗继电器驱动电路，包括继电器、PNP型三极管、NPN型三极管、电容、第一电阻、限流电阻、第三电阻、第四电阻、肖特基二极管和继电器的驱动电源，PNP型三极管的基极与第三电阻的一端相连，第三电阻的另一端通过第一电阻与驱动电源相连，PNP型三极管的的集电极分别与肖特基二极管的负极、继电器的一端以及限流电阻相连，第三电阻的另一端通过电容与肖特基二极管的正极相连，NPN型三极管的集电极分别与继电器的一端以及肖特基二极管的正极相连，继电器的另一端通过限流电阻接入驱动电源，NPN型三极管的发射极接地，限流电阻的阻值为继电器内阻的两倍。通过此控制电路，使继电器的实际驱动功耗降低为原额定功耗的1/3。耗的1/3。耗的1/3。

【技术实现步骤摘要】
一种低功耗继电器驱动电路


[0001]本技术涉及电子
，尤其涉及一种低功耗继电器驱动电路。

技术介绍

[0002]在控制类的产品中，为了达到隔离控制的效果，经常需要用到继电器，而如果此产品是电池供电的低功耗产品，继电器的功耗较大，会占用太多的电量消耗。

技术实现思路

[0003]为了解决现有技术存在的上述问题，本技术的目的在于提供一种低功耗继电器驱动电路，可以降低继电器吸合时的功耗。
[0004]为了解决上述技术问题，本技术采用的技术方案如下：一种低功耗继电器驱动电路，包括继电器、PNP型三极管、NPN型三极管、电容、第一电阻、限流电阻、第三电阻、第四电阻、肖特基二极管和继电器的驱动电源；
[0005]所述PNP型三极管的基极与第三电阻的一端相连，第三电阻的另一端通过第一电阻与驱动电源相连，PNP型三极管的集电极分别与肖特基二极管的负极、继电器的一端以及限流电阻相连，第三电阻的另一端通过电容与肖特基二极管的正极相连；
[0006]所述NPN型三极管的集电极分别与继电器的一端以及肖特基二极管的正极相连，所述继电器的另一端通过限流电阻接入驱动电源，所述NPN型三极管的发射极接地，所述NPN型三极管的基极通过第四电阻接入Relay_Control信号，所述继电器的输出端输出Relay_out_A信号和Relay_out_B信号；
[0007]其中，所述限流电阻的阻值为继电器内阻的两倍。
[0008]作为本技术的进一步改进，所述PNP型三极管的型号为BC857。/>[0009]作为本技术的进一步改进，所述NPN型三极管的型号为SS8050。
[0010]作为本技术的进一步改进，所述肖特基二极管的型号为1N4148。
[0011]作为本技术的进一步改进，所述电容的容量为0.1uF，承受的电压上限值为50V。
[0012]本技术与现有技术相比，具有如下有益效果：
[0013]本技术一种低功耗继电器驱动电路，可以降低继电器吸合时的功耗，约减少2/3的电源消耗，更加适合电池供电的低功耗产品设计。
附图说明
[0014]图1为本技术一种低功耗继电器驱动电路的电路图。
具体实施方式
[0015]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的
实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0016]图1示出的是本技术一种低功耗继电器驱动电路一实施方式的结构示意图，其主体部分包括包括继电器K1、PNP型三极管Q1、NPN型三极管Q2、电容C1、第一电阻R1、限流电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、肖特基二极管D1和继电器的驱动电源VBAT。
[0017]所述PNP型三极管Q1的基极与第三电阻R3的一端相连，第三电阻R3的另一端通过第一电阻R1与驱动电源VBAT相连，PNP型三极管Q1的集电极分别与肖特基二极管D1的负极、继电器K1的一端以及限流电阻R2相连，第三电阻R3的另一端通过电容C1与肖特基二极管D1的正极相连；所述NPN型三极管Q2的集电极分别与继电器K1的一端以及肖特基二极管D1的正极相连，所述继电器K1的另一端通过限流电阻R2接入驱动电源VBAT，所述NPN型三极管Q2的发射极接地GND，所述NPN型三极管Q2的基极通过第四电阻R4接入Relay_Control信号，所述继电器K1的输出端输出Relay_out_A信号和Relay_out_B信号；其中，所述限流电阻R2的阻值为继电器K1内阻的两倍。
[0018]作为优选，在本实施方式中，所述PNP型三极管Q1的型号为BC857。
[0019]作为优选，在本实施方式中，所述NPN型三极管Q2的型号为SS8050。SS8050是一种低电压，大电流，小信号的PNP型硅三极管，最大集电极电流为1.5 A。
[0020]作为优选，在本实施方式中，所述肖特基二极管D1的型号为1N4148。
[0021]1N4148是点接触型的小电流高频开关二极管，开关比较迅速，广泛用于信号频率较高的电路进行单向导通隔离。
[0022]作为优选，在本实施方式中，所述电容C1的容量为0.1uF，承受的电压上限值为50V。
[0023]结合图1，本实施方式的一种低功耗继电器驱动电路，具体原理如下：由于继电器K1的保持电压远远小于吸合电压，所以在控制继电器K1吸合的瞬间提供继电器K1的额定电压，而正常吸合以后提供额定电压的1/3就可以维持继电器K1的吸合状态，所以使用一个PNP三极管Q1、一个NPN三极管Q2、一个肖特基二极管D1，外加几个电阻电容，搭建出一个低成本低功耗的继电器驱动电路。在继电器K1的驱动电源VBAT上串接一个限流电阻R2，限流电阻R2的阻值为继电器K1内阻的两倍，当Relay_Control信号拉高时，NPN三极管Q2导通，电容C1充电，PNP三极管Q1导通，NPN三极管Q2和PNP三极管Q1均工作在饱和区，内阻很小，继电器K1工作在额定电压下。当电容C1充电完成，PNP三极管Q1截止，继电器K1和限流电阻R2串联，继电器K1的电压降低为额定电压的1/3，继续保持吸合状态，当Relay_Control信号拉低时，继电器K1断开。
[0024]尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低功耗继电器驱动电路，其特征在于：包括继电器（K1）、PNP型三极管（Q1）、NPN型三极管（Q2）、电容（C1）、第一电阻（R1）、限流电阻（R2）、第三电阻（R3）、第四电阻（R4）、肖特基二极管（D1）和继电器的驱动电源（VBAT）；所述PNP型三极管（Q1）的基极与第三电阻（R3）的一端相连，第三电阻（R3）的另一端通过第一电阻（R1）与驱动电源（VBAT）相连，PNP型三极管（Q1）的集电极分别与肖特基二极管（D1）的负极、继电器（K1）的一端以及限流电阻（R2）相连，第三电阻（R3）的另一端通过电容（C1）与肖特基二极管（D1）的正极相连；所述NPN型三极管（Q2）的集电极分别与继电器（K1）的一端以及肖特基二极管（D1）的正极相连，所述继电器（K1）的另一端通过限流电阻（R2）接入驱动电源（VBAT），所述N...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘滨，
申请(专利权)人：南京普杰物联网技术有限公司，
类型：新型
国别省市：