一种SMD固态电容器及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种SMD固态电容器及其制造方法。一种SMD固态电容器的制造方法，其包括以下步骤：将聚合后芯包放入壳体内、套胶塞于所述芯包的导针上且控制所述胶塞与所述芯包之间具有间隔；然后封口，控制封口顶部平面高于所述胶塞顶面一定间隙；接着老化、加工成型，所述加工成型包括打扁所述导针、装配底座及折弯所述导针置于所述底座凹槽内。本发明专利技术制造方法中通过控制所述胶塞与所述芯包之间具有间隔以及控制封口顶部平面高于所述胶塞顶面一定间隙，可降低SMD成型过程中对产品的损伤，稳定产品特性，减少不良的产生以及改善应用端使用经过回流焊后的失效率。经过回流焊后的失效率。

【技术实现步骤摘要】
一种SMD固态电容器及其制造方法


[0001]本专利技术涉及电解电容器
，尤其是涉及一种SMD固态电容器及其制造方法。

技术介绍

[0002]相对于插件式固态电容器，SMD固态电容器(也称为表面贴装型固态铝电解电容器)能提高电子产品的生产效率，实现大规模自动化生产，节约人力、时间等，如此有利于刺激SMD固态电容器的市场快速发展，前景十分广阔。
[0003]现有SMD固态电容器的制造方法，具体包括钉卷、化成、含浸、聚合、入壳封口、老化、加工成型、包装。在生产现有固态电容的过程中，还存在以下具体问题：1、引线打扁及折弯时，所需的作用力较大，容易使外力传导到芯包，造成电容器产品挤压拉伤而受损，受损后特性变化大，不良比例多；2、安装时常用的高温回流焊技术，当回流焊的温度大于聚合温度时，芯包内的多余未反应物就会裂解且产生SO2气体，形成内部应力造成凸起变形进而对内部结构挤压损伤。

技术实现思路

[0004]为了弥补已有技术的缺陷，本专利技术提供一种SMD固态电容器及其制造方法，本专利技术制造方法中通过控制所述胶塞与所述芯包之间具有间隔以及控制封口顶部平面高于所述胶塞顶面一定间隙，可降低SMD成型过程中对产品的损伤，稳定产品特性，减少不良的产生以及改善应用端使用经过回流焊后的失效率。
[0005]本专利技术所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：
[0006]一种SMD固态电容器的制造方法，其包括以下步骤：将聚合后芯包放入壳体内、套胶塞于所述芯包的导针上且控制所述胶塞与所述芯包之间具有间隔，所述间隔大小为0.3～1.0mm；然后封口，控制封口顶部平面高于所述胶塞顶面一定间隙，所述间隙大小为0.3～0.6mm；接着老化、加工成型，所述加工成型包括打扁所述导针、装配底座及折弯所述导针置于所述底座凹槽内。
[0007]作为本专利技术提供的所述的SMD固态电容器的制造方法的一种优选实施方式，所述导针具有依次连接的引出部、支撑部以及连接部，所述引出部与所述芯包的电极箔连接，所述胶塞套入在所述导针的支撑部，所述连接部用于被加工及焊接，所述支撑部的外径均大于所述引出部和连接部的外径，所述支撑部的长度为所述胶塞高度与所述间隔之和。
[0008]作为本专利技术提供的所述的SMD固态电容器的制造方法的一种优选实施方式，所述聚合后芯包是通过钉卷、化成、含浸和聚合步骤获得的。
[0009]一种SMD固态电容器，其包括芯包、套入在所述芯包的导针上的胶塞、承载及封装所述芯包和胶塞的壳体及装配在所述壳体封口侧的底座；其中，所述胶塞与所述芯包之间具有间隔，所述铝壳的封口顶部平面高于所述胶塞顶面一定间隙；位于所述胶塞外侧的所述导针为扁平状且折弯置于所述底座的凹槽内。
[0010]作为本专利技术提供的所述的SMD固态电容器的一种优选实施方式，所述间隔大小为
0.3～1.0mm。
[0011]作为本专利技术提供的所述的SMD固态电容器的一种优选实施方式，所述间隙大小为0.3～0.6mm。
[0012]作为本专利技术提供的所述的SMD固态电容器的一种优选实施方式，所述导针具有依次连接的引出部、支撑部以及连接部，所述引出部与所述芯包的电极箔连接，所述胶塞套入在所述导针的支撑部，所述连接部用于被加工及焊接，所述支撑部的外径均大于所述引出部和连接部的外径，所述支撑部的长度为所述胶塞高度与所述间隔之和。
[0013]本专利技术具有如下有益效果：
[0014]本专利技术制造方法中通过控制所述胶塞与所述芯包之间具有间隔以及控制封口顶部平面高于所述胶塞顶面一定间隙，可降低SMD成型过程中对产品的损伤，稳定产品特性，减少不良的产生以及改善应用端使用经过回流焊后的失效率。
附图说明
[0015]图1为本专利技术插件式电容器的结构示意图；
[0016]图2为本专利技术插件式电容器的分解示意图；
[0017]图3为本专利技术插件式电容器的剖视状态的局部示意图；
[0018]图4为本专利技术插件式电容器的导针打扁过程示意图。
具体实施方式
[0019]下面结合实施例对本专利技术进行详细的说明，实施例仅是本专利技术的优选实施方式，不是对本专利技术的限定。
[0020]实施例1
[0021]一种SMD固态电容器的制造方法，该制造方法包括以下步骤：
[0022](1)将阳极箔、阴极箔和电解纸裁切成预设尺寸，并且在阳极箔和阴极箔上分别固定连接导针14；将阳极箔、电解纸和阴极箔卷绕成芯包11；
[0023]所述导针14具有依次连接的引出部141、支撑部142以及连接部143，所述引出部141用于与所述芯包11的电极箔(阳极箔或阴极箔)连接，所述支撑部142用于套接后续的胶塞12，所述连接部143用于被加工及焊接，所述支撑部142的外径均大于所述引出部141和连接部143的外径；
[0024](2)对所述芯包11进行化成处理，以修复阳极箔表面的氧化膜；
[0025](3)分散液含浸：
①
将步骤(2)的芯包11含浸单体溶液，干燥；
②
含浸氧化剂；也可以氧化剂含浸在单体含浸之前进行；
[0026](4)常压下，在30～210℃下，经过0.5～6小时加热聚合以在所述芯包11内形成导电聚合物；
[0027](5)将聚合后芯包11放入壳体13内、套胶塞12于所述芯包11的导针14上且控制所述胶塞12与所述芯包11之间具有间隔d1，间隔d1大小为0.6mm；
[0028]其中，所述支撑部142的长度为所述胶塞12高度与所述间隔d1之和；可以理解的是，所述支撑部142的长度也可以短于所述胶塞12高度与所述间隔d1之和；
[0029](6)封口，控制封口顶部平面131高于所述胶塞12顶面一定间隙d2，间隙d2大小为
0.4mm；即得插件式电容器1，如图1
‑
3所示；
[0030](7)老化、加工成型：对上述插件式电容器进行老化测试，然后加工成型获得SMD固态电容器，此电容器规格为25V470uF 6.3X13。
[0031]所述加工成型包括打扁所述导针14、装配底座及折弯所述导针14置于所述底座凹槽内。
[0032]SMD加工成型时，会通过压模将导针14的连接部143进行打扁，其过程如图4所示，所述压模包括一个中模2和两个边模3，所述中模2设置在两根所述导针14的中间，两个所述边模3分别设置在两根所述导针14的另外一侧，即一个边模3与一个中模2配合夹住一导针14并进行压扁动作。
[0033]完成打扁动作后，进行底座装配，将两根所述导针分别穿过所述底座的通孔，然后将封口后的外壳装配入底座的槽位内；所述底座另一侧表面上在通孔侧边预先形成有凹槽，使两根所述导针穿过通孔后，弯折至九十度，最后分别置入凹槽内，即构成表面贴装型固态电容器，即SMD固态电容器。
[0034]将实施例1的成型前电容器、成型后电容器以及回流焊后电容器进行电学特性测试，结果如下：
[0035][0本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SMD固态电容器的制造方法，其特征在于，其包括以下步骤：将聚合后芯包放入壳体内、套胶塞于所述芯包的导针上且控制所述胶塞与所述芯包之间具有间隔，所述间隔大小为0.3～1.0mm；然后封口，控制封口顶部平面高于所述胶塞顶面一定间隙，所述间隙大小为0.3～0.6mm；接着老化、加工成型，所述加工成型包括打扁所述导针、装配底座及折弯所述导针置于所述底座凹槽内。2.根据权利要求1所述的SMD固态电容器的制造方法，其特征在于，所述导针具有依次连接的引出部、支撑部以及连接部，所述引出部与所述芯包的电极箔连接，所述胶塞套入在所述导针的支撑部，所述连接部用于被加工及焊接，所述支撑部的外径均大于所述引出部和连接部的外径，所述支撑部的长度为所述胶塞高度与所述间隔之和。3.根据权利要求1所述的SMD固态电容器的制造方法，其特征在于，所述聚合后芯包是通过钉卷、化成、含浸和聚合步骤获得...

【专利技术属性】
技术研发人员：何东石，刘泳澎，伍小军，陈桃桃，黄文昊，
申请(专利权)人：肇庆绿宝石电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：